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nickel boride

中文名称
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中文别名
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英文名称
nickel boride
英文别名
Ni boride
nickel boride化学式
CAS
——
化学式
BNi
mdl
——
分子量
69.501
InChiKey
PRSALKUUPPMWID-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -1.19
  • 重原子数:
    2.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    nickel boride 作用下, 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 三氯化硼
    参考文献:
    名称:
    Moissan, H., Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1896, vol. 122, p. 424 - 426
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    nickel(II) oxide 在 alkaline or alkaline earth tetraborate 作用下, 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 nickel boride
    参考文献:
    名称:
    Aleonard, S., Bulletin de la Societe Chimique de France
    摘要:
    DOI:
  • 作为试剂:
    描述:
    N-(cyanomethyl)-4-ethoxybenzamidenickel boride 作用下, 生成 N-(2-aminoethyl)-4-ethoxybenzamide
    参考文献:
    名称:
    发现苯甲酰胺类似物是一类新型的5-HT3受体激动剂
    摘要:
    在一个小型商业化合物库中筛选了一种基于苯甲酰胺支架的5‐HT 3受体激动剂,并进行了详细的SAR研究。苯甲酰胺类似物在5-HT 3 A受体处的设计,合成和功能表征,提供了有关该类似物作为5-HT 3受体激动剂的大量信息。但是,衍生的类似物的效力没有比最初的命中明显改善。苯甲酰胺支架构成了一种新型5‐HT 3受体激动剂,因为它不具有带正电的功能,这对于所有正构配体与受体的结合都是必不可少的。初步研究表明,这些化合物可通过与受体复合物中的变构位点结合来发挥其对5-HT 3受体的作用。
    DOI:
    10.1002/cmdc.201000444
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文献信息

  • Rare-Earth Nickel Nitridoborates with (BN) Anions: CharacterizedRENi(BN) and AnticipatedREM(BN) Compounds
    作者:Michael Neukirch、Björn Blaschkowski、Marco Häberlen、H.-Jürgen Meyer
    DOI:10.1002/zaac.200600004
    日期:2006.8
    The compounds RENi(BN) with RE = Y, La, Ce, Pr, Tm and Yb were synthesized by solid state reactions from metal powders and α-BN at temperatures between 1000° and 1200 °C. In addition, the mixed phases (Ca,Yb)Ni(BN) and (Ca,Tm)Ni(BN) were synthesized. All products were characterized by powder XRD measurements and indexed isotypic with the structure of CaNi(BN), consistent with the tetragonal space group
    RE=Y、La、Ce、Pr、Tm 和 Yb 的化合物 RENi (BN) 是由金属粉末和 α-BN 在 1000°C 和 1200°C 之间的温度下通过固态反应合成的。此外,还合成了混合相(Ca,Yb)Ni(BN)和(Ca,Tm)Ni(BN)。所有产品均通过粉末 XRD 测量进行表征,并与 CaNi (BN) 结构索引同型,与四方空间群 P4 / nmm 一致。(BN) 阴离子的键合条件在新的氮硼酸盐化合物 REM (BN) 的透视图中讨论,该化合物包含除 Ni 之外的过渡金属原子 (M)。
  • Neutron diffraction study of superconducting<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si1.gif" overflow="scroll"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>La</mml:mtext></mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Ni</mml:mtext></mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mmultiscripts><mml:mtext>B</mml:mtext><mml:mprescripts /><mml:none /><mml:mrow><mml:mn>11</mml:mn></mml:mrow></mml:mmultiscripts></mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mtext>N</mml:mtext><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>δ</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>
    作者:Tahir Ali、Soner Steiner、Clemens Ritter、Herwig Michor
    DOI:10.1016/j.jallcom.2017.05.017
    日期:2017.9
    Abstract We have studied structural properties of La 3 Ni 2 B 2 N 3− δ samples with distinctly different values of the superconducting transition temperature by means of powder neutron diffractometry and specific heat measurements. The refinement of lattice site occupations reveals full occupations for all sites in the La 3 Ni 2 B 11 2 N 3 structure with space group I 4/ mmm except for nitrogen site
    摘要 我们通过粉末中子衍射和比热测量研究了具有明显不同超导转变温度值的 La 3 Ni 2 B 2 N 3− δ 样品的结构特性。晶格位点占据的细化揭示了空间群I 4/ mmm La 3 Ni 2 B 11 2 N 3 结构中所有位点的完全占据,除了氮位点N(2)。对于 T c = 13.0 K 和 13.7 K 的样本,我们分别获得了 N(2) 站点明显不同的占用因子 0.90 和 0.93。后者证实了氮化学计量与超导转变温度之间的直接关系。基于对温度相关晶格参数、原子位移因子的分析,
  • Crystal Structure of Ce3Ni2(BN)2N and Magnetic Behavior of (CeNi(BN))2(CeN)x with x = 0, 1
    作者:Jochen Glaser、Takao Mori、H.-Jürgen Meyer
    DOI:10.1002/zaac.200800009
    日期:2008.6
    compound Ce3Ni2(BN)2N was synthesized by a modified solid state metathesis reaction. The crystal structure of Ce3Ni2(BN)2N was found to be isotypic with the superconducting compound La3Ni2(BN)2N, according to Rietveld refinements performed on X-ray powder data (I4/mmm, Z = 2, a = 3.5817(1) A, c = 20.283(1) A). Corresponding solid state reactions of mixtures composed of CeN/NiB and CeNi/BN yielded CeNi(BN)
    通过改进的固态复分解反应合成了新化合物Ce3Ni2(BN)2N。根据对 X 射线粉末数据 (I4/mmm, Z = 2, a = 3.5817(1)) 进行的 Rietveld 细化,发现 Ce3Ni2(BN)2N 的晶体结构与超导化合物 La3Ni2(BN)2N 同型A,c = 20.283(1) A)。由 CeN/NiB 和 CeNi/BN 组成的混合物的相应固态反应产生了 CeNi(BN) 和两种密切相关的层状结构 (CeNi(BN))2(CeN)x 的混合物,x = 0 和 1。 磁化实验在这些样品上显示了 Ce3Ni2(BN)2N 和 CeNi(BN) 的温度独立顺磁行为,没有任何低至 5 K 的磁性排序。
  • Surface characterisation of nickel boride and nickel phosphide catalysts by X-ray photoelectron spectroscopy
    作者:Yasuaki Okamoto、Yuriko Nitta、Toshinobu Imanaka、Shiichiro Teranishi
    DOI:10.1039/f19797502027
    日期:——
    The surface characterisation of nickel boride (NiB) and nickel phosphide (NiP) catalysts has been undertaken with X.p.s. Boron combined with nickel metal in NiB catalysts was found to donate electrons to the nickel metal, resulting in electron rich metal, whereas phosphorus bonded to nickel metal in NiP catalysts accepted electrons from the nickel metal, causing electron deficient metal. Preparation
    Xps硼与NiB催化剂中的镍金属结合使用时已进行了硼化镍(NiB)和磷化镍(NiP)催化剂的表面表征,发现NiB催化剂中会向镍金属提供电子,从而产生富电子的金属,而磷与镍结合NiP催化剂中的金属会吸收镍金属中的电子,从而导致电子不足的金属。制备方法(不同的溶剂,前体盐和温度)影响键合到镍金属上的硼和磷的表面浓度,表面积和催化剂的比氢化活性。氢化反应的比活随NiB催化剂中表面硼含量的增加而增加,而随NiP催化剂中表面磷含量的增加而降低。硼和磷的这些正面和负面的促进作用是根据镍金属的电子密度来解释的。还研究了Co-,Fe-,Pd-和PtB催化剂进行比较。
  • Growth of Ni-B films on n-silicon
    作者:Anup Mondal、Sabyashachi Nath、Ashok Mondal、Sikha Bandopadhyay、Utpal Gangopadhyay、Hiranmay Saha
    DOI:10.1002/pssa.200420042
    日期:2005.7
    Electroless deposition of Ni–B films on n-silicon has been developed, using sodium borohydride as the reducing agent. The deposition has been studied by varying the temperature, time of deposition and the concentration of the reducing agent used, keeping the pH of the solution unchanged. Sheet resistance of the deposited films were measured to confirm the growth. Preliminary studies on contact resistance
    已经开发了使用硼氢化钠作为还原剂在 n 硅上化学沉积 Ni-B 薄膜。通过改变温度、沉积时间和所用还原剂的浓度来研究沉积,保持溶液的 pH 值不变。测量沉积膜的薄层电阻以确认生长。已经对 Ni-B 薄膜和 n-Si 之间的接触电阻进行了初步研究。结果发现与 Ni-B 和 p- 硅之间的接触电阻相似,这表明即使使用 Ni-B 也可以实现与 n-Si 的欧姆接触。这样做是为了从同一溶液中同时在硅太阳能电池的正面和背面沉积镍。(© 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
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