2,2,8,8,10,10-hexamethyl-1,9-diazaspiro[5.5]undecane-4-one | 22280-48-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 氮杂螺癸烷衍生物
• 英文名称: 2,2,8,8,10,10-hexamethyl-1,9-diazaspiro[5.5]undecane-4-one
• 英文别名: 1,9-Diaza-2,2,8,8,10,10-hexamethyl-spiro<5,5>undecan-4-on；1,9-Diaza-2,2,8,8,10,10-hexamethyl-4-oxospiro<5.5>undecan；1,9-Diaza-4-oxo-2,2,8,8,10,10-hexamethylspiro<5,5>undecan；2,2,8,8,10,10-hexamethyl-1,9-diaza-spiro[5.5]undecan-4-one；2,2,8,8,10,10-Hexamethyl-1,9-diazaspiro[5.5]undecan-4-one
• CAS: 22280-48-4
• 化学式: C₁₅H₂₈N₂O
• 分子量: 252.4
• InChiKey: CDUVJSLGKZWERD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.93
• 拓扑面积：
  41.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2,8,8,10,10-hexamethyl-1,9-diazaspiro[5.5]undecane-4-one 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 4.0h， 以93%的产率得到2,2,8,8,10,10-hexamethyl-1,9-diazaspiro[5.5]undecan-4-ol
  参考文献：
  名称：

  氮氧化物双自由基在苯乙烯受控自由基聚合中的独特行为

  摘要：

  检查了具有相同反应性的两个自由基位点的各种联氮氧化物在苯乙烯的受控自由基聚合中作为介体的作用，并在130°C下确定了所涉及反应的速率常数。在聚合反应的早期阶段观察到受控自由基聚合反应的典型特征，导致形成了在核心处含有二氧化氮的双臂大分子。然而，在较高的转化率下，连续的分解反应导致两臂大分子断裂成具有不饱和端基的死链和被改性的二氧化氮封端的活性链。后者具有通过转化为羟胺而失活的游离氮氧化物位点。该副反应的程度比经典的氮氧化物介导的苯乙烯受控自由基聚合要大得多。此功能已分配给增长链的结构。当它们在核心处包含二氧化氮时，活化反应产生一条传播链和一条氮氧化物，另一条聚合物链通过第二个烷氧基胺键保持与氮氧化物的连接。因此，通过氮氧化物使传播的自由基失活是两个大分子物质之间的双分子过程。这种独特的情况对烷氧基胺均解离的速率常数没有显着影响，但更重要的是降低了重组速率常数。后者比TEMPO与聚苯乙烯基在

  DOI：

  10.1021/ma0116856

文献信息

• POLISHING COMPOSITE FOR USE IN LSI MANUFACTURE AND METHOD OF MANUFACTURING LSI
  申请人：SHOWA DENKO K.K.

  公开号：EP1193745A1

  公开（公告）日：2002-04-03

  A polishing composition for an LSI device, comprising water, abrasive particles, an organic acid and an oxidizing agent and having the pH adjusted to 5.5-9.0 with an alkali substance, for the purpose of increasing the polishing rate for Ta and TaN during polishing of a Ta or TaN barrier metal (4) and a copper wiring layer (6), to prevent dishing and erosion. A manufacturing process for an LSI device using the polishing composition for polishing of a copper-based metal wiring layer (6) having copper (5a, 5b, 6) deposited on an insulating film (2) by way of a barrier metal (4) composed of Ta or TaN.

  一种用于 LSI 器件的抛光组合物，由水、研磨颗粒、有机酸和氧化剂组成，并用碱物质将 pH 值调节至 5.5-9.0，用于在 Ta 或 TaN 阻挡金属 (4) 和铜布线层 (6) 的抛光过程中提高 Ta 和 TaN 的抛光率，以防止剥离和侵蚀。一种 LSI 设备的制造工艺，使用该抛光组合物抛光铜基金属布线层 (6)，该铜基金属布线层 (6) 通过由 Ta 或 TaN 组成的阻挡金属 (4) 沉积在绝缘膜 (2) 上。
• LSI device polishing composition and method for reproducing LSI device
  申请人：——

  公开号：US20020017064A1

  公开（公告）日：2002-02-14

  The present invention provides an LSI device polishing composition containing water, abrasive grains, an organic acid, and an oxidizing agent, and having a pH of 5.5-10.0 adjusted by an alkaline substance, the LSI device polishing composition being used for polishing a copper-containing metal wiring layer in which copper is deposited on an insulating film via barrier metal formed of Ta or TaN; and a method for producing LSI devices by use of the polishing composition. During polishing of a barrier metal such as Ta or TaN and a copper wiring layer, the rate of polishing Ta or TaN can be enhanced, to thereby prevent dishing and erosion.

  本发明提供了一种 LSI 器件抛光组合物，该组合物含有水、磨粒、有机酸和氧化剂，并通过碱性物质调节 pH 值为 5.5-10.0，该 LSI 器件抛光组合物用于抛光含铜金属布线层，其中铜通过由 Ta 或 TaN 形成的阻挡金属沉积在绝缘膜上；本发明还提供了一种通过使用该抛光组合物生产 LSI 器件的方法。在Ta或TaN等阻挡层金属和铜布线层的抛光过程中，可以提高Ta或TaN的抛光速度，从而防止剥离和侵蚀。
• LSI device polishing composition and method for producing LSI device
  申请人：SHOWA DENKO K.K.

  公开号：US20030153188A1

  公开（公告）日：2003-08-14

  The present invention provides an LSI device polishing composition containing water, abrasive grains, an organic acid, and an oxidizing agent, and having a pH of 5.5-10.0 adjusted by an alkaline substance, the LSI device polishing composition being used for polishing a copper-containing metal wiring layer in which copper is deposited on an insulating film via barrier metal formed of Ta or TaN; and a method for producing LSI devices by use of the polishing composition. During polishing of a barrier metal such as Ta or TaN and a copper wiring layer, the rate of polishing Ta or TaN can be enhanced, to thereby prevent dishing and erosion.

  本发明提供了一种 LSI 器件抛光组合物，该组合物含有水、磨粒、有机酸和氧化剂，并通过碱性物质调节 pH 值为 5.5-10.0，该 LSI 器件抛光组合物用于抛光含铜金属布线层，其中铜通过由 Ta 或 TaN 形成的阻挡金属沉积在绝缘膜上；本发明还提供了一种通过使用该抛光组合物生产 LSI 器件的方法。在Ta或TaN等阻挡层金属和铜布线层的抛光过程中，可以提高Ta或TaN的抛光速度，从而防止剥离和侵蚀。
• US6547843B2
  申请人：——

  公开号：US6547843B2

  公开（公告）日：2003-04-15
• US6844263B2
  申请人：——

  公开号：US6844263B2

  公开（公告）日：2005-01-18