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hexafluorodisilthiane | 41066-09-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
hexafluorodisilthiane
英文别名
Hexafluorodisilathiane;trifluoro(trifluorosilylsulfanyl)silane
hexafluorodisilthiane化学式
CAS
41066-09-5
化学式
F6SSi2
mdl
——
分子量
202.227
InChiKey
IDVBDTDEZCOVTJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
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  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 密度:
    1.378±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.41
  • 重原子数:
    9
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    25.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    7

SDS

SDS:c140aa22ebf16f35ee32d630b6281e1c
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反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    hexafluorodisilthiane溴化氘 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    F3SiSH 和 (F3Si)2S:通过明确综合解决的冲突观察
    摘要:
    液态 F3SiI 与红色 HgS 之间的反应主要产生二甲硅烷基硫烷 (F3Si)2S,以及少量迄今未知的 (F3SiS)2SiF2。这些氟甲硅烷基硫烷具有不同的热稳定性。(F3Si)2S 是 F3Si 衍生物的通用前体,在环境温度下它是稳定的,而 (F3SiS)2SiF2 分解迅速。F3SiSH 与 F3SiBr 一起是通过在液相中用 HBr 选择性裂解 (F3Si)2S 中的一个 Si-S 键而获得的,并且首次得到明确表征。与之前的报道相反,当 SiF4 在石英管中以 1298 K 温度通过 SiS2 时,会形成 (F3Si)2O 而不是 (F2SiS)2。(F3Si)2S、F3SiSH 及其氘代衍生物 F3SiSD 的拉曼光谱和红外光谱已被测量并分配给振动基础。已记录多核核磁共振谱。F3SiSH 和 (F3Si)2S: Klarung widespruchlicher Beobachtungen
    DOI:
    10.1002/1521-3749(200106)627:6<1217::aid-zaac1217>3.0.co;2-b
  • 作为产物:
    描述:
    mercury sulfidetrifluoro-iodo-silane 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 hexafluorodisilthiane 、 silicon tetrafluoride
    参考文献:
    名称:
    二氟硅烷硫酮 F2Si=S 通过 (F3Si)2S 的快速真空热解和 SiS 与 F2 的反应——基质研究和从头算计算
    摘要:
    二氟硅烷硫酮 F2Si=S (1) 已通过 (F3Si)2S 在 ≥ 500 °C 下的快速真空热解合成并被困在 Ar 基质中。此外,通过 SiS 和 F2/Ar 的共沉积以及在低温条件下热解基质分离的 SiS2-XeF2 复合物,已经获得了 1。在矩阵红外光谱中观察到 1 的所有六个振动基础。已经使用大型基组在 MP2 和 CCSD(T) 级别进行了从头算计算。这些计算指导了 1 的检测和振动分配。具有 C2v 对称性的 1 结构的最佳估计是:r(Si=S) 191.1(1) pm, r(SiF) 156.1(1) pm, ki(FSiF) 103.3(2)°。
    DOI:
    10.1002/(sici)1099-0682(199911)1999:11<2013::aid-ejic2013>3.0.co;2-k
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