difluorosilylene | 13966-66-0

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 英文名称: difluorosilylene
• CAS: 13966-66-0
• 化学式: F₂Si
• 分子量: 66.0823
• InChiKey: MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.46
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  difluorosilylene 在 一氧化碳 作用下， 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Silicon-Fluorine Chemistry. III. Infrared Studies of SiF₂ and Its Reactions in Low-Temperature Matrices

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ic50039a007
• 作为产物：
  描述：

  六氟乙硅烷 以 gas 为溶剂， 生成 difluorosilylene
  参考文献：
  名称：

  的SiF的形成2中的硅的红外多分解2 ˚F 6和SIF的反应2被Br 2，NO 2和C 2 H ^ 4

  摘要：

  通过时间分辨红外二极管激光光谱研究了Si 2 F 6的红外多光子分解。发现在基态振动状态下会直接形成SiF 2（X̃ 1 A 1），而在振动状态下会间接形成SiF 2（X̃ 1 A 1）。还观察到SiF 4与SiF 2同时形成，表明发生优先于Si 3 Si键断裂的1，2-氟移位。发现SiF 2在H 2中的振动弛豫比在N 2中快约二十倍。由于共振振动-旋转能量传递。确定SiF 2与Br 2，NO 2和C 2 H 4的反应速率常数为（7.6±1.0）×10 -13，（5.8±0.9）×10 -13和<1×10 -15 cm在室温下分别为3个分子-1 s -1。

  DOI：

  10.1016/0009-2614(94)01384-8
• 作为试剂：
  描述：

  三甲基硅烷 在 difluorosilylene 作用下， 生成 1,1,1-trifluoro-2,2,2-trimethyldisilane
  参考文献：
  名称：

  Thompson,J.C.; Wright,A.P.G., Canadian Journal of Chemistry, 1979, vol. 57, p. 994 - 998

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Silicon-fluorine chemistry-XVI the reaction of silicon difluoride with trifluoroacetyl chloride
  作者：F.D. Catrett、J.L. Margrave

  DOI：10.1016/0022-1902(73)80180-0

  日期：1973.4

  An investigation of low-temperature reactions between silicon difluoride and trifluoroacetyl chloride has been made. A volatile product was isolated and characterized by mass spectrometry, i.r. and 19F NMR spectroscopy, as well as by quantitative analysis. The product is 2,2,3,3,6,6,7,7,-octafluoro-2,3,6,7-tetra sila-4,8-dioxa-1,5-dichloro-, 1,5-bis-trifluoro-methyl-cyclo-octane.

  已经研究了二氟化硅和三氟乙酰氯之间的低温反应。分离出挥发性产物，并通过质谱，ir和19 F NMR光谱以及定量分析对其进行表征。产物是2,2,3,3,6,6,7,7，八氟-2,3,6,7-四硅氧-4,8-​​二氧杂-1,5-二氯-，1,5-双三氟甲基-环辛烷。
• A study of the reactions of chlorine and fluorine atoms with SiH2Cl2 and SiHCl3, with ultraviolet photoelectron spectroscopy
  作者：J.M. Dyke、E.P.F. Lee、A. Morris、L. Nyulászi

  DOI：10.1016/0368-2048(93)01836-4

  日期：1993.12

  SiCl4 are found to be stable products of the Cl + SiHCl3 reaction, and HCl, SiCl2 and SiCl4 are products of the Cl + SiH2Cl2 reaction sequence. Similar studies have been made for the F + SiH2Cl2 and F + SiHCl3 reactions. F + SiH2Cl2 is notable in that it produces SiF2, SiFCl, and SiCl2 as secondary reaction products. The assignment of a reaction product band at (10.57 ± 0.01) eV vertical ionization energy

  摘要 用紫外光电子能谱研究了 Cl + SiHCl3 和 Cl + SiH2Cl2 反应，并观察到了与主要反应产物 SiCl3 和 SiHCl2 相关的谱带。SiCl3 和 SiHCl2 的第一垂直电离能分别测量为 (9.24 ± 0.03) 和 (9.06 ± 0.02) eV。相应的波段起始值为 (8.45 ± 0.05) 和 (8.40 ± 0.05) eV。根据在 6-31G**/MP2 水平上从头算分子轨道计算的结果，提供了证据表明实验带起始点是绝热电离能的上限。对于每个自由基，通过将计算的垂直电离能与测量值进行比较，计算出的绝热电离能已被校正，以产生对实验绝热电离能的估计。使用这个程序，SiCl3 和 SiHCl2 的绝热电离能分别评估为 (8.05 ± 0.10) 和 (7.90 ± 0.10) eV。发现 HCl 和 SiCl4 是 Cl + SiHCl3 反应的稳定产物，而
• F3SiSH and (F3Si)2S: Conflicting Observations Resolved by Unambiguous Syntheses
  作者：Helmut Beckers、Hans Bürger

  DOI：10.1002/1521-3749(200106)627:6<1217::aid-zaac1217>3.0.co;2-b

  日期：2001.6

  (F3SiS)2SiF2. Diese Fluorsilylsulfane haben eine bemerkenswert unterschiedliche thermische Stabilitat. Wahrend sich (F3SiS)2SiF2 bereits bei Raumtemperatur zersetzt, ist das bei dieser Temperatur stabile (F3Si)2S eine vielseitige Ausgangsverbindung zur Synthese von F3Si-Derivaten. Das Silylsulfan F3SiSH konnte neben F3SiBr durch selektive Spaltung einer SiS-Bindung von flussigem (F3Si)2S mit HBr in reiner

  液态 F3SiI 与红色 HgS 之间的反应主要产生二甲硅烷基硫烷 (F3Si)2S，以及少量迄今未知的 (F3SiS)2SiF2。这些氟甲硅烷基硫烷具有不同的热稳定性。(F3Si)2S 是 F3Si 衍生物的通用前体，在环境温度下它是稳定的，而 (F3SiS)2SiF2 分解迅速。F3SiSH 与 F3SiBr 一起是通过在液相中用 HBr 选择性裂解 (F3Si)2S 中的一个 Si-S 键而获得的，并且首次得到明确表征。与之前的报道相反，当 SiF4 在石英管中以 1298 K 温度通过 SiS2 时，会形成 (F3Si)2O 而不是 (F2SiS)2。(F3Si)2S、F3SiSH 及其氘代衍生物 F3SiSD 的拉曼光谱和红外光谱已被测量并分配给振动基础。已记录多核核磁共振谱。F3SiSH 和 (F3Si)2S： Klarung widespruchlicher Beobachtungen
• The adsorption and reaction of fluorine on the Si(100) surface
  作者：J.R. Engstrom、Mark M. Nelson、Thomas Engel

  DOI：10.1016/0039-6028(89)90271-9

  日期：1989.5

  Abstract The adsorption and reaction of both molecular and atomic flourine with the Si(100) surface has been examined under ultraligh vacuum conditions with supersonic molecular beam techniques, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), quadrupole mass spectrometry and low-energy ion scattering spectroscopy. Molecular flourine adsorbs dissociatively on the clean Si(100) surface with an initial (zero-coverage)

  摘要 在超低真空条件下，使用超音速分子束技术、X 射线光电子能谱 (XPS)、四极杆质谱和低能离子散射光谱研究了分子和原子氟与 Si(100) 表面的吸附和反应。 . 分子氟以 0.46±0.02 的初始（零覆盖）吸附概率以解离方式吸附在清洁的 Si(100) 表面上，这基本上与入射束能量 (< E tr =105−19 kcal mol - 1 ) 和表面温度 ( T s =120–600 K)。F 2 的覆盖率-暴露关系的特征在于吸附的初始快速阶段，在 θ F ≅1.5 单层 (ML) 的覆盖率下饱和，然后是一个慢得多的吸附阶段，即使在 600 ML 的暴露下也不会饱和。对于 300 K 及以上的底物温度，吸附的快速阶段由二级朗缪尔动力学很好地描述。然而，低于 300 K，在化学吸附的吸附层上陷入移动（分子）外在前体状态变得很重要，这导致吸附概率几乎与 120 K 的覆盖率无关。 原子氟的吸附与分子氟有质的不同
• Kinetics of SiF(X²Π_r) by time-resolved molecular resonance absorption spectroscopy following the reaction of Si(3³P_J, 3¹D₂, 3¹S₀), generated by pulsed irradiation, with fluorinated compounds
  作者：David R. Harding、David Husain

  DOI：10.1039/f29868200937

  日期：——

  SiF4 and SF6 was in accord with previously reported rate data for the removal of Si(3 3PJ), Si(3 1D2) and Si(3 1S0). The decay components of the SiF(X2Πr) derived from the profiles yielded the following absolute second-order rate constants for reaction with RF: [graphic omitted] F-atom abstraction being highly exothermic in all cases and demonstrating similar reactivity to atomic silicon itself. We

  我们提出的SiF的接地端和第一激发态的调查（X 2 Π ř和阿2 Σ +）导致的绝对二阶速率常数，该分子在第一测量。的SiF（X 2 Π - [R ）中的溶液由Si（3反应生成3 P Ĵ，3 1 d 2，3 1 š 0）与所述类型的RF的分子，通过的SiCl的重复脉冲照射而产生的4中的存在慢流量系统中过量的氦缓冲气体。的SiF（X 2 Π ř）通过时间分辨分子共振吸收在λ= 436.8处监测[的SiF（A 2 Σ +）â†的SiF（X 2 Π - [R ），（0,0）]使用的信号平均技术。从在F 2，SiF 4和SF 6存在下测得的吸收曲线得出的SiF的生长与先前报道的去除Si（3 3 P J），Si（3 1 D 2）和Si（3）的速率数据一致。Si（3 1 S 0）。所述的SiF（衰减组件X 2 Π ř由分布图得出的）可产生以下与RF反应的绝对二阶速率常数：[图省略] F原子抽象在所有情