cadmium-mercury-telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: cadmium-mercury-telluride
• 英文别名: mercury cadmium telluride
• 化学式: CdHgTe
• 分子量: 440.6
• InChiKey: RVJMVKUJJVSFHI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  sodiumsulfide nonahydrate 、 cadmium-mercury-telluride 、 sulfur 在 sodium hydroxide 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 cadmium(II) sulphide
  参考文献：
  名称：

  碲化镉汞阳极硫化物薄膜的水溶液电化学生长

  摘要：

  我们在这里首次展示了无氧化物阳极硫化物层可以从电解水溶液中在 HgCdTe 上生长。先前的工作表明，从非水溶液中生长的阳极硫化物薄膜具有作为 HgCdTe 钝化层的巨大潜力。在这项工作中，俄歇电子能谱深度剖面用于表明即使使用水性生长电解质，在 HgCdTe/CdS 界面上也很少或没有氧化物残留。金属-绝缘体-半导体结构的电容-电压数据表明，含水硫化物薄膜的温度稳定性可能优于由非水电解质生长的薄膜。

  DOI：

  10.1063/1.101135
• 作为产物：
  描述：

  mercury(II) telluride 、 cadmium telluride 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 cadmium-mercury-telluride
  参考文献：
  名称：

  Hg1−xCdxTe 薄膜的电离簇束沉积及其光学性质

  摘要：

  使用离子簇束 (ICB) 技术在 GaAs(100) 衬底上制备了具有小浓度 Cd 和窄带隙的 Hg1-x Cdx Te 薄膜。对于以 CdTe 或 HgTe 作为源材料的电离团簇，通过调整团簇离子的加速电压，可以将带隙控制在 0.2 到 0.3 eV 之间。发现团簇离子的动能和离子电荷对薄膜的组成和光学性能有很大影响。

  DOI：

  10.1063/1.101047

文献信息

• High quality planar HgCdTe photodiodes fabricated by the organometallic epitaxy (Direct Alloy Growth Process)
  作者：S. K. Ghandhi、K. K. Parat、H. Ehsani、I. B. Bhat

  DOI：10.1063/1.104502

  日期：1991.2.25

  Hg1−xCdxTe, grown by the alloy organometallic vapor phase epitaxy technique, was used in the fabrication of p‐n junction photodiodes. Hg1−xCdxTe layers, capped with a CdTe cap, were grown in a continuous run by the direct alloy growth process. These layers were p type due to column II vacancies, with a concentration of 3–4×1016/cm3. n‐type regions were obtained by selectively annealing the Hg1−xCdxTe

  通过合金有机金属气相外延技术生长的 Hg1-xCdxTe 用于制造 p-n 结光电二极管。Hg1-xCdxTe 层，覆盖有 CdTe 帽，通过直接合金生长过程连续生长。由于第 II 列空位，这些层为 p 型，浓度为 3–4×1016/cm3。在 CdTe 盖层中打开窗口后，通过选择性退火 Hg1-xCdxTe 层获得 n 型区域。因此，垂直 p-n 结二极管以 CdTe 作为结钝化剂形成平面结构。在 77 K 时截止波长为 4.5 μm 的光电二极管具有超过 9×107 Ω cm2 的 R0 A 乘积。
• <i>N</i>‐channel enhancement mode field‐effect transistors in Hg_1−<i>x</i>Cd_<i>x</i>Te grown by organometallic epitaxy (direct alloy growth process)
  作者：I. B. Bhat、K. K. Parat、H. Ehsani、S. K. Ghandhi

  DOI：10.1063/1.106288

  日期：1991.9.23

  N‐channel metal‐insulator semiconductor field‐effect transistors were fabricated in Hg1−xCdxTe layers grown by the organometallic vapor phase epitaxy, using the direct alloy growth technique. As‐grown layers, which were p type due to Group II vacancies, were used as the starting material. Then n‐type source and drain regions were formed using a planar process for selective annealing of the Hg1−xCdxTe

  N沟道金属绝缘体半导体场效应晶体管使用直接合金生长技术在通过有机金属气相外延生长的 Hg1-xCdxTe 层中制造。由于第 II 组空位而形成的 p 型生长层用作起始材料。然后使用平面工艺对 Hg1-xCdxTe 进行选择性退火，形成 n 型源区和漏区。栅极绝缘体由 200 A 的天然阳极硫化物和 2500 A 的热蒸发硫化锌组成。铟用作栅极金属。此处描述了器件制造和特性的详细信息。
• Low‐temperature growth of HgTe and HgCdTe using methylallyltelluride
  作者：S. K. Ghandhi、I. B. Bhat、H. Ehsani、D. Nucciarone、G. Miller

  DOI：10.1063/1.102124

  日期：1989.7.10

  HgTe and HgCdTe (MCT) layers have been grown by organometallic vapor phase epitaxy at low temperature by using methylallyltelluride (MATe), dimethylcadmium (DMCd), and elemental mercury. Use of MATe enabled the growth of layers in the 250–320 °C temperature range, which is 50 °C lower than the growth temperature when diisopropyltelluride is used as the tellurium alkyl, for the same growth rate. The

  使用甲基烯丙基碲化物 (MATe)、二甲基镉 (DMCd) 和元素汞，通过有机金属气相外延在低温下生长 HgTe 和 HgCdTe (MCT) 层。使用 MATe 可以在 250-320°C 的温度范围内生长层，这比使用二异丙基碲化物作为烷基碲时的生长温度低 50°C，且生长速率相同。通过光学显微镜、双晶 X 射线衍射和傅里叶变换红外光谱对这些层进行表征。在 320 °C 下的生长导致 HgTe 和 HgCdTe 层的无特征表面。X 射线衍射的半峰全宽（29 弧秒）非常窄，这证明了在 320°C 下生长的 HgTe 层的高质量，这与本研究中使用的 CdTeZn 衬底相当。
• High quality Hg_1−<i>x</i>Cd_<i>x</i>Te epitaxial layers by the organometallic process
  作者：Sorab K. Ghandhi、Ishwara Bhat

  DOI：10.1063/1.94916

  日期：1984.4.15

  An organometallic process for the epitaxial growth of Hg1−xCdxTe is described in this letter. This process involves the simultaneous pyrolysis of dimethylcadmium and diethyltelluride in mercury vapor at 415 °C, using hydrogen as the carrier gas. It is shown this process results in device quality layers of uniform composition. Layers with x=0.17 exhibited n‐type conduction, with an approximate carrier

  这封信中描述了一种用于外延生长 Hg1-xCdxTe 的有机金属工艺。该过程包括在 415 °C 的汞蒸气中同时热解二甲基镉和二乙基碲化物，使用氢气作为载气。可以看出，该过程产生了组成均匀的器件质量层。x=0.17 的层表现出 n 型传导，载流子浓度近似为 3.8×1015 cm-3，霍尔迁移率在 77 K 时为 2.45×105 cm2/Vs。因此，它们与液体生长的最佳层相当相外延。这封信中还描述了具有异常电特性的 p 型层。简要概述了这些异常特征的原因。
• MAGNETIC, THERMOSENSITIVE, FLUORESCENT MICELLE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
  申请人：Ningxia Medical University

  公开号：US20200147242A1

  公开（公告）日：2020-05-14

  A magnetic, thermosensitive, fluorescent micelle includes a core, a carrier wrapping the core, and a plurality of water-soluble near-infrared CdHgTe quantum dots (QD) disposed on the carrier. The core includes dextran-magnetic layered double hydroxide-fluorouracil (DMF). The carrier includes a tripolymer of poly(N-isopropylacrylamide-co-N,N-dimethylacrylamide)-b-polylactic acid (PLA). N-isopropylacrylamide-co-N,N-dimethylacrylamide of the tripolymer includes a hydrophilic group and a hydrophobic carbon frame. The hydrophilic group is oriented outwards with respect to the and forms a shell. The hydrophobic carbon frame and polylactic acid are restrained to wrap the dextran-magnetic layered double hydroxide-fluorouracil to form the core.

  一种磁性、热敏感、荧光微胶束包括一个核心，包裹核心的载体，以及多个水溶性近红外CdHgTe量子点（QD）分布在载体上。核心包括右旋糖基-磁性层状双氢氧化物-氟尿嘧啶（DMF）。载体包括聚(N-异丙基丙烯酰胺-co-N,N-二甲基丙烯酰胺)-b-聚乳酸（PLA）的三聚物。三聚物的N-异丙基丙烯酰胺-co-N,N-二甲基丙烯酰胺包括一个亲水基团和一个疏水碳骨架。亲水基团朝外并形成一个壳。疏水碳骨架和聚乳酸被限制包裹右旋糖基-磁性层状双氢氧化物-氟尿嘧啶以形成核心。