摘要:
摘要 镧系元素(Ln)掺杂的YBO3荧光粉被认为是真空紫外(VUV)材料,因为O2+→Ln3+电荷转移带(CTB)位于深紫外(DUV)区域(100-280 nm)。如果 Ln 掺杂 YBO3 在近紫外 (NUV) 区域(例如 350-420 nm)中被激发,则它们的应用将进一步扩展。通过混合碳点 (CDs) 和 YBO3:Eu3+,成功制造了 CDs@YBO3:Eu3+ 复合材料,并表现出宽的激发带,最强峰值在 370 nm 附近,与电流的发射波长(350-420 nm)相匹配主流LED芯片。此外,与 YBO3:Eu3+ 相比,复合材料的光致发光 (PL) 强度显着增加,这可能归因于 CD 和 Eu3+ 之间的荧光共振能量转移 (FRET)。值得注意的是,复合材料的 PL 光谱主要由两部分组成:蓝光和红光发射,分别来自 CDs 和 Eu3+ 离子的发射。因此,我们相信 CDs@YBO3:Eu3+