chromium diboride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: chromium diboride
• 英文别名: chromium boride；borane;chromium
• 化学式: B₂Cr
• 分子量: 73.618
• InChiKey: NQCUUXXNUDIUHA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.37
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  chromium diboride 、 氨 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 dichromium nitride
  参考文献：
  名称：

  Kiessling, R.; Liu, Y. H., Journal of Metals, 1951, vol. 191, p. 639 - 642

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  bis(octahydrotriborato)chromium(II) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 chromium diboride
  参考文献：
  名称：

  A New Class of CVD Precursors to Metal Borides:  Cr(B₃H₈)₂ and Related Octahydrotriborate Complexes

  摘要：

  Treatment of CrCl3 with sodium octahydrotriborate, NaB3H8, affords a thermally unstable purple liquid thought to be a chromium(III) hydride of stoichiometry CrH(B3H8)2. This hydride converts rapidly at room temperature to the chromium(II) complex Cr(B3H8)2, which adopts a square-planar structure in which four hydrogen atoms form the coordination sphere of the chromium atom. This chromium(II) species forms six-coordinate Lewis base adducts Cr(B3H8)2L2, where L is Et2O, thf, or PMe3; the first two of these adopt trans geometries, whereas the latter is cis. Volatile Cr(B3H8)2 is the first homoleptic transition metal complex of the octahydrotriborate anion, and it readily forms CrB2 thin films by CVD at 250 degrees C.

  DOI：

  10.1021/ja046906c

文献信息

• Topotactic BI₃-assisted borodization: synthesis and electrocatalysis applications of transition metal borides
  作者：Katherine E. Woo、Seongyoung Kong、Wei Chen、Tsz Hin Chang、Gayatri Viswanathan、Aida M. Díez、Viviana Sousa、Yury V. Kolen'ko、Oleg I. Lebedev、Marta Costa Figueiredo、Kirill Kovnir

  DOI：10.1039/d2ta04266e

  日期：——

  synthesizing transition metal borides has been developed by reaction of boron triiodide (BI3) with elemental transition metals. This method employs relatively low synthesis temperatures to afford single-phase samples of various binary and ternary metal borides, such as Fe2B, Co2B, Ni3B, TiB2, VB2, CrB2, and Ni2CoB. This synthesis protocol can be utilized for the topotactic transformation of metal shapes

  通过三碘化硼 (BI 3 ) 与元素过渡金属的反应，开发了一种合成过渡金属硼化物的简便通用途径。该方法采用相对较低的合成温度来提供各种二元和三元金属硼化物的单相样品，例如 Fe 2 B、Co 2 B、Ni 3 B、TiB 2、VB 2、CrB 2和 Ni 2 CoB。该合成方案可用于将金属形状拓扑转变为各自的硼化物，例如将泡沫镍转变为镍3 B 泡沫。Ni-BI的原位粉末X射线衍射研究图3系统表明，结晶硼化物 Ni 4 B 3和 Ni 2 B 分别在低至 700 K 和 877 K 的温度下开始形成，这明显低于生产这些硼化物所需的典型合成温度。通过该方法合成的Ni 3 B 作为酸性介质中析氧反应（OER）的支撑材料进行了测试。仅含 50% IrO 2的 IrO 2 /Ni 3 B复合电催化剂在质量负载低于 0.5 mg cm -2时表现出与纯 IrO 2相似的电流密度和稳定性，表明 Ni 3B
• Electronic structure and magnetic properties of transition metal diborides
  作者：G.E. Grechnev、A.V. Fedorchenko、A.V. Logosha、A.S. Panfilov、I.V. Svechkarev、V.B. Filippov、A.B. Lyashchenko、A.V. Evdokimova

  DOI：10.1016/j.jallcom.2009.03.123

  日期：2009.7

  χ varies strongly and nonmonotonously with the filling of the hybridized d -band, being almost temperature independent and the largest for the diborides of group 4 metals. Ab initio calculations of the electronic structure and susceptibility of the diborides provide evidence that magnetic anisotropy originates from competing Van Vleck paramagnetism and the orbital diamagnetism of conduction electrons

  摘要 在 4.2 温度范围内测量了六方单晶 TB 2 化合物（ T = Sc 、Ti、 Zr、Hf、V 和 Cr）的磁化率 χ 及其各向异性 Δ χ = χ ‖ - χ ⊥ 的温度依赖性。 –300 K。发现随着杂化 d 带的填充，Δ χ 变化强烈且非单调，几乎与温度无关，并且对于第 4 族金属的二硼化物而言最大。二硼化物的电子结构和磁化率的从头算计算提供了证据，证明磁各向异性源于竞争的范弗莱克顺磁性和传导电子的轨道抗磁性。
• Experimental and Theoretical Investigations of Out-of-Plane Ordered Nanolaminate Transition Metal Borides: M₄CrSiB₂ (M = Mo, W, Nb)
  作者：Joseph Halim、Pernilla Helmer、Justinas Palisaitis、Martin Dahlqvist、Jimmy Thörnberg、Per O. Å. Persson、Johanna Rosen

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.2c03729

  日期：——

  also include Cr. The crystal structure and chemical ordering of the produced materials were investigated using high-resolution scanning transmission electron microscopy and X-ray diffraction by applying Rietveld refinement. Additionally, calculations based on density functional theory were performed to investigate the Cr preference for occupying the minority 4c Wyckoff site, thereby inducing chemical

  我们报告了化学式为 M 4 CrSiB 2 (M = Mo, W, Nb)的三种平面外化学有序季过渡金属硼化物（o -MAB 相）的合成。将这些相添加到最近发现的o -MAB 相 Ti 4 MoSiB 2表明这确实是一个新的化学有序原子层压板家族。此外，我们的结果扩展了传统 M 5 SiB 2可实现的化学性质MAB 阶段还包括 Cr。通过应用 Rietveld 精修，使用高分辨率扫描透射电子显微镜和 X 射线衍射研究了所生产材料的晶体结构和化学排序。此外，还进行了基于密度泛函理论的计算，以研究 Cr 对占据少数 4 c Wyckoff 位点的偏好，从而诱导化学顺序。
• Preparation and crystal structure of chromium silicon selenide containing a B12 icosahedron with a tunnel structure
  作者：Masato Sugimori、Hiroshi Fukuoka、Hideo Imoto、Taro Saito

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)00407-1

  日期：2000.10

  Chromium silicon boron selenide has been prepared by the reaction of chromium diboride and selenium in an evacuated silica tube at a high temperature. The compound is obtained as single crystals in a low yield. The X-ray studies have shown that the structure consists of the three-dimensional framework with a large tunnel and the filling component in the tunnels. The former is made of Si coordinated

  硒化铬硅硼是通过在真空的石英管中使二硼化铬与硒反应而制得的。该化合物以单晶形式以低收率获得。X射线研究表明，该结构由三维结构组成，具有大型隧道和隧道中的填充成分。前者由四个硅原子配位的Si，六个硒原子配位的铬原子和B 12二十面体组成。填充组分具有很强的无序结构，估计是B 2 Se 3的链。填充成分的职业因素分析表明，该化合物的成分为CrSi 3（B 12）Se 12 ·（B 2 Se 3）1.33。
• Thermal expansion studies on the group IV–VII transition metal diborides
  作者：Bertil Lönnberg

  DOI：10.1016/0022-5088(88)90219-6

  日期：1988.7