tantalum diselenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: tantalum diselenide
• 英文别名: tantalum selenide
• 化学式: Se₂Ta
• 分子量: 338.868
• InChiKey: MDFBMKHBKFKIEV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.83
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tantalum diselenide 在 pyridine 作用下， 生成
  参考文献：
  名称：

  Superconductivity in Layered Structure Organometallic Crystals

  摘要：

  Superconductivity persists in several, layered, transition metal dichalcogenide superconductors when the layers are spread apart to accommodate organic molecules between them. These materials are of interest not only because of their two-dimensional character but also because they may provide a means for examining hypotheses regarding organic molecules and superconductivity.

  DOI：

  10.1126/science.168.3931.568
• 作为产物：
  描述：

  tantalum triselenide 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 tantalum diselenide
  参考文献：
  名称：

  铌和钽的硒化物系统

  摘要：

  在高压下以MX 2至MX 3的组成范围研究了铌和钽的硒化物系统。在铌系统中获得了两个不同的相NbSe 2和NbSe 3。在钽体系中，存在三个相，TaSe 2，被认为是三硒化物的“ TaSe 3 ”和化学计量的TaSe 3。“ TaSe 3 ”中的比例为2.8。观察到三硒化物在高压下的起始组成转变为NbSe 2或TaSe 2，而在室温下转变为“ TaSe 3 ”。。

  DOI：

  10.1016/0022-4596(82)90152-9

文献信息

• Chemischer Transport fester Lösungen, 25 [1]. Untersuchungen zur Mischphasenbildung und zum chemischen Transport in den Systemen TiS₂/MoS₂, TiSe₂/MoSe₂, TaS₂/MoS₂ und TaSe₂/MoSe₂ / Chemical Vapour Transport of Solid Solutions, 25 [1]. Formation of Mixed Phases and Chemical Vapour Transport in the Systems TiS₂/MoS₂, TiSe₂/MoSe₂, TaS₂/MoS₂ and TaSe₂/MoSe₂
  作者：U. Hotje、innewies

  DOI：10.1515/znb-2005-1204

  日期：2005.12.1

  X-ray investigations have shown a complete miscibility in the systems TaS₂/MoS₂ and TaSe₂/ MoSe₂. In these systems mixed crystals could be obtained by chemical vapour transport with iodine as transport agent in the temperature gradient 1000→800 °C. By contrast, no mixed crystals are formed in the systems TiS₂/MoS₂ and TiSe₂/MoSe₂. The transport behaviour in these systems is reported.

  X射线研究表明，TaS₂/MoS₂和TaSe₂/MoSe₂系统中存在完全混溶性。在这些系统中，可通过化学气相输运（以碘为传输剂）在温度梯度1000→800°C下获得混合晶体。相比之下，在TiS₂/MoS₂和TiSe₂/MoSe₂系统中不会形成混合晶体。报道了这些系统的输运行为。
• Single-Crystal Electrical Resistivities of Some Ta-Rich Chalcogenides
  作者：Kyungsoo Ahn、Timothy Hughbanks

  DOI：10.1006/jssc.1993.1057

  日期：1993.2

  Vapor phase transport synthesis of several Ta-rich chalcogenides affords us good single crystals for four-probe measurements of their electrical resistivities. A comparison of the temperature dependent resistivities of Ta2S and Ta3S2 show that the latter compound is a considerably poorer conductor for all temperatures from 15 to 270 K, as predicted in our earlier band structure study of these materials

  几种富含Ta的硫属元素化物的汽相输运合成为我们的电阻率的四探针测量提供了良好的单晶。Ta的温度依赖性的电阻率的比较2 S和钽3 š 2表明，后一化合物是从15至270ķ所有温度下具有相当差的导体，如在这些材料中的我们较早的带结构研究预测，并与一致最近野崎和他的同事的工作。在两种情况下，沿平行于所述方向测量电阻率1 X [钽5的Ta]为用作这些材料的基本结构构建块链。化合物的Ta 9中号2小号6（中号=铁，钴，镍）示出在相同的温度范围内的正常的金属特性。通向的加倍的失真Ç轴为Fe和Co含有化合物长度似乎对状态中的任一材料中的费米能级的电子密度没有显著效果。与此相反，化合物的Ta 11中号2硒8（中号=铁，钴，镍）表现显着不同的电阻率作为温度的函数。虽然钽11的Fe 2硒8和Ta 11的Ni 2硒8的行为类似于结构相似的Ta 9中号2小号6种化合物，Ta的电阻11共2硒8示出了好奇弱温度依赖性和测量（15
• Preparation and properties of the single crystalline AB2-type selenides and tellurides of niobium, tantalum, molybdenum and tungsten
  作者：L.H. Brixner

  DOI：10.1016/0022-1902(62)80178-x

  日期：1962.3

  The AB2-type selenides and tellurides of niobium, tantalum, molybdenum and tungsten have been prepared in single crystalline form by means of transport reactions. Lattice parameters were determined on the basis of single crystal patterns and are given for the eight compounds. Pertinent thermoelectric parameters, such as electrical resistivity, Seebeck coefficient and thermal conductivity were measured

  铌，钽，钼和钨的AB 2型硒化物和碲化物已经通过传输反应以单晶形式制备。晶格参数是根据单晶图案确定的，并给出了八种化合物的晶格参数。在压实的多晶骨料上测量了相关的热电参数，例如电阻率，塞贝克系数和热导率，并与计算出的“品质因数”一起给出。
• Some new superconducting group Va dichalcogenides
  作者：M.H. Van Maaren、G.M. Schaeffer

  DOI：10.1016/0375-9601(67)91005-5

  日期：1967.6

  Abstract Group Va dichalcogenides were investigated for superconductivity down to 0.05°K. The following new superconducting compounds were found: NbTe2, TaS2 and TaSe2, with maximum transition temperature of 0.74, 2.10 and 0.22 °K, respectively. No superconductivity was found in TaTe2 and in the non-stoichiometric compounds VSe2 and VTe2.

  摘要 研究了低至 0.05°K 的 Va 族二硫属化物的超导性。发现了以下新的超导化合物：NbTe2、TaS2 和 TaSe2，最大转变温度分别为 0.74、2.10 和 0.22 °K。在 TaTe2 和非化学计量化合物 VSe2 和 VTe2 中没有发现超导性。
• Spectroscopic observation of charge-density-wave-induced changes in the electronic structure of 2H-TaSe₂
  作者：B Dardel、M Grioni、D Malterre、P Weibel、Y Baer、F Levy

  DOI：10.1088/0953-8984/5/33/020

  日期：1993.8.16

  The authors have performed a high-energy-resolution photoelectron spectroscopy investigation of the quasi-two-dimensional material 2H-TaSe2. Temperature-dependent constant-binding energy curves reveal that characteristic changes in the electronic density of states occur continuously through the second-order charge-density-wave (CDW) transition at 122 K. The photoelectron spectra indicate that different

  作者对准二维材料 2H-TaSe2 进行了高能量分辨率光电子能谱研究。温度相关的常数结合能曲线表明，通过 122 K 的二阶电荷密度波 (CDW) 跃迁，电子态密度的特征变化连续发生。 光电子谱表明费米表面的不同部分是受 CDW 的影响不均，并表明在布里渊区的 Gamma K 方向形成了能隙。