cobalt-tungsten-phosphorus

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: cobalt-tungsten-phosphorus
• 英文别名: cobalt;phosphane;tungsten
• 化学式: CoPW
• 分子量: 273.817
• InChiKey: MYJPGRACBMSZQW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.05
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  sodium hypophosphite 、 sodium tungstate (VI) dihydrate 、 硫酸钴水合物 在 tri-sodium citrate 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 cobalt-tungsten-phosphorus
  参考文献：
  名称：

  CoWP薄膜的电沉积

  摘要：

  使用伏安法和计时电流法技术对来自柠檬酸盐电解质的 CoWP 膜在铜基板上的电沉积进行电化学表征。伏安法实验表明，来自含有硫酸钴、钨酸钠、次磷酸钠和柠檬酸三钠的电解质中钴、钨和磷的共沉积是通过传质控制下的成核过程发生的。计时电流法研究显示了在铜上 CoWP 电结晶过程中的瞬时成核机制。最后，开发了一个浴槽，CoWP 薄膜在室温下沉积在镀铜的硅晶片上。使用 X 射线光电子能谱的表面分析表明，薄膜含有元素钴、钨、磷、钴的氢氧化物、以及钴和钨的氧化物。扫描电子显微镜和原子力显微镜图像表明，薄膜具有典型的球形结节结构，具有良好的均匀性和致密的覆盖度。

  DOI：

  10.1149/1.2761834

文献信息

• Characterisation of electrodeposited Co–W–P amorphous coatings on carbon steel
  作者：Hyeong Jin Yun、S.M.S.I. Dulal、Chee Burm Shin、Chang-Koo Kim

  DOI：10.1016/j.electacta.2008.07.068

  日期：2008.12

  hardness of the Co–W–P coatings increased with annealing temperature which was possibly due to the formation of these inter-elemental compounds. The corrosion resistance of the Co–W–P coatings increased with increase in annealing temperature which might also be due to the formation of the stoichiometric compounds at elevated temperatures. A comparison between coating characteristics of Co–W–P and chromium

  用伏安法和计时电流法研究了柠檬酸浴中钴，钨和磷的共沉积的电化学和成核机理。发现在扩散控制下发生了该物种的诱导共沉积，并且遵循瞬时成核机理。在含有CoSO 4，Na 2 WO 4和NaH 2 PO 2的柠檬酸盐浴中，将Co-W-P涂层恒电位电沉积在普通碳钢上。涂层的X射线衍射研究表明，沉积后的Co 81 W 10 P 9涂层具有无定形结构。但是，在600°C退火时，观察到一些化学计量的化合物如Co 3 W，Co 2 P和WP 2的形成。Co-W-P涂层的硬度随退火温度的升高而增加，这可能是由于这些元素间化合物的形成所致。Co-W-P涂层的耐蚀性随退火温度的升高而增加，这也可能是由于在高温下形成了化学计量化合物。比较Co–W–P和铬的涂层特性表明，Co–W–P涂层的腐蚀电位比铬涂层高。
• Crystalline and Amorphous Electroless Co-W-P Coatings
  作者：S. Armyanov、E. Valova、A. Franquet、J. Dille、J.-L. Delplancke、A. Hubin、O. Steenhaut、D. Kovacheva、D. Tatchev、Ts. Vassilev

  DOI：10.1149/1.1990124

  日期：——

  Electroless deposition onto polycrystalline (Cu, Au) and amorphous (Ni-P) substrates was applied to prepare Co-W-P coatings of two types: crystalline (hexagonal close packed, hcp), with low phosphorus content about 2.4-2.7 atom %, and amorphous, with P concentration within 7.4-8.3 atom %. Tungsten content varied typically in the narrow range of 2.9-3.7 atom % in both types of coatings. Atomic force

  在多晶（Cu、Au）和非晶（Ni-P）基材上进行化学沉积以制备两种类型的 Co-WP 涂层：结晶（六边形密堆积，hcp），磷含量低约 2.4-2.7 原子％，和无定形，P 浓度在 7.4-8.3 原子％之间。在两种类型的涂层中，钨含量通常在 2.9-3.7 原子％的狭窄范围内变化。原子力显微镜显示它们的形态存在显着差异。多晶 Co-WP 涂层由堆叠板（薄片）的颗粒组成，透射电子显微镜也证实了这一点。非晶薄膜更光滑、均匀。如 X 射线光电子能谱 (XPS) 所示，晶体结构比非晶结构更能促进表面氧化。俄歇电子能谱深度剖面显示氧化，向结晶膜内部平滑减少。无定形涂层仅在表面氧化。然而，根据 XPS 数据，在两种类型的涂层内，所有合金成分都处于非氧化形式。非晶涂层的差示扫描量热法 (DSC) 研究揭示了三个转变峰，归因于亚共晶合金的结晶和 Co 基 hcp 相转变为面心立方。磁性随温度的变化与 DSC
• Electrodeposition of CoWP Film
  作者：S. M. S. I. Dulal、Hyeong Jin Yun、Chee Burm Shin、Chang-Koo Kim

  DOI：10.1149/1.2761834

  日期：——

  chronoamperometric study showed an instantaneous nucleation mechanism during electrocrystallization of CoWP on copper. Finally, a bath was developed from which CoWP thin films were deposited at room temperature on copper-coated silicon wafers. Surface analysis using X-ray photoelectron spectroscopy revealed that the films contained elemental cobalt, tungsten, phosphorus, hydroxide of cobalt, and oxides of cobalt

  使用伏安法和计时电流法技术对来自柠檬酸盐电解质的 CoWP 膜在铜基板上的电沉积进行电化学表征。伏安法实验表明，来自含有硫酸钴、钨酸钠、次磷酸钠和柠檬酸三钠的电解质中钴、钨和磷的共沉积是通过传质控制下的成核过程发生的。计时电流法研究显示了在铜上 CoWP 电结晶过程中的瞬时成核机制。最后，开发了一个浴槽，CoWP 薄膜在室温下沉积在镀铜的硅晶片上。使用 X 射线光电子能谱的表面分析表明，薄膜含有元素钴、钨、磷、钴的氢氧化物、以及钴和钨的氧化物。扫描电子显微镜和原子力显微镜图像表明，薄膜具有典型的球形结节结构，具有良好的均匀性和致密的覆盖度。