氧空位(OVs)已经成为调节过渡金属氧化物(TMOs)的电子结构,电导率和催化性能的重要策略。一些研究报告说,在
氨处理过程中,N掺杂的TMO中可能会形成OV。然而,仍未报道通过
氨处理获得的没有N掺杂的OV富集的TMO,其机理尚不清楚。在这里,我们通过实验和理论研究来证明
氨处理的机理。基于此机制,我们开发了一种简便的方法,无需N掺杂即可合成富含OV的蓝色WO 3 - x多孔纳米棒(OBW
PN)。OBW
PN具有光热还原CO 2 -H 2 O到CH 4的良好性能。没有任何外部助催化剂或牺牲剂。另外,低温
氨辅助还原处理是在其他TMO中产生OV并提高光催化氢生成性能的通用策略。这项工作对于理解
氨处理的性质和促进富含OV的TMO的广泛应用具有重要意义。