三氧化二钐分散体 | 12060-58-1

• 物质功能分类: 无机化工 - 无机盐 - 稀土金属、钇或钪的氧化物
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 中文名称: 三氧化二钐分散体
• 中文别名: 高密度氧化钐；氧化钐；三氧化二钐
• 英文名称: Samarium oxide
• 英文别名: oxygen(2-);samarium(3+)
• CAS: 12060-58-1
• 化学式: O3Sm2
• 分子量: 348.7
• InChiKey: FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  2325 °C
• 密度：
  8.35 g/mL at 25 °C(lit.)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.36
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

ADMET

毒理性

• 副作用

纤维原性 - 引发组织损伤和纤维化（疤痕形成）。

Fibrogenic - Inducing tissue injury and fibrosis (scarring).

来源:Haz-Map, Information on Hazardous Chemicals and Occupational Diseases

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 安全说明：
  S22,S24/25
• WGK Germany：
  2
• 海关编码：
  28469019
• RTECS号：
  VP3153000

制备方法与用途

氧化钐 用途

氧化钐是一种无机金属化合物，可用于制备其他有机材料及催化剂等。

毒性

参见氧化铈产品。

化学性质

氧化钐为白色略带微黄色粉末。它不溶于水但可溶于酸。

主要用途

• 用于制造金属钐、磁性材料及记忆元件。
• 可作红外线吸收的玻璃添加剂和感光材料中的涂料。
• 制备钐钴永磁材料，以及生产金属钐的原料。
• 主要用于制作金属钐、钐钴系永磁材料、电子器件和陶瓷电容器等。
• 用作科研试剂及生化研究的成分。

生产方法

通过萃取法处理独居石或混合稀土矿所得的氯化稀土溶液。具体步骤为：

1. 使用P2O4-煤油-HCl-RCl体系进行萃取，首先分离钕和钐，将钐及其重稀土元素转入有机相。
2. 采用2.0 mol/L HCl进行反萃以去除重稀土。
3. 再用5.0 mol/L HCl进一步反萃重稀土。分组后，中稀土钐钆富集物经锌粉还原、碱度法提取铕后，通过混合稀土分组方法分离钐和钆。
4. 最终将钐溶解，经过草酸沉淀、分离、烘干、灼烧，制得氧化钐。其化学反应方程式为： [ Sm_2(C_2O_4)_3 \rightarrow Sm_2O_3 + 3CO_2 + 3CO ]

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三氧化二钐分散体 、 硝酸 在 Samarium nitrate 作用下， 反应 1.0h， 生成 Samarium nitrate
  参考文献：
  名称：

  Synthetic resin composition and process for producing the same

  摘要：

  提供一种合成树脂组合物，其包括至少一种从氧化物、氢氧化物、无机和/或有机酸盐以及镧系元素的配合物中选择的含镧化合物和乙烯聚合物。该树脂组合物具有高的中子辐射屏蔽能力和优异的光学和机械性能。

  公开号：

  US04563494A1

文献信息

• SEMICONDUCTOR THIN FILM, SEMICONDUCTOR THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
  申请人：Inoue Kazuyoshi

  公开号：US20100127256A1

  公开（公告）日：2010-05-27

  An amorphous oxide thin film containing amorphous oxide is exposed to an oxygen plasma generated by exciting an oxygen-containing gas in high frequency. The oxygen plasma is preferably generated under the condition that applied frequency is 1 kHz or more and 300 MHz or less and pressure is 5 Pa or more. The amorphous oxide thin film is preferably exposed by a sputtering method, ion-plating method, vacuum deposition method, sol-gel method or fine particle application method.

  一种含非晶氧化物的氧化物薄膜暴露在由激发含氧气体的高频氧等离子体中生成的氧等离子体中。最好在施加频率为1 kHz或更高，300 MHz或更低且压力为5 Pa或更高的条件下生成氧等离子体。最好通过溅射法、离子镀膜法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法或细粒子应用法暴露非晶氧化物薄膜。
• Semiconductor thin film, semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor element
  申请人：Inoue Kazuyoshi

  公开号：US08785920B2

  公开（公告）日：2014-07-22

  An amorphous oxide thin film containing amorphous oxide is exposed to an oxygen plasma generated by exciting an oxygen-containing gas in high frequency. The oxygen plasma is preferably generated under the condition that applied frequency is 1 kHz or more and 300 MHz or less and pressure is 5 Pa or more. The amorphous oxide thin film is preferably exposed by a sputtering method, ion-plating method, vacuum deposition method, sol-gel method or fine particle application method.

  一种含有非晶态氧化物的氧化物非晶薄膜，暴露在高频激发氧气含量气体产生的氧等离子体中。最好在施加频率为1 kHz或更高，300 MHz或更低，压力为5 Pa或更高的条件下产生氧等离子体。非晶态氧化物薄膜最好通过溅射法、离子镀法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法或细颗粒应用法进行暴露。
• Synthetic resin composition and process for producing the same
  申请人：Mitsubishi Rayon Co., Ltd.

  公开号：US04563494A1

  公开（公告）日：1986-01-07

  A synthetic resin composition is provided which comprises at least one lanthanoid-containing compound selected from the group consisting of oxides, hydroxides, inorganic and/or organic acid salts and complexes of lanthanoids and a vinyl polymer. The resin composition has a high neutron ray-shielding capacity and excellent optical and mechanical properties.

  提供一种合成树脂组合物，其包括至少一种从氧化物、氢氧化物、无机和/或有机酸盐以及镧系元素的配合物中选择的含镧化合物和乙烯聚合物。该树脂组合物具有高的中子辐射屏蔽能力和优异的光学和机械性能。

表征谱图