palladium germanide | 12592-89-1

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: palladium germanide
• 英文别名: Germane--palladium (1/1)；germane;palladium
• CAS: 12592-89-1
• 化学式: GePd
• 分子量: 179.01
• InChiKey: XFYRVJZANJGTHS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  palladium germanide 、 氢化镱 以 melt 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  YbPdGe 和 YbPtGe 的布里奇曼晶体生长和结构细化——KHg2 型的两种不同超结构

  摘要：

  使用布里奇曼技术从元素合成了等原子锗化物 YbPdGe 和 YbPtGe 的形状良好的单晶。通过 X 射线粉末和单晶衍射研究样品：YbAuSn 型，Imm2，a = 433.4(2)，b = 2050.6(6)，c = 752.6(2) pm，wR2 = 0.0723，1551 F2 值，58 YbPdGe 和 TiNiSi 类型的变量，Pnma，a = 686.32(9)，b = 430.47(9)，c = 751.02(8) pm，wR2 = 0.0543，379 个 F2 值，20 个 YbPtGe 变量。两种锗化物均以 KHg2 类型的不同超结构变体结晶，这是由于褶皱 Pd3Ge3 和 Pt3Ge3 六边形的不同堆叠造成的。虽然在 YbPtGe 的 [PtGe] 聚阴离子网络中仅发生 Pt-Ge 相互作用，但在 YbPdGe 中发生弱层间 Pd-Pd（297 pm）和 Ge-Ge（275

  DOI：

  10.1002/zaac.200800036
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 钯 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 palladium germanide
  参考文献：
  名称：

  大电流Pd离子注入在Ge表面形成的PdGe相的渗流网络

  摘要：

  使用金属蒸气真空电弧 (MEVVA) 离子源，采用高电流 Pd 离子注入技术在 Ge 晶片上合成锗化钯。以 34 kV 的提取电压、17.7 和 53 A 的束流密度以及固定剂量的离子进行注入。发现以17.7的电流密度注入可以直接在Ge表面合成平衡PdGe相，并且形成的锗化物松散地分散在表面上。有趣的是，在以 53 的电流密度注入的情况下，形成的 PdGe 晶粒组织成分形图案，其尺寸接近于 1.90 的渗透阈值，因此薄层电阻率显着降低至 59 。

  DOI：

  10.1088/0953-8984/11/1/004

文献信息

• The Sr-poor part of the Sr–{Pd,Pt}–{Si,Ge} systems: Phase equilibria and crystal structure of ternary phases
  作者：V.V. Romaka、M. Falmbigl、A. Grytsiv、P. Rogl

  DOI：10.1016/j.jallcom.2014.08.159

  日期：2015.1

  their crystal structure was refined from X-ray powder patterns: SrPd 0.3 Si 1.7 (AlB 2 -type) and SrPd 5.9 Si 6.1 (own-type). In the Sr–Pt–Si ternary system a novel compound with AlB 2 -type was discovered (SrPt 0.3 Si 1.7 ), whereas SrPtSi 3 with the BaNiSn 3 -type was confirmed. Two more compounds were detected by EPMA, but their crystal structure remains unknown. In the Sr–Pd,Pt}–Ge systems no new

  摘要 通过电子探针微量分析 (EPMA) 和 X 射线粉末衍射 (XPD) 建立了四种三元体系中贫 Sr 部分的相关系：Sr–Pd,Pt}–Si 在 900 °C 和 Sr– Pd,Pt}-Ge 在 700 °C。在 Sr-Pd-Si 系统中，证实了硅化物 SrPdSi 3 （BaNiSn 3 型）的形成，并发现了一个小的均匀区域。此外，检测到两种新化合物，并从 X 射线粉末图案中精炼了它们的晶体结构：SrPd 0.3 Si 1.7（AlB 2 型）和 SrPd 5.9 Si 6.1（自有型）。在 Sr-Pt-Si 三元体系中，发现了一种具有 AlB 2 型的新型化合物（SrPt 0.3 Si 1.7 ），而具有 BaNiSn 3 型的 SrPtSi 3 得到了证实。EPMA 检测到另外两种化合物，但它们的晶体结构仍然未知。在 Sr-Pd,Pt}-Ge 系统中没有观察到新的化合物，但SrPdGe
• Percolation network of PdGe phase formed on Ge surface by high-current Pd-ion implantation
  作者：K Y Gao、B X Liu

  DOI：10.1088/0953-8984/11/1/004

  日期：1999.1.11

  phase on the Ge surface and that the formed germanide loosely dispersed on the surface. Interesting, in the case of implantation with the current density of 53 , the formed PdGe grains organized themselves in a fractal pattern with a dimension close to the percolation threshold of 1.90, and the sheet resistivity was therefore significantly reduced down to 59 . The formation of the PdGe phase as well as

  使用金属蒸气真空电弧 (MEVVA) 离子源，采用高电流 Pd 离子注入技术在 Ge 晶片上合成锗化钯。以 34 kV 的提取电压、17.7 和 53 A 的束流密度以及固定剂量的离子进行注入。发现以17.7的电流密度注入可以直接在Ge表面合成平衡PdGe相，并且形成的锗化物松散地分散在表面上。有趣的是，在以 53 的电流密度注入的情况下，形成的 PdGe 晶粒组织成分形图案，其尺寸接近于 1.90 的渗透阈值，因此薄层电阻率显着降低至 59 。
• Isothermal cross-section of the Ce–Pd–Ge phase diagram at 600°C
  作者：Yu.D. Seropegin、A.V. Gribanov、O.I. Bodak

  DOI：10.1016/s0925-8388(98)00247-3

  日期：1998.5

  The interaction of the components in the Ce-Pd-Ge system at 600 degrees C was investigated over the whole concentration range by X-ray powder and monocrystal diffraction, metallography, and X-ray microprobe analysis. The formation of the previously reported phases, CePdGe and CePd2Ge2, was confirmed and 15 new ternary compounds were observed. The crystal structures of the compounds Ce2PdCe6, Ce(Pd,Ge)(2), Ce3Pd20Ge6, CePd2Ge, Ce7Pd4Ge2 and CePd5Ge3 were determined. (C) 1998 Elsevier Science S.A.
• Transformation behaviour of the metastable phases in rapidly solidified Pd-Ge alloys
  作者：R. C. Budhani、T. G. Goel、K. L. Chopra

  DOI：10.1007/bf00560646

  日期：1983.2
• Bridgman Crystal Growth and Structure Refinement of YbPdGe and YbPtGe – Two Different Superstructures of the KHg2 Type
  作者：Kenichi Katoh、Birgit Heying、Rolf-Dieter Hoffmann、Ute Ch. Rodewald、Rainer Pöttgen

  DOI：10.1002/zaac.200800036

  日期：2008.7

  F2 values, 20 variables for YbPtGe. Both germanides crystallize with different superstructure variants of the KHg2 type, resulting from different stacking of the puckered Pd3Ge3 and Pt3Ge3 hexagons. While only Pt–Ge interactions occur in the [PtGe] polyanionic network of YbPtGe, weak interlayer Pd–Pd (297 pm) and Ge–Ge (275 pm) interactions occur in YbPdGe. The crystal chemical peculiarities are discussed

  使用布里奇曼技术从元素合成了等原子锗化物 YbPdGe 和 YbPtGe 的形状良好的单晶。通过 X 射线粉末和单晶衍射研究样品：YbAuSn 型，Imm2，a = 433.4(2)，b = 2050.6(6)，c = 752.6(2) pm，wR2 = 0.0723，1551 F2 值，58 YbPdGe 和 TiNiSi 类型的变量，Pnma，a = 686.32(9)，b = 430.47(9)，c = 751.02(8) pm，wR2 = 0.0543，379 个 F2 值，20 个 YbPtGe 变量。两种锗化物均以 KHg2 类型的不同超结构变体结晶，这是由于褶皱 Pd3Ge3 和 Pt3Ge3 六边形的不同堆叠造成的。虽然在 YbPtGe 的 [PtGe] 聚阴离子网络中仅发生 Pt-Ge 相互作用，但在 YbPdGe 中发生弱层间 Pd-Pd（297 pm）和 Ge-Ge（275