gallium(III) sulphate octakaidecahydrate

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属氧阴离子化合物
• 英文名称: gallium(III) sulphate octakaidecahydrate
• 英文别名: gallium(III) sulphate；gallium sulfate hydrate；gallium(III) sulfate*18H2O；Gallium;sulfate;hydrate
• 化学式: 2Ga*18H₂O*3O₄S
• 分子量: 751.912
• InChiKey: VFDKJRIIDSORPW-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.54
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  89.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  gallium(III) sulphate octakaidecahydrate 在 H₃BO₃ 、 ascorbic acid 、 H₂SO₄ 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 氢化镓
  参考文献：
  名称：

  Electrodeposition and characterization of Fe80Ga20 alloy films

  摘要：

  Due to its high magnetostriction and good mechanical properties Fe80Ga20 is interesting for magnetostrictive microactuators and sensors. Here we use electrodeposition to grow Fe-Ga films onto Au and Pt coated Si substrates by potentiostatic and pulse potential deposition. Composition, microstructure and structure are analysed. The desired composition of Fe80Ga20 was obtained at -1.4V(SCE) and -1.5V(SCE), respectively. The origin of low reproducibility and high oxygen content up to 50 at.% is investigated. Optimum deposition conditions to achieve dense, homogeneous films with low oxygen content are identified. In these films the saturation magnetization reaches a maximum value of 1.7T confirming the high quality of electrodeposited films. (C) 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/j.electacta.2011.03.046
• 作为产物：
  描述：

  gallium oxyhydroxide 、 硫酸 在 H₂O 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gallium(III) sulphate octakaidecahydrate
  参考文献：
  名称：

  在外来阳离子存在下形成氧化铁 (III) 化合物的贡献

  摘要：

  研究了从铁 (III)-镓 (III) 硫酸盐的混合溶液中均匀沉淀固体，这提供了完整系列的碱性硫酸盐混合晶体。这些明矾石-黄钾铁矾型化合物显示出非化学计量组成。六方晶胞的晶格常数 a 随镓取代铁的增加而降低，而 c 增加。晶胞的体积随着固体中镓比例的增加而减小。在适当的实验的基础上讨论了这种结构和混合晶体的形成。

  DOI：

  10.1007/bf01107466

文献信息

• Electrodeposition of Crack-Free CuGaSe[sub 2] Thin Films from Single Bath
  作者：Yusuke Oda、Takashi Minemoto、Hideyuki Takakura

  DOI：10.1149/1.2845071

  日期：——

  Cu-Ga-Se precursor thin films have been prepared by electrodeposition techniques on Mo substrates and annealed to crystallize at 550°C. The films were characterized by scanning electron microscope, energy dispersive X-ray spectrometry, and X-ray diffraction. The electrodeposited films without an addition agent presented a lot of cracks due to the tension by the formation of Ga-O species, and the crystallized

  Cu-Ga-Se 前驱体薄膜已通过电沉积技术在 Mo 基板上制备，并在 550°C 下退火结晶。通过扫描电子显微镜、能量色散 X 射线光谱法和 X 射线衍射对薄膜进行表征。没有添加剂的电沉积膜由于形成 Ga-O 物种的张力而出现大量裂纹，并且结晶膜聚集。添加Li 2 SO 4 作为支持电解质和pH调节剂以及明胶作为光亮剂实现了无裂纹且无聚集的薄膜。发现薄膜的组成和形态高度依赖于溶液的组成和添加剂。
• Studies on synthetic galloalunites AGa3(SO4)2(OH)6: Synthesis, thermal analysis, and X-ray characterization
  作者：Wolfram W. Rudolph、Peer Schmidt

  DOI：10.1016/j.tca.2011.04.013

  日期：2011.7

  Abstract Stoichiometric end member galloalunites of the general formula AGa3(SO4)2(OH)6, with A = Na+, K+, Rb+, H3O+, and NH4+ have been synthesized under hydrothermal conditions. These galloalunites were characterized by chemical methods, thermal analysis (DSC, TG coupled with mass spectroscopy), and powder X-ray diffraction (XRD). The stages of thermal decomposition of sodium, potassium and rubidium

  摘要 在水热条件下合成了通式为 AGa3(SO4)2(OH)6 的化学计量端元镓铝石，其中 A = Na+、K+、Rb+、H3O+ 和 NH4+。这些镓铝石通过化学方法、热分析（DSC、TG 与质谱联用）和粉末 X 射线衍射 (XRD) 进行表征。钠、钾和铷镓铝石的热分解阶段显示出形成 β-Ga2O3 和 A2SO4（A = Na+、K+ 和 Rb+）的共同分解机制，而铵和铷镓铝石在形成纯 β- 的情况下分解。热重结果证实了镓铝石的分析结果，从而验证了这些合成产物的化学计量。在 A 位点具有不同单价阳离子（即 Na+、K+、Rb+、 + 和 NH4+) 在菱形空间群 R 3 ¯ m (#166) 中结晶。取代对晶胞参数的影响根据镓铝石的结构排列合理化。晶胞参数 c 随着 A 位点中阳离子的有效离子半径的增加而增加，而参数 a 的变化程度要小得多。
• Synthesis and characterization of two novel organocation containing group 13 metal ethylenediphosphonates
  作者：Martin P Attfield、Howard G Harvey、Simon J Teat

  DOI：10.1016/j.jssc.2004.05.013

  日期：2004.8

  and contain dimers of edge-sharing trivalent metal centered octahedra that are linked together by the ethylenediphosphonate groups to form chains and aperture-containing layers, respectively. The propyldiammonium cations surround the aluminum diphosphonate chains in 1 and separate the gallium diphosphonate layers in 2. Both compounds 1 and 2 are examples of metal phosphonate materials containing only

  两种新颖的第13组金属二膦酸盐：（H 3 NC 3 H 6 NH 3）2 [Al 2 F 6（O 3 PC 2 H 4 PO 3）]·H 2 O（1）（单斜晶系，C 2 / c，a = 16.9697（7）Å，b = 8.0273（4）Å，c = 16.3797（8）Å，β = 117.762（2）°，Z = 4，R 1 = 4.66％，w R 2 = 11.82％），和（H 3 NC 3H 6 NH 3）[Ga 2 F 4（O 3 PC 2 H 4 PO 3）]（2）（三斜晶系，P -1，a = 5.398（7）Å，b = 8.122（6）Å，c = 15.839 （18）Å，α = 78.89（4）°，β = 89.60（7）°，γ = 79.35（6）°，Z = 2，R 1 = 2.90％，w R 2通过溶剂热法在丙基二铵阳离子的存在下合成了= 3.17％的化合物），并分别使用单晶和
• Preparation, Crystal Structure and Spectroscopic Characterization of [Ga(OH)(SO₄)(terpy)(H₂O)] · H₂O (terpy=2,2’:6’,2-Terpyridine): The First Characterized Gallium(III) Sulfato Complex
  作者：Andreas Sofetis、Giannis S. Papaefstathiou、Aris Terzis、Catherine P. Raptopoulou、Theodoros F. Zafiropoulos

  DOI：10.1515/znb-2004-0310

  日期：2004.3.1

  The reaction of Ga2(SO4)3·18H2O and excess 2,2′:6′,2″-terpyridine (terpy) in MeOH / H2O leads to [Ga(OH)(SO4)(terpy)(H2O)]·H2O (1·H2O] in good yield. The structure of the complex has been determined by single-crystal X-ray crystallography. The GaIII atom in 1·H2O is 6-coordinate and ligation is provided by one terdentate terpy molecule, one monodentate sulfate, one terminal hydroxide and one terminal

  Ga2(SO4)3·18 与过量的2,2':6',2"-三联吡啶(terpy)在MeOH/H2O中反应生成[Ga(OH)(SO4)(terpy)( )]· (1· ] 收率良好。该配合物的结构已通过单晶 X 射线晶体学确定。1· 中的 GaIII 原子为 6 配位，连接由一个三齿三元分子，一个单齿硫酸盐提供, 一个末端氢氧化物和一个末端 分子；金属周围的配位多面体被描述为扭曲的八面体。晶体结构中有广泛的氢键网络，产生平行于 bc 的波纹层。新的配合物通过红外表征和 1H NMR 光谱。根据键合的性质讨论了光谱数据
• Morphology controllable synthesis and characterization of gallium compound hierarchical structures via forced-hydrolysis method
  作者：Bong Kyun Kang、Guh-Hwan Lim、Byungkwon Lim、Dae Ho Yoon

  DOI：10.1016/j.jallcom.2016.03.094

  日期：2016.8

  single-crystal structures. After calcination at 1000 °C for 1 h, well-crystallized and porous β-Ga 2 O 3 microrods are formed. The enhanced broad blue emission of porous β-Ga 2 O 3 microrods were related to defect band emission, such as oxygen vacancies and gallium-oxygen vacancy pairs. We propose that this oriented growth and transformation model may also be applicable to crystal growth and phase transformations

  摘要 据我们所知，采用强制水解法和煅烧工艺，首次成功合成了β-Ga 2 O 3 通过从纳米颗粒到微棒的分级镓前驱体。我们报告了各种形态镓前体的生长机制和形成，例如 Ga 4 (OH) 10 SO 4 纳米球和 ɑ-GaOOH 微棒。研究了生长时间对晶体结构及其形貌的影响。结果表明，生长时间在从非晶结构到单晶结构的转变中起重要作用。在 1000 °C 下煅烧 1 h 后，形成结晶良好且多孔的 β-Ga 2 O 3 微棒。多孔β-Ga 2 O 3 微棒增强的宽蓝色发射与缺陷带发射有关，例如氧空位和镓-氧空位对。