cadmium;selane;sulfane

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属有机体
• 英文名称: cadmium;selane;sulfane
• 化学式: CdS₀Se₀
• 分子量: 181.991
• InChiKey: WSNMTBUIAWIRLG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.81
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  橡胶促进剂CED 、 selenium diethyldithiocarbamate 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 cadmium;selane;sulfane
  参考文献：
  名称：

  Rakhlin, M. Ya.; Smovzh, A. K.; Sokolova, T. G., Inorganic Materials, 1986, vol. 22, p. 1382 - 1384

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  二氧化碳 、 potassium hydrogencarbonate 在 cadmium;selane;sulfane 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 一氧化碳 、 氢气
  参考文献：
  名称：

  在CO2电还原中，在亚硒化镉纳米棒上以高电流密度实现最大范围的合成气比例

  摘要：

  CO 2的电还原是生产具有可控比例的合成气的可持续方法，这是特定的反应物，可用于优化不同的工业工艺。然而，在保持高电流密度的同时，以宽的CO / H 2比例实现可调节的合成气生产具有挑战性。在此，开发了亚硒化镉（CdS x Se 1- x）合金化的纳米棒，该棒在电流密度大于10 mA cm -2的CO 2电解还原中，实现了有史以来最广泛的合成气比例范围。在CdS x Se 1- x中纳米棒，CdS纳米棒与可逆氢电极相比，在-1.2 V时的电流密度为27.1 mA cm -2，显示出CO产生的最高法拉第效率（FE）为81％。随着CdS x Se 1- x纳米棒中Se含量的增加，用于H 2产生的FE增加。在−1.2 V相对于RHE的情况下，CdS x Se 1- x纳米棒上的产品中CO / H 2的比率从4：1到1：4不等（x从1到0）。值得注意的是，所有合成气的比例均以高于≈25mA cm

  DOI：

  10.1002/adma.201705872

文献信息

• Convenient, room-temperature liquid ammonia routes to metal chalcogenides
  作者：Geoff Henshaw、Ivan P. Parkin、Graham A. Shaw

  DOI：10.1039/a605665b

  日期：——

  Reaction of sulfur, selenium or tellurium with elemental metals in liquid ammonia at room temperature in a pressure vessel produced metal chalcogenides ME (M = Ca, Sr, Ba, Eu, Yb, Ni, Zn, Cd, Hg, Sn or Pb; E = S, Se or Te), Ag 2 E, solid solutions of mixed-metal chalcogenides M x M′ y E z (x + y = 1, z = 1 or 2), and metal-mixed chalcogenides MS x Se y . Products showed a range of crystallite sizes from 700 Å for PbSe and Ag 2 S to essentially amorphous (ZnS). Heating at 250–300 °C under vacuum for 2 h induced crystallinity in the amorphous powders. The pre- and post-heated metal chalcogenides were analysed by X-ray powder diffraction, Fourier-transform IR, Raman microscopy, scanning electron microscopy-energy dispersive analysis of X-rays, electron microprobe, X-ray photoelectron spectroscopy, elemental analysis and magnetic susceptibility studies.

  在常温下，将硫、硒或碲与元素金属在液态氨中于高压釜内反应，生成了金属硫族化合物ME（M = Ca, Sr, Ba, Eu, Yb, Ni, Zn, Cd, Hg, Sn 或 Pb; E = S, Se 或 Te），Ag2E，固溶体混合金属硫族化合物MxM'yEz（x + y = 1, z = 1 或 2），以及金属混合硫族化合物MSxSey。产物表现出从700 Å的PbSe和Ag2S到基本上非晶态（ZnS）的一系列晶粒尺寸。在真空下加热至250–300 °C保持2小时，诱导了非晶粉末的结晶性。经加热前后的金属硫族化合物通过X射线粉末衍射、傅里叶变换红外、拉曼显微镜、扫描电子显微镜-能量色散X射线分析、电子探针、X射线光电子能谱、元素分析和磁化率研究进行了分析。
• Simplistic construction of cadmium sulfoselenide thin films via a hybrid chemical process for enhanced photoelectrochemical performance
  作者：Kishorkumar V. Khot、Sawanta S. Mali、Nita B. Pawar、Rohini R. Kharade、Rahul M. Mane、Pallavi B. Patil、Pramod S. Patil、Chang Kook Hong、Jin Hyeok Kim、Jaeyeong Heo、Popatrao N. Bhosale

  DOI：10.1039/c4ra16311g

  日期：——

  Hybrid APT method, novel custard apple-like cadmium sulfoselenide thin films, nanocrystalline pure phase, highest power conversion efficiency of 1.02%.

  混合APT方法，新颖的苹果泥状硒硫化镉薄膜，纳米晶纯相，最高功率转换效率为1.02%。
• Photocatalytic hydrogen production with Cd(S, Se) solid solution particles: Determining factors for the highly efficient photocatalyst
  作者：Shiro Kambe、Masatoshi Fujii、Tornoji Kawai、Shichio Kawai、Fujiya Nakahara

  DOI：10.1016/0009-2614(84)85411-1

  日期：1984.8

  By using CdS1-xSex particles whose valence band positions are continuously variable, two determining factors for the photocatalytic production of H2 from water and an organic compound have been elucidated: (1) the valence band position of the semiconductor relative to the donor level of the organic compound, and (2) transport properties of the particle.

  通过使用价带位置连续可变的CdS 1 - x Se x粒子，阐明了两个决定因素，用于从水和有机化合物光催化生产H 2：（1）半导体相对于碳原子的价带位置。供体的有机化合物含量，以及（2）颗粒的传输性能。
• Breaking the short-range proximity requirement in quantum dot/molecular catalyst hybrids for CO₂ reduction <i>via</i> long-range hot electron sensitization
  作者：David Parobek、Jeremy R. Meeder、Joseph Puthenpurayil、Michael Nippe、Dong Hee Son

  DOI：10.1039/d0ta05258b

  日期：——

  Long-range hot electron transfer removes the proximity requirement in quantum dot-molecular catalyst hybrid systems for CO₂ reduction.

  长程热电子转移消除了量子点-分子催化剂混合系统中对CO2还原的近距离要求。
• Photoelectrochemical performances of indium-doped CdS0.2Se0.8 thin film electrodes prepared by spray pyrolysis
  作者：Abhijit A. Yadav、E.U. Masumdar

  DOI：10.1016/j.electacta.2011.05.014

  日期：2011.7

  Polycrystalline undoped and indium-doped CdS0.2Se0.8 thin films were deposited on FTO-coated glass substrates by spray pyrolysis. The cell configurations CdS0.2Se0.8/1 M (Na2S + S + NaOH)/C and In:CdS0.2Se0.8/1 M (Na2S + S + NaOH)/C were used to study a wide range of photoelectrochemical characteristics including capacitance–voltage in the dark, current–voltage characteristics in the dark and under

  通过喷雾热解将多晶未掺杂和铟掺杂的CdS 0.2 Se 0.8薄膜沉积在FTO涂层的玻璃基板上。电池配置CdS 0.2 Se 0.8 / 1 M（Na 2 S + S + NaOH）/ C和In：CdS 0.2 Se 0.8 / 1 M（Na 2S + S + NaOH）/ C用于研究广泛的光电化学特性，包括在黑暗中的电容-电压，在黑暗中和照明下的电流-电压特性，光伏功率输出和光谱响应，以及进行电化学阻抗谱研究。研究表明，这些膜表现出n型导电性。对于由CdS 0.2 Se 0.8和铟掺杂的CdS 0.2 Se 0.8形成的PEC电池，已估算出各种PEC参数，例如照明下的结理想因子，串联电阻和分流电阻，填充因子和效率。薄膜。发现在CdS 0.2 Se 0.8薄膜中掺入铟后，这些PEC电池的效率和填充系数分别从0.79％和0.46提高到2.12％和0.49 。电化学阻抗谱研究表明，将铟掺杂到CdS