silicon tetraboride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: silicon tetraboride
• 英文别名: tetraboron silicide；boron silicide；silicon boride；borane;silane
• 化学式: B₄Si
• 分子量: 71.3295
• InChiKey: TWEPUBGJYYDVRS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -6.19
• 重原子数：
  5.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon tetraboride 生成 hexaboron silicide 、 硅烷
  参考文献：
  名称：

  The Silicon-Boron System

  摘要：

  最近，两篇文章 1,2 报道了 SiB4 化合物的合成。在开展这项工作的同时，我们一直在研究这种化合物，作为我们研究高温材料计划的一部分。

  DOI：

  10.1038/187054a0
• 作为产物：
  描述：

  boron trioxide 、 硅烷 生成 silicon tetraboride
  参考文献：
  名称：

  Rizzo, H. F.; Bidwell, L. R., Journal of the American Ceramic Society, 1960, vol. 43, p. 550

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  锂硼氢 在 silicon tetraboride 作用下， 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 反应 1.0h， 生成 氢气 、 lithium hydride 、 硼烷
  参考文献：
  名称：

  A fleeting glimpse of the dual roles of SiB₄ in promoting the hydrogen storage performance of LiBH₄

  摘要：

  SiB₄被意外发现具有双重作用，可以增强LiBH₄的氢储存性能。

  DOI：

  10.1039/c8dt04720k

文献信息

• PREPARATION OF TETRABORON SILICIDE, B₄Si
  作者：Ervin Colton

  DOI：10.1021/ja01489a062

  日期：1960.2

  From a search for high-temperature oxidation-resistant materials, the development of tetraboron silicide, B/sub 4/Si, is reported. This silicide of boron can be prepared in large quantities. Shapes fabricated from B/sub 4/Si by powder metallurgical techniques have withstood oxidation in air for over 100 hours at 137O deg C. Thermal shock resistance was displayed when no cracks were observed upon removal

  从对高温抗氧化材料的研究中，报道了四硼硅化物 B/sub 4/Si 的开发。这种硼的硅化物可以大量制备。通过粉末冶金技术由 B/sub 4/Si 制成的形状在 1370 摄氏度的空气中经受了 100 多个小时的氧化。在许多情况下，从 1370 摄氏度到室温下去除时没有观察到裂纹，显示出抗热震性。正在研究 B/sub 4/Si 的陶瓷性能。（沼泽）
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: B: B-Verb.3, 9, page 153 - 158
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Svatovskaya, L. B.; Efros, M. G.; Korneeva, T. A., Journal of applied chemistry of the USSR, 1988, vol. 61, p. 1939 - 1942
  作者：Svatovskaya, L. B.、Efros, M. G.、Korneeva, T. A.、Sychev, M. M.

  DOI：——

  日期：——
• Matkovich, V. I., Acta Crystallographica, 1959, vol. 13, p. 679
  作者：Matkovich, V. I.

  DOI：——

  日期：——
• Bairamashvili, I. A.; Dzhobava, S. Sh.; Kalandadze, G. I., Inorganic Materials, 1983, vol. 19, p. 194 - 196
  作者：Bairamashvili, I. A.、Dzhobava, S. Sh.、Kalandadze, G. I.、Soloev, Yu. I.、Eristavi, A. M.、Lomidze, G. P.

  DOI：——

  日期：——