nickel silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: nickel silicide
• 英文别名: nickel disilicide；nickel;silane
• 化学式: NiSi₂
• 分子量: 114.861
• InChiKey: WKBBTROEJIRROS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.91
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  nickel silicide 生成 镍
  参考文献：
  名称：

  Schroeter, R., Angewandte Chemie, 1941, vol. 54, p. 229 - 234

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  nickel silicide 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 nickel silicide
  参考文献：
  名称：

  Stoichiometry and structural disorder effects on the electronic structure of Ni and Pd silicides

  摘要：

  DOI：

  10.1103/physrevb.26.2748

文献信息

• Reactivity of Intermetallic Compounds:  A Solid State Approach to Direct Reactions of Silicon
  作者：Jörg Acker、Klaus Bohmhammel

  DOI：10.1021/jp0130315

  日期：2002.5.1

  work is focused on a new approach to describe, quantify, and compare the reactivity of various transition metal silicide phases toward hydrogen chloride. Thermodynamic and kinetic parameters are obtained from isothermal calorimetric studies of these reactions. The reactivity of the silicide phases is discussed in terms of reaction start temperatures, rate constants, and apparent activation energies. Negative

  目前的工作重点是描述、量化和比较各种过渡金属硅化物相对氯化氢的反应性的新方法。从这些反应的等温量热研究中获得热力学和动力学参数。硅化物相的反应性根据反应起始温度、速率常数和表观活化能进行了讨论。在低温下观察到负的表观活化能，这归因于反应的初始阶段，氯被化学吸附，然后结合到表面附近的硅化物晶格中。稍后，形成具有与本体相显着不同的组成和反应性的含氯反应层。在固态调查的基础上，提出了这些层的微观结构的扩散模型，其中镍原子发生置换，随后氯占据镍位点。一个模型是建议...
• Phase relationships in the La–Ni–Si system at 673 K
  作者：Huaiying Zhou、Qingrong Yao、Songliu Yuan、Jingqi Liu、Heixia Deng

  DOI：10.1016/s0925-8388(03)00698-4

  日期：2004.3

  The phase relationships in the La–Ni–Si ternary system at 673 K were investigated by X-ray diffraction (XRD), differential thermal analysis (DTA), scanning electron microscopy (SEM) and electron probe microanalysis (EPMA). All phase relationships were studied at 673 K. At this temperature, the existence of 14 ternary compounds has been confirmed. This section consists of 35 single-phase regions, 78

  摘要 通过 X 射线衍射 (XRD)、差热分析 (DTA)、扫描电子显微镜 (SEM) 和电子探针微量分析 (EPMA) 研究了 673 K 下 La-Ni-Si 三元体系中的相关系。所有的相关系都是在 673 K 下研究的。在这个温度下，已经确认了 14 种三元化合物的存在。该部分由35个单相区、78个二相区和47个三相区组成。在 673 K 时，Si 在 Ni、La 2 Ni 7 、LaNi 5 和 La 2 NiSi 中的最大固溶度分别约为 9、3、8.33 和 5 at.%。几种三元化合物形成一个均质区，可以表示为 LaNi 11.6–9.5 Si 1.4–3.5 、LaNi 8.8–8.4 Si 4.2–4.6 和 LaNi 7.8–6.5 Si 5.2–6.5 。
• Inverse photoemission study of nickel silicides
  作者：M. Azizan、R. Baptist、G. Chauvet、T.A. Nguyen Tan

  DOI：10.1016/0038-1098(86)90658-7

  日期：1986.1

  Abstract Nickel silicides have been prepared in situ and measured by inverse photoemission in the VUV range. With concomitant ultra-violet photoemission spectroscopy, these experiments allow first to locate the positions of the occupied and non occupied bonding, non bonding and antibonding electronic states, which originate from the nickel d and silicon sp electrons when silicide compounds are formed

  摘要 硅化镍已被原位制备并通过 VUV 范围内的逆光电发射进行测量。利用伴随的紫外光发射光谱，这些实验首先允许定位占据和未占据键合、非键合和反键合电子态的位置，这些电子态起源于形成硅化物时的镍 d 和硅 sp 电子，然后进行比较它们具有理论上导出的能量分布曲线。
• Formation of NiSi-Silicided p[sup +]n Shallow Junctions Using Implant-Through-Silicide and Low-Temperature Furnace Annealing
  作者：Chao-Chun Wang、Chiao-Ju Lin、Mao-Chieh Chen

  DOI：10.1149/1.1599851

  日期：——

  NiSi-silicided p + n shallow junctions are fabricated using BF + 2 implantation into/through thin NiSi silicide layer (implant-through-silicide technology) followed by low-temperature furnace annealing (from 550 to 800°C). The NiSi film agglomerates following a thermal annealing at 600°C and may result in the formation of discontinuous islands at a higher temperature. The incorporation of fluorine

  NiSi 硅化物 p + n 浅结是使用 BF + 2 注入/穿过薄的 NiSi 硅化物层（注入硅化物技术）然后低温炉退火（从 550 到 800°C）制造的。NiSi 膜在 600°C 下热退火后会结块，并可能导致在较高温度下形成不连续的岛。在NiSi薄膜中掺入氟原子可以延缓薄膜团聚的形成，从而提高薄膜的热稳定性。对于通过 BF + 2 在 35 keV 注入剂量为 5 x 10 15 cm -2 然后进行 650°C 热退火；从 NiSi/Si 界面测量，形成的结约为 60 nm。
• Improvement of the thermal stability of NiSi films by using a thin Pt interlayer
  作者：J. F. Liu、H. B. Chen、J. Y. Feng、J. Zhu

  DOI：10.1063/1.1313815

  日期：2000.10.2

  Pt on the stability of NiSi films on Si(111) substrates has been investigated. Both x-ray diffraction (XRD) data and sheet resistance measurements show a remarkable improvement in the thermal stability of NiSi due to the Pt interlayer. Detailed study on the XRD data shows PtSi and NiSi form a solid solution following a Vegard’s law. It was found in Ni/Pt/Si samples that a transition in NiSi texture from

  已经研究了薄的 Pt 夹层对 Si(111) 衬底上 NiSi 薄膜稳定性的影响。X 射线衍射 (XRD) 数据和薄层电阻测量结果均表明，由于 Pt 夹层，NiSi 的热稳定性显着提高。XRD 数据的详细研究表明 PtSi 和 NiSi 遵循 Vegard 定律形成固溶体。在 Ni/Pt/Si 样品中发现，NiSi 织构从 (200)NiSi‖(111)Si 到 (002)NiSi‖(111)Si 的转变发生在 NiSi2 成核之前，这可能有助于增强NiSi 薄膜的稳定性