gallium telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: gallium telluride
• 英文别名: gallane;tellane
• 化学式: GaTe
• 分子量: 197.323
• InChiKey: KFTIKMQYIIFNHH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.1
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  gallium telluride 、 indium monotelluride 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTe 1−x Se x and In 1−x Ga x Te

  摘要：

  The local environment of Ga, Se and Tl atoms in InTe-based solid solutions was studied by EXAFS technique. It was shown that all investigated atoms are substitutional impurities, which enter the In(1), Te and In(2) positions in the InTe structure, respectively. The electrical measurements revealed that In1-xGaxTe and InTe1-xSex solid solutions become semiconductors at x > 0.24 and > 0.15, respectively. (C) 2000 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/s0022-3697(00)00196-7
• 作为产物：
  描述：

  氢化镓 、 碲化氢 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gallium telluride
  参考文献：
  名称：

  镓合金系统：相图，结构图，GaTe，Ga 2 Te 5和Ga 6 SnTe 10

  摘要：

  GaTe系统中存在三个相：Ga 2 Te 5，Ga 2 Te 3和GaTe。Ga 2 Te 5在约400至495°C的窄温度范围内稳定（其包晶分解）。相图是根据DTA和X射线衍射研究建立的。描述了GaTe和Ga 2 Te 5的晶体结构。第一个包含GaGa对，第二个包含Te的方平面配位，其中原子通过共价键结合。结合SnGa 6 Te 10的存在，讨论了涉及一价Ga的化合物的形成，其中Sn可以被其他一价或二价阳离子取代。

  DOI：

  10.1016/0022-4596(79)90082-3
• 作为试剂：
  描述：

  水 在 gallium telluride 、 三乙醇胺 、 溶剂红 43 作用下， 生成 氢气
  参考文献：
  名称：

  层状碲化镓的电子结构和性能

  摘要：

  镓单硫族化物Ga X（X  = S，Se，Te）的层依赖电子结构和性质已通过基于各种功能的第一原理计算进行了研究，目的是评估它们在光催化水分解中的用途。由于使用可见光将水分解产生的氢气为太阳能转化提供了一种有希望的方法，因此已经对GaTe对光化学制氢的进行了理论和实验研究。我们还介绍了通过理论和实验检验的GaTe拉曼光谱。

  DOI：

  10.1016/j.cplett.2016.03.045

文献信息

• Growth, characterisation and electrical anisotropy in layered chalcogenides GaTe and InTe
  作者：S Pal、D.N Bose

  DOI：10.1016/0038-1098(95)00608-7

  日期：1996.2

  Abstract GaTe and InTe are III–VI semiconductors with layered structures which have large anisotropy in electrical properties. Thermopower, resistivity and Hall effect have been studied in orthogonal directions in high quality single crystals grown by the Bridgman technique. The hole effective masses parallel and perpendicular to the layer plane were thus determined to be 0.46 m0 and 0.995 m0, respectively

  摘要 GaTe 和 InTe 是具有层状结构的 III-VI 族半导体，具有较大的电学性能各向异性。已经在通过布里奇曼技术生长的高质量单晶中在正交方向上研究了热功率、电阻率和霍尔效应。因此，平行和垂直于层平面的空穴有效质量对于 GaTe 确定为 0.46 m0 和 0.995 m0，对于 InTe 确定为 0.125 m0 和 0.765 m0。载流子活化能和空穴迁移率也是各向异性的。光学声子散射对于 GaTe 占主导地位，μ α T-n 分别沿和垂直于层平面 n = 1.85-2.05 和 3.3-3.4。具有较高载流子浓度的 InTe 显示出 μ α Tm，这是两个方向上 m = +1.43 的电离杂质散射特征。
• Layered Post-Transition-Metal Dichalcogenides (X−M−M−X) and Their Properties
  作者：Jan Luxa、Yong Wang、Zdenek Sofer、Martin Pumera

  DOI：10.1002/chem.201604168

  日期：2016.12.23

  AIIIBVI chalcogenides are an interesting group of layered semiconductors with several attractive properties, such as tunable band gaps and the formation of solid solutions. Unlike the typically sandwiched structure of transition‐metal dichalcogenides, AIIIBVI layered chalcogenides with hexagonal symmetry are stacked through the X−M−M−X motif, in which M is gallium and indium, and X is sulfur, selenium

  A III B VI硫族化物是一组有趣的层状半导体，具有一些吸引人的特性，例如可调节的带隙和固溶体的形成。与通常的过渡金属二卤化物夹层结构不同，A III B VI具有六边形对称性的层状硫族化物通过X-M-M-X图案堆叠，其中M为镓和铟，X为硫，硒和碲。鉴于对电化学性质的研究不足，并且对层状材料对能量相关研究的浓厚兴趣，本文对GaS，GaSe，GaTe和InSe的内在电化学进行了研究，并探讨了它们作为氢释放的潜能。反应（HER）电催化剂。在循环伏安法测量期间，所有四种材料均显示氧化还原峰。此外，提供了对HER催化的见解。这些指示了材料的电导率和活性位点的数量。所有这些发现对它们的可能应用都具有重要意义。
• Thermoelectric power (TEP) of layered chalcogenides GaTe crystals
  作者：A. A. Al-Ghamdi

  DOI：10.1007/s10973-006-7140-2

  日期：2008.11

  TEP measurements of gallium mono-tellurite single crystals have been studied over the temperature range 193–583 K. GaTe single crystals grown from melt by the modified Bridgman technique method. The results of measurements indicate that the investigated samples turned out to be P-type nature. Investigation of GaTe compound revealed that it has interesting properties. Many physical parameters were determined such as carrier mobilities, effective masses of free charge carriers, diffusion coefficient and diffusion length as well as the relaxation time. The highest value of figure of merit for GaTe permit the practical application as thermoelectric element.

  通过改进的布里奇曼技术方法，研究了在 193-583 K 温度范围内对单碲化镓单晶的 TEP 测量。测量结果表明，所研究的样品具有 P 型性质。对碲化镓化合物的研究表明，它具有有趣的特性。测定了许多物理参数，如载流子迁移率、自由电荷载流子的有效质量、扩散系数和扩散长度以及弛豫时间。GaTe 的功勋值最高，可以作为热电元件实际应用。
• Growth and thermal stability studies of layered GaTe single crystals in inert atmospheres
  作者：Thi Hoa Vu、Anh Tuan Pham、Van Quang Nguyen、Anh Duc Nguyen、Thao Nhi Nguyen Tran、Minh Hai Nguyen Thi、Yong Soo Kim、Van Tam Tran、Sunglae Cho

  DOI：10.1016/j.jssc.2021.121996

  日期：2021.4

  investigated the thermal stability properties in inert atmospheres of GaTe single crystals fabricated by a temperature gradient technique. The obtained crystals possess a monoclinic layered structure with high crystalline quality. To explore the thermal stability of GaTe, the differential scanning calorimetry (DSC) and thermogravimetric analysis (TGA) were performed up to 1173 ​K in N2 and Ar atmospheres. GaTe

  在这项研究中，我们研究了通过温度梯度技术制备的GaTe单晶在惰性气氛中的热稳定性能。所获得的晶体具有具有高晶体质量的单斜层状结构。为了探索GaTe的热稳定性，在N 2和Ar气氛中进行了差示扫描量热法（DSC）和热重分析（TGA）直到1173 K. 由于GaTe表面上物理吸附的N 2分子的保护作用，GaTe晶体在Ar高达700 K时热稳定，在N 2高达935 K时稳定。在N 2中热处理后，研究了退火对GaTe的结构和光学性能的影响不同温度的气氛；573、673、773和873 K. 对应于单斜GaTe相的三种突出的拉曼模式分别为97厘米-1（A g），145厘米-1（A g）和158厘米-1（B g），这表明在升高时无结构破坏温度。尤其是，由于GaTe结晶度的提高，随着退火温度的升高，光致发光（PL）强度得到改善，并在673 K达到最大值。在873 K以上，我们观察到PL强度显着降低，这归因于碲蒸发引起的空位。
• High-performance photodetectors based on bandgap engineered novel layer GaSe_0.5Te_0.5 nanoflakes
  作者：Xuying Zhong、Weichang Zhou、Yong Zhou、Fang Zhou、Chang Liu、Yanling Yin、Yuehua Peng、Dongsheng Tang

  DOI：10.1039/c6ra09239j

  日期：——

  Layered two-dimensional (2D) gallium monochalcogenide (GaX, X = S, Se, Te) semiconductor crystals hold great promise for potential electronics and photonics application.

  层状二维（2D）镓硫族化物（GaX，X = S，Se，Te）半导体晶体对于潜在的电子和光子学应用具有广阔的前景。