vanadium silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: vanadium silicide
• 英文别名: silane;vanadium
• 化学式: SiV₃
• 分子量: 180.91
• InChiKey: QHVBMVUNMAJTTB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.46
• 重原子数：
  4.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  硝酸 、 vanadium silicide 以 硝酸 为溶剂， 生成 H(x)SiV3, A15
  参考文献：
  名称：

  Study of some hydrogenated vanadium-basedA15compounds

  摘要：

  DOI：

  10.1103/physrevb.22.137
• 作为产物：
  描述：

  钒 、 硅烷 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 vanadium silicide
  参考文献：
  名称：

  变形和未变形的富钒 V3Si 单晶电阻率的温度依赖性

  摘要：

  在 1573 塑性变形前后沿 [1 0 0] 和 [1 1 1] 方向从 4.2 到 300 K 测量了富钒 V3Si 单晶 (Tc∼-11.4 K) 的电阻率 ρ(T) K. 尽管 V3Si 具有立方 A15 结构，但观察到 ρ(T) 的各向异性。塑性变形不会影响正常状态 ρ(T) 行为，但会改变正常超导过渡宽度 ΔTc。在低温（Tc

  DOI：

  10.1007/bf00361181

文献信息

• Weak link grain boundaries in intermetallic superconductors
  作者：Neeraj Khare、D.P. Singh、S.B. Samanta、A.K. Gupta、P.K. Babu、G. Ghosh、R. Nagarajan、L.C. Gupta

  DOI：10.1016/j.physc.2004.04.027

  日期：2004.8

  close to T c . This indicates that the natural grain boundaries in the ternary intermetallic superconductors behave as Josephson weak links. Rf-SQUID effect is not observed in V 3 Si binary superconductors, which indicates that the grain boundaries in V 3 Si are not weak link type. STM/STS studies of the YRuB 2 and V 3 Si grain boundaries (GB) are also reported. The interior of the GB in YRuB 2 is found

  摘要 对三元（YRuB 2 、LuRuB 2 、LaRu 3 Si 2 ）和二元V 3 Si 金属间体超导体中的rf-SQUID效应进行了研究，以研究这些超导体中晶界的性质。发现 YRuB 2 ( T c ∼7.5 K)、LuRuB 2 ( T c ∼10 K) 和 LaRu 3 Si 2 ( T c ∼7 K) 三元超导体显示 rf-SQUID 电压-通量调制从 4.2 K 到接近Tc。这表明三元金属间超导体中的天然晶界表现为约瑟夫森薄弱环节。在V 3 Si 二元超导体中没有观察到Rf-SQUID效应，这表明V 3 Si中的晶界不是弱链接型。还报道了 YRuB 2 和 V 3 Si 晶界 (GB) 的 STM/STS 研究。YRuB 2 中GB的内部被发现是准绝缘类型，因此提供了弱连接效应。相反，发现V 3 Si 的GB 的内部区域是金属类型的，因此提供了V 3 Si 晶粒之间的邻近耦合。
• Field activated combustion synthesis of the silicides of vanadium
  作者：F. Maglia、U. Anselmi-Tamburini、C. Milanese、N. Bertolino、Z.A. Munir

  DOI：10.1016/s0925-8388(00)01458-4

  日期：2001.4

  macrokinetic parameters. This was interpreted on the basis of the large electrical conductivity of the reaction products, driving a large part of the electric flux away from the reaction front. The reaction mechanism was investigated through the use of quenching experiments. Only the VSi 2 and V 5 Si 3 phases were observed in the leading edge of the combustion front, with the other phases forming from

  摘要 采用场活化燃烧合成技术研究了钒硅化物的合成。对于所有 V-Si 化合物，当施加高于阈值的场时，可以获得自持燃烧反应。仅对于起始组合物 V:Si=1:2 和 V:Si=5:3 获得单相产物。对于所有其他组合物，反应产生多相混合物。随着场强的增加，没有观察到相组成的显着变化。与其他系统相比，该场被认为对燃烧宏观动力学参数有微弱的影响。这被解释为基于反应产物的大电导率，驱使大部分电通量远离反应前沿。通过猝灭实验研究了反应机理。在燃烧前沿的前缘仅观察到 VSi 2 和 V 5 Si 3 相，其他相由后燃烧中的固-固相互作用形成。这些结果已与有关等温固-固和固​​-液扩散偶中硅化物形成机制的观察结果进行了比较。
• Ternary Vss-V3Si-V5SiB2 eutectic formation in the V-Si-B system
  作者：W.G. Yang、G. Hasemann、M. Yazlak、B. Gorr、R. Schwaiger、M. Krüger

  DOI：10.1016/j.jallcom.2022.163722

  日期：2022.5

  The solidification behavior close to the ternary Vss-V3Si-V5SiB2 eutectic reaction in the V-Si-B system has been experimentally investigated via arc-melting. According to the microstructure investigation, which is performed by SEM observations, EDS and EBSD measurements and XRD analysis, the composition of the ternary eutectic reaction has been determined at V-9Si-6.5B (at.%). Its microstructures in

  通过电弧熔化实验研究了V-Si-B体系中接近三元V ss -V 3 Si-V 5 SiB 2共晶反应的凝固行为。根据通过 SEM 观察、EDS 和 EBSD 测量以及 XRD 分析进行的微观结构研究，三元共晶反应的组成已确定为 V-9Si-6.5B (at.%)。进一步研究了其在不同冷却速率的两个不同样品截面中的微观结构，并与基于 Jackson-Hunt 模型开发的共晶生长理论的计算结果进行比较，以揭示两相 V ss -V 5 SiB之间的竞争凝固行为2和三相V ss -V 3 Si-V 5 SiB 2共晶生长。结果，三元共晶反应周围的液相线投影被修改，三元 V ss -V 3 Si-V 5 SiB 2共晶耦合区的横截面沿单变量 V ss -V 5 SiB 2和 V 3 Si-示意性地提出了V 5 SiB 2反应线。
• Phase equilibria in the Dy–V–Si system at 1200 K
  作者：A.V Morozkin

  DOI：10.1016/s0925-8388(02)00502-9

  日期：2002.11

  Phase equilibria in the Dy-V-Si system were investigated by X-ray powder diffraction and metallographic analysis. The isothermal cross-section at 1200 K was obtained. It is obvious that the AlB2-type (space group P6/mmm, no. 191) DyV0.1Si1.9 compound [a=0.3817(1) nm, c=0.4114(1) nm] belongs to the extended region of an AlB2-type DySi1.56-based solid solution. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
• White, B. E. Jr.; Cotts, E. J.; Myers, C. E., Journal of Chemical Physics, 1992, vol. 96, p. 9243 - 9244
  作者：White, B. E. Jr.、Cotts, E. J.、Myers, C. E.、McCreary, J. C.、Kematick, R. J.

  DOI：——

  日期：——