germanium telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: germanium telluride
• 英文别名: Germane tellane；germane;tellane
• 化学式: GeTe
• 分子量: 200.19
• InChiKey: XGFIWEZOORNSLD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.37
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二苯甲酮 、 germanium telluride 生成 4',4'-diphenyl-2'-(2,2,6,6-tetramethylpiperidino)spiro{fluorene-9,3'-{1,2}oxaboretane}
  参考文献：
  名称：

  Glaser, Bernhard; Noeth, Heinrich, Angewandte Chemie, 1985, vol. 97, p. 424 - 425

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 碲化氢 以 melt 为溶剂， 反应 30.0h， 生成 germanium telluride
  参考文献：
  名称：

  Ge20SeyTe80−y 红外玻璃的热行为（y 高达 8 at.%）

  摘要：

  摘要 利用DSC、XRD、拉曼光谱和红外显微镜研究了富含Te的Ge 20 Se y Te 80−y 红外硫属化物玻璃（y高达8 at.%）。玻璃化转变、结晶和熔化现象的彻底非等温热动力学表征根据粒径进行。Tool-Narayanaswamy-Moynihan 模型成功地用于描述结构松弛过程；然后根据拉曼光谱检测到的特征结构单元的结构变化和运动来解释弛豫参数的组成演变。成核-生长 Johnson-Mehl-Avrami 模型和经验自催化模型用于描述 DSC 结晶数据的复杂动力学。基于XRD和显微分析，揭示了以下结晶机制：六方Te（表面定位）的初始成核-生长沉淀，然后是菱面体GeTe的本体定位自催化生长；在较高 Se 含量的情况下，在高温下会额外形成 Ge-Te-Se 晶相。为增加 Se 含量而确定的更高玻璃稳定性可能与结晶过程的部分抑制有关，但初始 Te 沉淀仍然存在，然而，一旦 Se 含量达到~4

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2016.04.165

文献信息

• Low temperature synthesis of binary chalcogenides
  作者：N. Yellin、L. Ben-Dor

  DOI：10.1016/0025-5408(83)90059-4

  日期：1983.7

  Abstract Synthesis of tellurides and selenides of Hg, Cd, Zn, Ge, Sn and Pb at temperatures considerably below the melting point of the compounds, was studied. The reaction went to completion within a few days.

  摘要 研究了在远低于化合物熔点的温度下合成 Hg、Cd、Zn、Ge、Sn 和 Pb 的碲化物和硒化物。反应在几天内完成。
• New criteria for the applicability of combustion synthesis: The investigation of thermodynamic and kinetic processes for binary Chemical Reactions
  作者：Xiaoming Tan、Xianli Su、Yonggao Yan、Ctirad Uher、Qingjie Zhang、Xinfeng Tang

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.158465

  日期：2021.4

  Combustion synthesis is a novel technique that utilizes the exothermic heat of a chemical reaction to maintain the reaction and to rapidly prepare materials. But, hitherto, none of unified criterion for the validation of combustion synthesis has been proposed. Herein, we proposed the conditions need to be met. In terms of kinetics, at the adiabatic temperature (Tad), the diffusion distance of atoms

  燃烧合成是一种利用化学反应的放热来维持反应并快速制备材料的新技术。但是，迄今为止，尚未提出用于验证燃烧合成的统一标准。在此，我们提出了需要满足的条件。就动力学而言，在绝热温度（T ad）下，原子的扩散距离（升Ť广告）在0.1 s内应大于反应物的粒径（d）， 那是， 升Ť广告≥d。对于满足T ad / T m，L的系统≥1（其中T m，L是反应物的低熔点成分的熔点），液相的存在将原子的扩散距离从纳米显着增加到数十微米，从而成为标准升Ť广告≥d简化为T ad / T m，L≥在大多数情况下为1。在热力学方面，系统需要确保反应成分处于激活状态，即T ad / T m，H ≥0.7，其中T m，H是高熔点组分的熔点。本研究提出的SHS反应标准进一步提高了对SHS反应的理论理解，并为探索二元和多组分化合物的超快合成提供了指导。
• Atomic Layer Deposition of Metal Tellurides and Selenides Using Alkylsilyl Compounds of Tellurium and Selenium
  作者：Viljami Pore、Timo Hatanpää、Mikko Ritala、Markku Leskelä

  DOI：10.1021/ja8090388

  日期：2009.3.18

  germanium antimony telluride (GST) has been attempted only using plasma-assisted processes owing to the lack of appropriate tellurium precursors. In this paper we make a breakthrough in the development of new ALD precursors for tellurium and selenium. Compounds with a general formula (R3Si)2Te and (R3Si)2Se react with various metal halides forming the corresponding metal tellurides and selenides. As

  金属硒化物和碲化物薄膜的原子层沉积 (ALD) 一直受到限制，因为缺乏同时安全且表现出 ALD 所需的高反应性的前体。然而，有许多重要的金属硒化物和碲化物薄膜材料通过 ALD 沉积可能是有益的，例如用于太阳能电池的 CuInSe2 和用于相变随机存取存储器的 Ge2Sb2Te5。特别是在后一种情况下，ALD 提供的高度保形沉积对于高存储密度至关重要。到目前为止，由于缺乏合适的碲前体，只能使用等离子体辅助工艺尝试对碲化锗锑 (GST) 进行 ALD。在本文中，我们在碲和硒的新 ALD 前体的开发方面取得了突破。具有通式 (R3Si)2Te 和 (R3Si)2Se 的化合物与各种金属卤化物反应形成相应的金属碲化物和硒化物。例如，我们展示了 Sb2Te3、GeTe 和 GST 薄膜可以使用 (Et3Si)2Te、SbCl3 和 GeCl2 x C4H8O2 化合物作为前体通过 ALD 沉积。所有三种前体都表现出典型的饱和
• Realizing <i>zT</i> of 2.3 in Ge ₁₋ <i> _x </i> ₋ <i> _y </i> Sb <i> _x </i> In <i> _y </i> Te via Reducing the Phase‐Transition Temperature and Introducing Resonant Energy Doping
  作者：Min Hong、Zhi‐Gang Chen、Lei Yang、Yi‐Chao Zou、Matthew S. Dargusch、Hao Wang、Jin Zou

  DOI：10.1002/adma.201705942

  日期：2018.3

  GeTe with rhombohedral‐to‐cubic phase transition is a promising lead‐free thermoelectric candidate. Herein, theoretical studies reveal that cubic GeTe has superior thermoelectric behavior, which is linked to (1) the two valence bands to enhance the electronic transport coefficients and (2) stronger enharmonic phonon–phonon interactions to ensure a lower intrinsic thermal conductivity. Experimentally

  具有菱形-立方相变的GeTe是有前途的无铅热电候选物。在这里，理论研究表明，立方晶格特具有优异的热电性能，这与（1）两个价带可提高电子输运系数和（2）较强的共谐声子-声子相互作用以确保较低的固有热导率有关。实验上，基于Ge 1− x Sb x在优化载流子浓度的情况下，通过进一步掺杂In可以达到2.3的创纪录高品质因数，这会引起费米能级附近的态密度失真。此外，Sb和In共掺杂降低了相变温度，从而将立方GeTe的更好的热电性能扩展到了低温。此外，电子显微镜表征还显示出晶界，高密度堆垛层错和纳米级析出物，再加上不可避免的点缺陷，导致热导率急剧下降。基础研究和实验演示为高性能无铅热电材料的开发提供了重要方向。
• Discordant nature of Cd in GeTe enhances phonon scattering and improves band convergence for high thermoelectric performance
  作者：Evariste Nshimyimana、Shiqiang Hao、Xianli Su、Cheng Zhang、Wei Liu、Yonggao Yan、Ctirad Uher、Chris Wolverton、Mercouri G. Kanatzidis、Xinfeng Tang

  DOI：10.1039/c9ta10436d

  日期：——

  GeTe-based thermoelectric materials tend to be naturally heavily hole doped because of Ge lattice vacancies, and this complicates efforts to improve the figure of merit ZT. Herein, we report that partial substitution of Cd for Ge and doping with Sb can synergistically reduce the density of holes and improve the thermoelectric transport properties of GeTe. Density functional theory electronic structure

  基于GeTe的热电材料由于Ge晶格空位而自然地倾向于自然地重掺杂空穴，这使提高品质因数ZT的努力变得复杂。在本文中，我们报道了用Cd取代Ge和用Sb掺杂可以协同降低空穴的密度并改善GeTe的热电传输性能。密度泛函理论的电子结构计算表明，当Cd部分取代Ge并形成Cd x Ge 1- x Te时，菱面体和立方结构中轻价带和重价带之间的能量偏移减小，从而促进了多带导通空穴载体有效质量为1.44 m 0Cd 0.05 Ge 0.95 Te的原始GeTe的浓度为2.32 m 0。随后的价带收敛增强了塞贝克系数，并在800 K时产生44.5μWcm -1 K -2的高功率因数。此外，DFT计算显示出向下的能量分布，表明当Cd进入GeTe晶格时，它倾向于移动朝向一个假设的八面体中心，形成六个相等的Cd-Te键。这种局部畸变与Ge和Cd之间的质量和尺寸差异较大相结合，会通过点缺陷强烈增强声子散射，从而降低Cd