1,2-dichlorodisilane | 20536-13-4

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 英文名称: 1,2-dichlorodisilane
• 英文别名: chloro(chlorosilyl)silane
• CAS: 20536-13-4
• 化学式: Cl₂H₄Si₂
• 分子量: 131.109
• InChiKey: COUMSRIIJWJSSY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.45
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-dichlorodisilane 、 二仲丁胺 在 正己烷 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 2.0h， 以The product 1,2-Bis(di-sec-butylamino)disilane was obtained by vacuum distillation的产率得到1,2-bis(di-sec-butylamino)disilane
  参考文献：
  名称：

  ORGANOAMINODISILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME

  摘要：

  本文描述了形成含硅膜的前体和方法。在一个方面，有一个以下式I的前体：其中R1和R3分别选自线性或支链的C3到C10烷基，线性或支链的C3到C10烯基，线性或支链的C3到C10炔基，C1到C6双烷基氨基，电子吸引和C6到C10芳基；R2和R4分别选自氢，线性或支链的C3到C10烷基，线性或支链的C3到C10烯基，线性或支链的C3到C10炔基，C1到C6双烷基氨基，电子吸引和C6到C10芳基；其中任何一个、全部或没有R1和R2、R3和R4、R1和R3或R2和R4均可连接形成环。

  公开号：

  US20130319290A1
• 作为产物：
  描述：

  盐酸 、 1,2-bis(α-naphtyl)disilane 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以99%的产率得到1,2-dichlorodisilane
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and Properties of 1,2-Dichlorodisilane and 1,1,2-Trichlorodisilane

  摘要：

  DOI：

  10.1002/1099-0682(200108)2001:8<2007::aid-ejic2007>3.0.co;2-2
• 作为试剂：
  描述：

  叔丁胺 在 1,2-dichlorodisilane 、 三乙胺 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 生成 1,4-bis(tert-butyl)-1,4-diaza-2,3,5,6-tetrasilacyclohexane
  参考文献：
  名称：

  AZA-POLYSILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME

  摘要：

  本文描述了形成含硅膜的前体和方法。在一个方面，提供了一种含有至少两个Si-N键、至少一个Si-Si键和至少两个由以下式IA、IB和IC表示的SiH2基团的氮硅烷前体：其中R1和R2分别选自线性或支链的C1到C10烷基、线性或支链的C3到C10烯基、线性或支链的C3到C10炔基、C3到C10环烷基、C3到C10杂环烷基、C5到C10芳基和C3到C10杂芳基、C2到C10二烷基胺基、C3到C10环烷基胺基；R3和R4分别选自氢、线性或支链的C1到C10烷基、线性或支链的C2到C10烯基、线性或支链的C2到C10炔基、C3到C10环烷基、C3到C10杂环烷基、C5到C10芳基和C3到C10杂芳基、C2到C10二烷基胺基、C3到C10环烷基胺基；其中在式IA中的R1不能同时为甲基，在式IB中的R1和R2不能同时为异丙基、叔丁基和苯基，而R3和R4不能同时为甲基和苯基。

  公开号：

  US20150147871A1

文献信息

• ORGANOAMINODISILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：US20130319290A1

  公开（公告）日：2013-12-05

  Described herein are precursors and methods for forming silicon-containing films. In one aspect, there is a precursor of following Formula I: wherein R 1 and R 3 are independently selected from linear or branched C 3 to C 10 alkyl group, a linear or branched C 3 to C 10 alkenyl group, a linear or branched C 3 to C 10 alkynyl group, a C 1 to C 6 dialkylamino group, an electron withdrawing and a C 6 to C 10 aryl group; R 2 and R 4 are independently selected from hydrogen, a linear or branched C 3 to C 10 alkyl group, a linear or branched C 3 to C 10 alkenyl group, a linear or branched C 3 to C 10 alkynyl group, a C 1 to C 6 dialkylamino group, an electron withdrawing, and a C 6 to C 10 aryl group; and wherein any one, all, or none of R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 1 and R 3 , or R 2 and R 4 are linked to form a ring.

  本文描述了形成含硅膜的前体和方法。在一个方面，存在以下化学式I的前体：其中R1和R3分别选自直链或支链的C3到C10烷基，直链或支链的C3到C10烯基，直链或支链的C3到C10炔基，C1到C6二烷基氨基团，电子提取基团和C6到C10芳基；R2和R4分别选自氢，直链或支链的C3到C10烷基，直链或支链的C3到C10烯基，直链或支链的C3到C10炔基，C1到C6二烷基氨基团，电子提取基团和C6到C10芳基；其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或R2和R4中的任何一个、全部或没有被连接形成环。
• Syntheses, infrared and Raman vibrational spectra, normal coordinate analyses and 29Si-NMR-Spectra of halogenated disilanes XnSi2H6-n (X = F, Cl, Br, I)
  作者：K. Hassler、W. Köll、K. Schenzel

  DOI：10.1016/0022-2860(95)08661-e

  日期：1995.3
• Aza-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same
  申请人：Versum Materials US, LLC

  公开号：EP2818474B1

  公开（公告）日：2019-10-16
• Method for depositing silicon-containing films using organoaminodisilane precursors
  申请人：Versum Materials US, LLC

  公开号：EP2669249B1

  公开（公告）日：2017-12-20
• Synthesis and Properties of 1,2-Dichlorodisilane and 1,1,2-Trichlorodisilane
  作者：Andreas Gupper、Karl Hassler

  DOI：10.1002/1099-0682(200108)2001:8<2007::aid-ejic2007>3.0.co;2-2

  日期：2001.8

表征谱图