亚砷酸钠 | 60189-99-3

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 碱金属含氧阴离子化合物
• 中文名称: 亚砷酸钠
• 英文名称: sodium arsenite
• 英文别名: Sodium Oxidoarsonous Acid；sodium;dihydrogen arsorite
• CAS: 60189-99-3
• 化学式: AsH₂O₃*Na
• 分子量: 147.925
• InChiKey: OMPOAAVAIXSVJZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -5.68
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  63.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

安全信息

• 危险类别码：
  R52/53,R22,R45,R50/53,R51/53,R23/25

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  亚砷酸钠 在 air 、 HCl 、 nitric oxides 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成 arsenate
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: As: MVol., 124, page 334 - 336

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  sodium hydroxide 、 三氯化砷 以 sodium hydroxide 为溶剂， 生成 亚砷酸钠
  参考文献：
  名称：

  A Revision of the Atomic Weight of Arsenic. The Comparison of Arsenic Trichloride with Iodine Pentoxide

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01332a026
• 作为试剂：
  描述：

  thiosulfate(2-) 在 亚砷酸钠 作用下， 生成 亚硫酸 、 硫化氢 、 sulfur
  参考文献：
  名称：

  Kurtenacker, A.; Czernotzky, A., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1928, vol. 175, p. 367 - 382

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Na: MVol., 219, page 626 - 628
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• ——
  作者：A. V. Smetanin、M. K. Smirnov、I. N. Chernykh、V. V. Turygin、A. V. Khudenko、V. A. Fedorov、A. P. Tomilov

  DOI：10.1023/a:1021831017530

  日期：——

  Electrochemical processes are used to recover elemental arsenic from NaH2AsO3 solutions, oxidize As2O3 suspensions to arsenic acid, and reduce arsenic acid to arsine. The electrolysis conditions are optimized for obtaining elemental arsenic: 0.8-0.9 M NaH2AsO3, 0.03-0.05 A/cm(2), 20-25degreesC. The introduction of tetraalkylammonium salts containing C-9-C-12 substituents, e.g., trimethylcetylammonium bromide, is shown to stabilize the current efficiency in terms of As at a level of 45-50%. The current efficiency of copper cathodes attains 89% in 1-2 M H3AsO4 solutions at a current density of 0.2 A/cm(2). In the electrosynthesis of arsenic acid, quantitative substance and current yields are achieved in 2-3 M HCl solutions. Low-waste processes are proposed for preparing arsenic, H3AsO4, and As2O5 from As2O3. The resulting arsenic is suitable for producing high-purity (99.9999%) material. The physicochemical processes underlying arsine generation are examined, and a bench-scale electrochemical arsine generator is described which can be used in the manufacturing of semiconductor materials.
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: As: MVol., 143, page 379 - 381
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Na: MVol., 354, page 951 - 952
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: S: MVol.B2, 7.6, page 917 - 935
  作者：

  DOI：——

  日期：——