cyclopentadienyl-isopropylcyclopentadienylruthenium(II) | 616193-63-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 芳香烃
• 英文名称: cyclopentadienyl-isopropylcyclopentadienylruthenium(II)
• 英文别名: cyclopenta-1,3-diene;5-propan-2-ylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+)
• CAS: 616193-63-6
• 化学式: C₁₃H₁₆Ru
• 分子量: 273.34
• InChiKey: GKLKDKORJIWSHP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  cyclopentadienyl-isopropylcyclopentadienylruthenium(II) 在 氧气 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 钌
  参考文献：
  名称：

  用于存储电容器集成的薄膜衬底上 CVD Ru 薄膜生长行为的改进

  摘要：

  Ru薄膜是使用环戊二烯丙基环戊二烯基钌~II通过金属有机化学气相沉积生长的！研究了Ta2O5、TiN、Si3N4、SiO 2 、TiO 2 薄膜衬底上的成核和生长行为。观察到衬底薄膜原子之间的键合类型对成核行为具有深远的影响。键合离子越多，成核势垒越小，获得的 Ru 薄膜越光滑。通过在沉积 Ru 膜之前对 TiN 衬底进行 Ar 等离子体处理，成功地改善了具有共价键性质的 TiN 上 Ru 膜的差的成核性能。发现Ar等离子体处理选择性地从表面去除N离子并使TiN表面更具金属性或离子性~由于残留的Ti-O键！并降低成核势垒。此外，由于 Ru 膜的致密化，通过 H2 退火提高了 Ru/TiN 层的抗氧化性。

  DOI：

  10.1149/1.1827595