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n-pentasilane | 14868-53-2

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
n-pentasilane
英文别名
pentasilane;bis(disilanyl)silane
n-pentasilane化学式
CAS
14868-53-2
化学式
H12Si5
mdl
——
分子量
152.523
InChiKey
LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
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物化性质

  • 溶解度:
    与H2O反应

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -5.12
  • 重原子数:
    5
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

SDS

SDS:70ff63d9ab7c92da2d0b7bbad7a17707
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    n-pentasilane 以 further solvent(s) 为溶剂, 以20%的产率得到3-silylhexasilane
    参考文献:
    名称:
    Feher, F.; Fischer, I., Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    正四硅烷二乙胺sodium 以30%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    SCHMIDBAUR, HUBERT;SCHUH, HEINZ, Z. NATURFORSCH. B, 45,(1990) N2, C. 1679-1683
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • The 147-nm photolysis of disilane
    作者:G. G. A. Perkins、F. W. Lampe
    DOI:10.1021/ja00531a017
    日期:1980.5
    photodecomposition of Si/sub 2/H/sub 6/ at 147 nm results in the formation of H/sub 2/, SiH/sub 4/, Si/sub 3/H/sub 8/, Si/sub 4/H/sub 10/, Si/sub 5/H/sub 12/, and a solid film of amorphous silicon hydride (a-Si:H). Three primary processes are proposed to account for the results, namely, (a) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 2/ + SiH/sub 3/ + H (phi/sub a/ = 0.61); (b) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->
    Si/sub 2/H/sub 6/ 在 147 nm 处的光分解导致形成 H/sub 2/、SiH/sub 4/、Si/sub 3/H/sub 8/、Si/sub 4/H /sub 10/、Si/sub 5/H/sub 12/,以及非晶氢化硅(a-Si:H)的固体膜。提出了三个主要过程来解释结果,即 (a) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 2/ + SiH/sub 3 / + H (phi/sub a/ = 0.61); (b) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 3/SiH + 2H (phi/sub b/ = 0.18);(c) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. Si/sub 2/H/sub 5/ + H (phi/sub c/ = 0.21)。总量子产率取决于压力,但在
  • Synthesis of Polysilanes by Tunneling Reactions of H Atoms with Solid Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>at 10 K
    作者:Norihito Sogoshi、Shoji Sato、Hideaki Takashima、Tetsuya Sato、Kenzo Hiraoka
    DOI:10.1246/cl.2009.986
    日期:2009.10.5
    Tunneling reactions of H atoms with solid Si 2 H 6 at 10 K were investigated. The in situ and real-time reactions H + Si 2 H 6 to form silane and polysilanes were monitored using FT-IR. Quantitative analysis of gaseous products was made by thermal desorption spectrometry. Monosilane and polysilanes were detected as major reaction products. The intermediate product SiH 2 was suggested to play an important
    研究了 H 原子与固体 Si 2 H 6 在 10 K 下的隧道反应。使用 FT-IR 监测 H + Si 2 H 6 形成硅烷和聚硅烷的原位和实时反应。通过热解吸光谱法对气态产物进行定量分析。甲硅烷和聚硅烷被检测为主要反应产物。建议中间产物SiH 2 对固体产物的Si-Si网络的生长起重要作用。
  • Diagnostics of the gas-phase thermal decomposition of Si2H6 using vacuum ultraviolet photoionization
    作者:Kenichi Tonokura、Tetsuya Murasaki、Mitsuo Koshi
    DOI:10.1016/s0009-2614(00)00165-2
    日期:2000.3
    Vacuum ultraviolet (VUV) photoionization at 10.2 eV was employed for the detection of gas-phase molecules formed after thermal decomposition of disilane at a total pressure of 30 Torr and in the temperature range of 298–740 K. The SinH2(n+1) (n=3–5) and SinH2n (n=2–5) species resulting from disilane pyrolysis in a flow reactor were directly observed using time-of-flight mass spectrometry. Unlike multiphoton
    在10.2 eV的真空紫外(VUV)光电离被用于检测乙硅烷在30 Torr的总压力和298–740 K的温度范围内热分解后形成的气相分子。Si n H 2(n使用飞行时间质谱法直接观察到在流动反应器中乙硅烷热解产生的+1)(n = 3-5)和Si n H 2 n(n = 2-5)物质。与在6.4 eV光子下的多光子电离不同,在10.2 eV的VUV单光子电离没有观察到碎片。
  • Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Mg: MVol.A3, 1.2, page 388 - 405
    作者:
    DOI:——
    日期:——
  • Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: F: SVol.3, 2.1.13.8.5, page 296 - 298
    作者:
    DOI:——
    日期:——
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