Germane--gold (1/1) | 12256-41-6

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: Germane--gold (1/1)
• 英文别名: germane;gold
• CAS: 12256-41-6
• 化学式: Au₀Ge₀
• 分子量: 99.9528
• InChiKey: PVKWSTFOPFQQQV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  氢化钇 、 Germane--gold (1/1) 以 melt 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Y–Au-Ge 1/1 Tsai 型准晶近似材料和具有 Gd14Ag51 结构类型的 Y14(Au,Ge)51 的合成、结构和物理性质

  摘要：

  对Y-Au-Ge体系中伪二元部分Y x (Au 0.70 Ge 0.30 ) 100-x (3 < x < 18)的富Au-Ge部分的探索得到了金属间化合物Y 3 (Au 0.7054 Ge) 0.2946 ) 19-x (x ≈ 0.38) 和 Y 14 (Au 0.8313 Ge 0.1687 ) 51，它们是立方1/1 Tsai型近似晶体（YbCd 6母型，空间群Im ）的新代表 3‾.) 和六方Gd 14 Ag51 结构类型（空间群P6/m）。Y3(Au0.7054Ge0.2946)19-x包晶分解成Y14(Au,Ge)51相并在700℃左右熔化。在这方面，Y-Au-Ge 体系不同于 Y-Au-Si 体系，Y-Au-Si 体系首先包含第二种类型的具有较高 Y 含量的 1/1 近似晶相 Y 3。25 (Au,Si) 18-x (x ≈ 0.11)，其次，在较高的 Y 成分附近，存在化学计量且有序的四方相

  DOI：

  10.1016/j.jssc.2023.124246
• 作为产物：
  描述：

  金 、 锗烷 生成 Germane--gold (1/1)
  参考文献：
  名称：

  自旋轨道劈裂和AuSi等低洼的电子态和由AuGe：负离子光电子能谱和从头计算计算

  摘要：

  我们测量了双原子AuSi –和AuGe –的光电子光谱，并对AuSi – / 0和AuGe – / 0的结构和电子性能进行了计算。在CASSCF计算/ CASPT2水平证实AuSi等的，在实验中观察到的光谱特征-与由AuGe -可以归因于从所述的过渡3 Σ -阴离子基态到2 Π（2 Π 1/2和2 Π 3/2），4 Σ -，3 2 Σ +，和42个Σ +它们的中性同行的电子态。通过实验确定AuSi和AuGe的电子亲和力（EA）分别为1.54±0.05和1.51±0.05 eV。自旋-轨道分裂（2 Π 1/2 - 2 Π 3/2）在这项工作中测量AuSi等和由AuGe的都与文献值一致。的之间的能量差4 Σ -（A）和2 Π 1/2这项工作中获得的AuSi的状态与文献中的值合理地相符，而这项工作中通过阴离子光电子能谱获得的AuGe的状态略大于中性发射光谱法中的文献值。的术语能量3 2 Σ +（B）和4

  DOI：

  10.1021/acs.jpca.8b01366

文献信息

• Gold-induced germanium crystallization
  作者：Zhengquan Tan、S. M. Heald、M. Rapposch、C. E. Bouldin、J. C. Woicik

  DOI：10.1103/physrevb.46.9505

  日期：——

  When in contact with metal, amorphous silicon (a-Si) or germanium (a-Ge) often crystallize at temperatures significantly lower than in their bulk form. In order to understand the role of the contact metal, we have studied the crystallization process of a-Ge/Au bilayers and codeposited a-Ge1-xAux films (x=0.04 and 0.22) by measuring the Ge and Au extended x-ray-absorption fine structure. Upon isothermal annealing, the Ge/Au bilayer crystallizes at 170-degrees-C, and concomitantly, a large amount of Au migrates into the Ge top layer. For codeposited films, the x=0.22 sample crystallizes at 130-degrees-C and the x=0.04 sample at 330-degrees-C. In the amorphous x=0.04 and 0.22 films, each Au atom on the average is bound with one to two Ge atoms at 2.4 angstrom, but does not have Au neighbors. As the films crystallize, Au transforms into fcc gold in the x=0.22 sample but remains bound with Ge in the x=0.04 sample. Our results demonstrate that Au-Ge bonding is significant in the a-Ge and may play an important role in lowering the Ge crystallization temperature.