cobalt germanide | 12516-10-8

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: cobalt germanide
• 英文别名: cobalt digermanide；Cobalt--germane (1/2)；cobalt;germane
• CAS: 12516-10-8
• 化学式: CoGe₂
• 分子量: 204.173
• InChiKey: QVKNBBBFZCCFHA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.91
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 钴 以 melt 为溶剂， 生成 cobalt germanide
  参考文献：
  名称：

  Dezsi, I.; Engelmann, H.; Gonser, U., Physica status solidi. A, Applied research

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Metallocages for Metal Anions: Highly Charged [Co@Ge ₉ ] ⁵⁻ and [Ru@Sn ₉ ] ⁶⁻ Clusters Featuring Spherically Encapsulated Co ¹⁻ and Ru ²⁻ Anions
  作者：Benedikt J. L. Witzel、Wilhelm Klein、Jasmin V. Dums、Marina Boyko、Thomas F. Fässler

  DOI：10.1002/anie.201907127

  日期：2019.9.9

  compositions “K5Co1.2Ge9” and “K4Ru3Sn7” exhibit characteristic bonding modes originating from metal atoms in the center of polyhedral clusters, thus revealing that filled clusters are present in these alloys. We report also on the structural characterization of [Co@Ge9]5− (1a) and [Ru@Sn9]6− (2a) obtained from solutions of the respective alloys.

  内六面体团簇可作为金属间化合物的分子模型，金属间化合物是一类几乎不了解键合原理的化合物。在本文中，我们报道了迄今为止在单个簇上具有最高电荷的可溶性簇阴离子。这些簇反映了金属间化合物中金属间簇和相应配位多面体之间的相似性。现在，我们将拉曼光谱学确立为可靠的探针，以首次确定金属间相中存在离散的，内层填充的团簇。标称成分为“ K 5 Co 1.2 Ge 9 ”和“ K 4 Ru 3 Sn 7 ”的三元前体合金”表现出源自多面体簇中心金属原子的特征键合模式，因此表明这些合金中存在填充簇。我们还报告了从相应合金溶液中获得的[Co @ Ge 9 ] 5−（1a）和[Ru @ Sn 9 ] 6−（2a）的结构特征。
• Influence of Ge substrate crystallinity on Co germanide formation in solid-state reactions
  作者：K. Opsomer、D. Deduytsche、C. Detavernier、R. L. Van Meirhaeghe、A. Lauwers、K. Maex、C. Lavoie

  DOI：10.1063/1.2431781

  日期：2007.1.15

  A strong influence of substrate crystallinity is observed for thin-film Co∕Ge reactions. For the detected phases (CoGe, Co5Ge7, and CoGe2), the formation temperatures on amorphous Ge (a-Ge) are found to be the lowest, while the highest are on single-crystalline Ge(100). Moreover, while the phase sequence on Ge(100) and polycrystalline Ge (poly-Ge) was unaltered, the formation of intermediate Co5Ge7

  对于薄膜 Co∕Ge 反应，观察到衬底结晶度的强烈影响。对于检测到的相 (CoGe、Co5Ge7 和 CoGe2)，发现非晶 Ge (a-Ge) 的形成温度最低，而单晶 Ge(100) 的形成温度最高。此外，虽然 Ge(100) 和多晶 Ge (poly-Ge) 的相序没有改变，但在 a-Ge 上没有观察到中间体 Co5Ge7 的形成。这可能是由于促进了 a-Ge 上的 形成，导致形成温度降低约 200°C（取决于斜坡速率）。这些观察结果表明这些富锗相的形成之间存在强烈的竞争。
• Daeyr, Andre; Feschotte, Pierre, Journal of the Less-Common Metals, 1980, vol. 72, p. 51 - 70
  作者：Daeyr, Andre、Feschotte, Pierre

  DOI：——

  日期：——