tungsten mononitride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: tungsten mononitride
• 英文别名: Azane;tungsten
• 化学式: NW
• 分子量: 197.857
• InChiKey: OYASCWOZHBYIGC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.16
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tungsten mononitride 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 钨
  参考文献：
  名称：

  通过双（叔丁基亚氨基）双（二甲基酰胺）钨和氨原子层沉积生长的氮化钨薄膜的扩散阻挡特性

  摘要：

  氮化钨 (WN) 的高度均匀、光滑和保形涂层是通过原子层沉积 (ALD) 从双（叔丁基亚氨基）双（二甲基酰胺）钨和氨气的蒸气中合成的。这些薄膜是有光泽的、银色的并且是导电的。薄膜在沉积时是无定形的。在纵横比大于 40:1 的孔内获得 100% 阶梯覆盖。事实证明，薄至 1.5 nm 的 WN 薄膜在高达 600 °C 的温度下是铜扩散的良好屏障。在高于 725 °C 的温度下退火 30 分钟将 WN 转化为纯的多晶钨金属。铜在 WN 表面上的 ALD 产生了牢固粘附的铜膜，可用作化学气相沉积或电沉积较厚铜涂层的“种子”层。

  DOI：

  10.1063/1.1565699
• 作为产物：
  描述：

  ditungsten trinitride 2200.0 ℃ 、3000.05 MPa 条件下， 反应 0.25h， 生成 tungsten mononitride
  参考文献：
  名称：

  反向电子状态引起的TM–TM连接对过渡金属（TM = Cr，W）单氮化物硬度的影响

  摘要：

  最近的报道揭露了高硬度的惊人因素，即过渡金属（TM）原子之间的连接可以提高硬度，这与通常的理解相反，即TM–TM将削弱作为金属源的硬度。令人惊讶的是，一个TM–TM键具有两个相反的机械特性。为了揭示内在原因，我们研究了两种合适的单氮化物CrN和WN，它们具有相同的发光元素（LE）含量和化合价电子浓度。在高压下通过新的复分解反应合成了两种高质量的化合物，CrN的维氏硬度为13.0 GPa，WN的维氏硬度为20.0 GPa。结合理论计算，我们发现TM–TM中d电子的强相关性会严重影响硬度。因此，我们对先前的硬度因子提出了补充性建议，即应避免在TM-TM中接近费米能级的反键d电子态，并且在TM-TM中强的d共价键耦合对高硬度非常有益。我们的结果对于进一步设计高硬度多功能TM和LE化合物非常重要。

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.9b02634

文献信息

• Characteristics of ALD Tungsten Nitride Using B2H6, WF6, and NH3 and Application to Contact Barrier Layer for DRAM
  作者：Soo-Hyun Kim、Jun-Ki Kim、Ju Hee Lee、Nohjung Kwak、Jinwoong Kim、Sung-Hoon Jung、Mi-Ran Hong、Sang Hyeob Lee、Josh Collins、Hyunchul Sohn

  DOI：10.1149/1.2742913

  日期：——

  Tungsten nitride (WN x ) thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) within the temperature range of 200-350°C from diborane (B 2 H 6 ), tungsten hexafluoride (WF 6 ), and ammonia (NH 3 ) for application to a contact barrier layer in dynamic random access memory (DRAM). Herein, B 2 H 6 was used as an additional reducing agent to produce a low-resistivity ALD-WN x film, and its resistivity

  氮化钨 (WN x ) 薄膜通过原子层沉积 (ALD) 在 200-350°C 的温度范围内从乙硼烷 (B 2 H 6 )、六氟化钨 (WF 6 ) 和氨 (NH 3 ) 中生长，用于应用于动态随机存取存储器 (DRAM) 中的接触势垒层。在本文中，B 2 H 6 用作附加还原剂以制备低电阻率 ALD-WN x 薄膜，其电阻率在 300-410 μΩ cm 范围内，取决于约 10 nm 厚的沉积条件电影。随着沉积温度的升高，观察到生长速率增加，但在 275 至 300°C 的温度范围内获得了几乎恒定的约 0.28 nm/循环的生长速率。沉积膜的特性，包括电阻率、W/N 比、密度、B 和 F 杂质含量以及相，受沉积温度和 B 2 H 6 流速的影响。随着沉积温度和B 2 H 6 流量的增加，W/N比和薄膜密度增加，杂质含量减少，导致薄膜电阻率降低。发现增加的 W/N 比有利于形成面心立方 β-W
• A family of oxide–carbide–carbon and oxide–nitride–carbon nanocomposites
  作者：Z. Schnepp、M. J. Hollamby、M. Tanaka、Y. Matsushita、Y. Xu、Y. Sakka

  DOI：10.1039/c3cc47480a

  日期：——

  This paper describes a powerful and versatile approach that combines the benefits of sol–gel processing with controlled phase separation to yield oxide–carbide–carbon or oxide–nitride–carbon nanocomposites.

  本文描述了一种强大而多用途的方法，该方法将溶胶-凝胶处理的优点与受控相分离相结合，以获得氧化物-碳化物-碳或氧化物-氮化物-碳纳米复合材料。
• Understanding the Nature of Ammonia Treatment to Synthesize Oxygen Vacancy-Enriched Transition Metal Oxides
  作者：Dali Liu、Changhong Wang、Yifu Yu、Bo-Hang Zhao、Weichao Wang、Yonghua Du、Bin Zhang

  DOI：10.1016/j.chempr.2018.11.001

  日期：2019.2

  Oxygen vacancies (OVs) have emerged as an important strategy to modulate the electronic structures, conductivity, and catalytic performance of transition metal oxides (TMOs). A few studies reported that OVs could be formed in N-doped TMOs during ammonia treatment. However, the OV-enriched TMOs without N-doping obtained through ammonia treatment are still unreported and their mechanism is unclear. Herein

  氧空位（OVs）已经成为调节过渡金属氧化物（TMOs）的电子结构，电导率和催化性能的重要策略。一些研究报告说，在氨处理过程中，N掺杂的TMO中可能会形成OV。然而，仍未报道通过氨处理获得的没有N掺杂的OV富集的TMO，其机理尚不清楚。在这里，我们通过实验和理论研究来证明氨处理的机理。基于此机制，我们开发了一种简便的方法，无需N掺杂即可合成富含OV的蓝色WO 3 - x多孔纳米棒（OBWPN）。OBWPN具有光热还原CO 2 -H 2 O到CH 4的良好性能。没有任何外部助催化剂或牺牲剂。另外，低温氨辅助还原处理是在其他TMO中产生OV并提高光催化氢生成性能的通用策略。这项工作对于理解氨处理的性质和促进富含OV的TMO的广泛应用具有重要意义。
• Infrared Spectra, Structure, and Bonding of the Group 6 and Ammonia M:NH₃, H₂N−MH, and N≡MH₃ Reaction Products in Solid Argon
  作者：Xuefeng Wang、Lester Andrews

  DOI：10.1021/om8003459

  日期：2008.10.13

  undergo oxidative addition reactions with ammonia during condensation in excess argon. The subject molecules were trapped in solid argon and identified by isotopic shifts and DFT frequency calculations. The 1:1 metal−ammonia complexes increased on annealing and photoisomerized to H2N−MH and then to N≡MoH3 and N≡WH3, but N≡CrH3 is too high in energy to be formed here. These products also increased slightly

  激光烧蚀后的铬，钼和钨原子在过量的氩气中冷凝时会与氨发生氧化加成反应。将目标分子捕获在固体氩气中，并通过同位素位移和DFT频率计算进行鉴定。1：1的金属-氨络合物增加了退火和photoisomerized至H 2的N- MH然后N≡MoH 3和N≡WH 3，但N≡CrH 3是过高的能量在这里形成。这些产物在退火时也略有增加，这表明第6族金属原子与氨之间的自发反应。该N≡MoH 3和N≡WH 3 分子包含完全形成的三键，有效键序为2.91和2.92（使用B3LYP密度泛函计算）和末端金属氮化物键长，与针对较大有机金属配合物测得的长度一致。
• Photothermally assisted photocatalytic conversion of CO₂–H₂O into fuels over a WN–WO₃ Z-scheme heterostructure
  作者：Dali Liu、You Xu、Mengyao Sun、Yi Huang、Yifu Yu、Bin Zhang

  DOI：10.1039/c9ta10629d

  日期：——

  achieve an efficient water-based CO2 conversion performance is still highly challenging. Herein, we construct a WN–WO3 Z-scheme heterostructure to exploit the wide solar spectrum for efficient CO2–H2O conversion into fuels (H2, CO, and CH4) without any sacrificial agents. After 5 h irradiation, the yields of H2, CO, and CH4 are 3.0, 1.4, and 1.9 times higher than that of WN, respectively. The activity improvement

  将CO 2转化为增值燃料已被认为是解决环境问题和能源危机的有前途的解决方案。但是，光催化CO 2转化效率低。另外，在大多数传统的光催化反应中不能正确利用太阳光谱中的红外光。因此，寻找利用宽广的太阳光谱以实现有效的水基CO 2转化性能的光催化剂仍然是极富挑战性的。在本文中，我们构建了WN–WO 3 Z方案异质结构，以利用宽广的太阳光谱将CO 2 –H 2 O有效转化为燃料（H 2，CO和CH 4），无需任何牺牲剂。照射5小时后，H 2，CO和CH 4的产率分别比WN高3.0倍，1.4倍和1.9倍。活性的提高归因于WN–WO 3异质结构在紫外-可见光照射下的直接Z方案机理。此外，WN-WO 3异质结构还利用太阳光中的红外光通过光热转换产生热量，从而进一步加速了这种转换反应。这项工作为设计过渡金属氮化物/氧化物异质结构提供了独特的视角，并为提高CO 2转化为燃料的性能开辟了一条新途径。