摘要 脉冲激光沉积 (PLD) 似乎是一种非常有效的材料合成工具。填隙化合物如
氢化物、
碳化物和
氮化物通常由 PLD 的反应变化产生。在这项研究中,基于 PLD 的有条理的程序用于通过在分子
氮环境中烧蚀纯元素目标来合成含
氮薄膜。所得薄膜通过 X 射线光电子 (XP)、俄歇电子 (
AE) 和电子能量损失 (EEL) 光谱进行原位分析。我们的方法证实了这些薄膜的光谱特性存在显着的规律性。例如,d-
金属中所含
氮的 N-KVV 俄歇跃迁分为三个主要能带和几个附加子带。对于主要乐队,它们的相对强度与 d 轨道中的电子种群相关,而子带可能与主带的能量损失相关。我们建议主要带反映
氮和伙伴元素之间的键合、非键合和反键合相互作用。通过 X
PS 测量,可以检测到核心级能量偏移,它们与薄膜中掺入的
氮量有关。在 EELS 部分,介绍了纯元素和
氮化物的损耗结构之间的关联。除了少数例外,
氮化物的体等离子体能量大于纯元素,表明
氮化物的电子密度增加。给出了