Manganese-germanium | 59125-33-6

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: Manganese-germanium
• 英文别名: Manganese germanide；germane;manganese
• CAS: 59125-33-6
• 化学式: GeMn
• 分子量: 127.528
• InChiKey: GEUQFIWONTVBPW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Manganese-germanium 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 、 锗烷
  参考文献：
  名称：

  立方B20结构的MnGe和CoGe的高压合成及电磁性能

  摘要：

  使用带式高压装置在4–5.5 GPa和600–1000°C的温度下，在1-3小时内合成了具有立方B20结构的MnGe和CoGe。MnGe和CoGe都是反铁磁性的，其Néel温度分别为197和120K。人们期望这些化合物中有0.7电子从锗转移到过渡金属。MnGe和CoGe的电阻率，热电功率和磁化率与温度的反常关系是由于“温度感应的局部力矩”引起的。

  DOI：

  10.1016/0022-4596(88)90051-5
• 作为产物：
  描述：

  锰 、 锗烷 以 melt 为溶剂， 生成 Manganese-germanium
  参考文献：
  名称：

  B20 型高压相 FeGe 和 MnGe 的结构和热稳定性

  摘要：

  具有非中心对称 B20 型晶体结构的 FeGe 和 MnGe 的高压合成相中的稳定性和相变使用从头算密度泛函计算在理论上进行了研究，并通过差示扫描量热法进行了实验研究。对于磁性状态的两种锗元素，进化遗传搜索产生相同的一组优选等原子多晶型物。对于 FeGe，该结果与可用的理论和实验信息一致，而对于 MnGe，除了已知的亚稳态 B20 相之外，我们还发现了新的假设相。非磁性 MnGe 的基态意外地由四方结构表示，对于 pd 键合的AB来说非常不寻常- 型化合物。根据我们的计算，对于给定的输入化学成分，可以通过零温度进化搜索有效地建立在有限温度（和压力）下稳定的结构的存在，如果该结构出现在最低的输出短名单中——能量状态。所呈现的亚稳态 FeGe 和 MnGe 相的量热研究表明，它们在加热时的行为主要取决于制备方法和样品历史。

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2021.161565

文献信息

• Magnetic and transport properties of homogeneous MnxGe1−x ferromagnetic semiconductor with high Mn concentration
  作者：Y. X. Chen、Shi-shen Yan、Y. Fang、Y. F. Tian、S. Q. Xiao、G. L. Liu、Y. H. Liu、L. M. Mei

  DOI：10.1063/1.2436710

  日期：2007.1.29

  Homogeneous MnxGe1−x ferromagnetic semiconductor films with high Mn concentration were prepared, contrasting with dilute inhomogeneous MnxGe1−x magnetic semiconductors. The saturation magnetization of Mn0.57Ge0.43 films is high, up to 327emu∕cm3 (1.04μB∕Mn) at 5K, and the Curie temperature is about 213K. The Mn0.57Ge0.43 films show semiconducting resistance, but the magnetoresistance is negligibly

  制备了具有高 Mn 浓度的均质 MnxGe1-x 铁磁半导体薄膜，与稀释的非均质 MnxGe1-x 磁性半导体形成对比。Mn0.57Ge0.43薄膜的饱和磁化强度较高，5K时可达327emu∕cm3（1.04μB∕Mn），居里温度约为213K。Mn0.57Ge0.43 薄膜显示出半导体电阻，但磁阻小到可以忽略不计。在居里温度以下观察到异常霍尔效应，这与磁测量结果一致。基于弱局域化的 s,p 空穴载流子与强局域化 Mn 原子的 d 电子之间的 s,pd 交换耦合讨论了全局铁磁性。
• Magneto-optical and magnetotransport properties of amorphous ferromagnetic semiconductor Ge1−xMnx thin films
  作者：Shinsuke Yada、Satoshi Sugahara、Masaaki Tanaka

  DOI：10.1063/1.3023070

  日期：2008.11.10

  The authors investigate the magnetooptical and magnetotransport properties of Mn-doped amorphous Ge (a-Ge1−xMnx) thin films deposited on thermally oxidized Si substrates. Magnetic circular dichroism measurements reveal that their ferromagnetic ordering appears for x>0.02 and the films show magnetically homogeneous behavior. The resistivity of the films decreases with increasing x, and the temperature

  作者研究了沉积在热氧化硅衬底上的 Mn 掺杂非晶 Ge (a-Ge1-xMnx) 薄膜的磁光和磁传输特性。磁性圆二色性测量表明，当 x>0.02 时它们的铁磁有序出现，并且薄膜显示出磁性均匀的行为。薄膜的电阻率随着 x 的增加而降低，并且电阻率的温度依赖性显示出类似半导体的行为。a-Ge1-xMnx 薄膜的异常霍尔效应也表现出铁磁行为。磁化的温度依赖性与磁光和磁传输结果的温度依赖性一致。这些结果表明 a-Ge1-xMnx 薄膜表现为铁磁半导体。
• Strong anisotropy of magnetization and sign reversion of ordinary Hall coefficient in single crystal Ge1−xMnx magnetic semiconductor films
  作者：J. X. Deng、Y. F. Tian、S. M. He、H. L. Bai、T. S. Xu、S. S. Yan、Y. Y. Dai、Y. X. Chen、G. L. Liu、L. M. Mei

  DOI：10.1063/1.3206664

  日期：2009.8.10

  single-crystal Ge1−xMnx ferromagnetic-semiconductor films were fabricated on Ge(001) substrates by molecular beam epitaxy. All the samples are ferromagnetic and have strong magnetic anisotropy indicated by different magnetization in plane and out of plane. The electrical transport of the films obeys Efros variable range hopping law in the low temperature range. Interestingly, a negative coefficient of the

  通过分子束外延在 Ge(001) 衬底上制造外延单晶 Ge1−xMnx 铁磁半导体薄膜。所有样品都是铁磁性的，具有很强的磁各向异性，表现为平面内和平面外不同的磁化强度。薄膜的电传输在低温范围内遵循 Efros 可变范围跳跃定律。有趣的是，在低温下的可变范围跳跃中发现了 p 型载流子的普通霍尔效应的负系数。在居里温度以下观察到 Ge0.949Mn0.051 薄膜中的异常霍尔效应，表明载流子介导的本征铁磁性。
• Growth and properties of magnetron cosputtering grown MnxGe1−x on Si (001)
  作者：Lifeng Liu、Nuofu Chen、Yi Wang、Xing Zhang、Zhigang Yin、Fei Yang、Chunlin Chai

  DOI：10.1016/j.ssc.2005.11.008

  日期：2006.1

  We have grown MnxGe1-x films (x=0, 0.06, 0.1) on Si (001) substrates by magnetron cosputtering, and have explored the resulting structural, morphological, electrical and magnetic properties. X-ray diffraction results show there is no secondary phase except Ge in the Mn0.06Ge0.94 film while new phase appears in the Mn0.1Ge0.9 film. Nanocrystals are formed in the Mn0.06Ge0.94 film, determined by field-emission scanning electron microscopy. Hall measurement indicates that the Mn0.06Ge0.94 film is p-type semiconductor and hole carrier concentration is 6.07 X 10(19) cm(-3) while the MnxGe1-x films with x=0 has n-type carriers. The field dependence of magnetization was measured using alternating gradient magnetometer, and it has been indicated that the Mn0.06Ge0.94 film is ferromagnetic at room temperature. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
• Local chemical distribution and electronic structure of Ge1−T DMS single crystals (T=Cr, Mn, Fe)
  作者：J.-S. Kang、G. Kim、S.S. Lee、S. Choi、S. Cho、S.W. Han、H.J. Shin、B.I. Min

  DOI：10.1016/j.jmmm.2006.02.036

  日期：2006.9

  The spatial concentration distribution and local electronic structure of ferromagnetic Ge1-xTx (T = Cr, Mn, Fe) DMS single crystals have been investigated by using scanning photoelectron microscopy (SPEM), X-ray absorption spectroscopy (XAS), and photoemission spectroscopy (PES). It is found that doped T ions in Ge1-xTx crystals are chemically phase-separated, suggesting that the observed ferromagnetism arises from the phase-separated T-rich phases in Ge1-xTx. (C) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.