vanadium ditelluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: vanadium ditelluride
• 英文别名: vanadium(IV) telluride
• 化学式: Te₂V
• 分子量: 306.142
• InChiKey: ACMKOXSQFXLONK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.83
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  碲化氢 、 钒 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 vanadium ditelluride
  参考文献：
  名称：

  Solid-state tellurium-125 nuclear magnetic resonance studies of transition-metal ditellurides †

  摘要：

  固态125Te NMR研究了氧化态从–II到VI的含碲无机化合物。通过模拟魔角旋转（MAS）NMR谱图，确定了Te(OH)6、TeCl4、TeO2和元素碲的化学位移张量。通过MAS和静态125Te NMR技术研究了二元过渡金属二碲化物。观察到的MTe2 NMR位移范围大约从500到8000 ppm（来自水相Te(OH)6），并且显示出与预期的碲氧化态相关。尝试分离化学位移和奈特位移的贡献。

  DOI：

  10.1039/a704757f

文献信息

• Universal Method for Large-Scale Synthesis of Layered Transition Metal Dichalcogenides
  作者：Zdeněk Sofer、David Sedmidubský、Jan Luxa、Daniel Bouša、Štěpán Huber、Petr Lazar、Martin Veselý、Martin Pumera

  DOI：10.1002/chem.201701628

  日期：2017.7.26

  Here an optimized procedure for simple direct synthesis of transition metal dichalcogenides using powder metals and elemental chalcogens is reported. The optimized thermal treatment allowed the synthesis scaling of the sulfides, selenides and tellurides of 4th, 5th, 6th, and 7th group of layered‐structure dichalcogenides. The synthesized transition metal dichalcogenides were single phase. The phase

  层状过渡金属二卤化物是目前研究最深入的材料之一。这些化合物构成了广泛的材料家族，具有特征性的分层结构，涵盖了半导体和金属材料。引起极大关注的是，这些材料可能会剥落成具有许多独特特性的单层，例如与厚度相关的带隙能量，以及通过相变调整传输特性的可能性。过渡金属二卤化物的高电催化活性也促进了它对几种工业上重要的反应（如氢气释放反应）以及在纳米电子和光电子学中的许多其他应用的研究。尽管对这些材料进行了深入的研究，它们的可用性极为有限，仅钼和钨的二硫化物可广泛地在市场上买到。此处报道了一种使用粉末金属和元素硫属元素化合物直接直接合成过渡金属二卤化物的优化方法。通过优化的热处理，可以对第4、5、6和7组层状双金属二硫化物的硫化物，硒化物和碲化物进行合成定标。合成的过渡金属二卤化物是单相的。通过电子显微镜和EDS，X射线衍射和拉曼光谱对相纯度，结构和形态进行了详细研究。此处报道了一种使用粉末金属和元素硫
• 125Te Mössbauer spectroscopic study of layered transition metal ditellurides with interlayer communication
  作者：R. Guzmán、J. Morales、J.L. Tirado、M.L. Elidrissi Moubtassim、J.C. Jumas、G. Langouche

  DOI：10.1016/0038-1098(95)00483-1

  日期：1995.12

  Abstract The 125 Te Mossbauer spectroscopy of different 1T-transition metal ditellurides shows that the values of the isomer shift are dependent on the degree of the TeTe interlayer interactions which decrease the 5 p population by Te( p )-M( d ) electron donation. The quadrupole splitting values are consistent with the departure from the ideal 1T-structure. For 2HMoTe 2 , the Mossbauer parameters are

  摘要 不同 1T-过渡金属二碲化物的 125 Te Mossbauer 光谱表明，异构体位移的值取决于 TeTe 层间相互作用的程度，该相互作用通过 Te( p )-M( d ) 电子减少 5 p 布居。捐款。四极分裂值与理想 1T 结构的偏离一致。对于 2HMoTe 2 ，Mossbauer 参数受钼原子环境畸变的影响，该畸变是由该固体颗粒中的大量层弯曲引起的。
• Cytotoxicity of Group 5 Transition Metal Ditellurides (MTe₂; M=V, Nb, Ta)
  作者：Hui Ling Chia、Naziah Mohamad Latiff、Zdenĕk Sofer、Martin Pumera

  DOI：10.1002/chem.201704316

  日期：2018.1.2

  Much research effort has been put in to study layered compounds with transition metal dichalcogenides (TMDs) being one of the most studied compounds. Due to their extraordinary properties such as excellent electrochemical properties, tuneable band gaps, and low shear resistance due to weak van der Waals interactions between layers, TMDs have been found to have wide applications such as electrocatalysts

  已经投入了大量的研究努力来研究层状化合物，其中过渡金属二卤化二异氰酸酯（TMD）是研究最多的化合物之一。由于其非凡的性能，例如出色的电化学性能，可调节的带隙以及由于层之间的弱范德华相互作用而导致的低剪切阻力，TMD被发现具有广泛的应用，例如用于析氢反应的电催化剂，超级电容器，生物传感器，领域效果晶体管（FET），光伏电池和润滑剂添加剂。在最近几年中，第5组过渡金属二碲化物受到了巨大的研究关注。然而，迄今为止，人们对这些材料带来的潜在毒性知之甚少。因此，2 ; M ＝ V，Nb，Ta）与人肺癌上皮A549细胞一起24小时，并测量治疗后的剩余细胞活力。我们的发现表明VTe 2具有剧毒，而NbTe 2和TaTe 2被认为具有中等毒性。这项研究是迈向了解第5组过渡金属二碲化物毒性作用的示例性第一步，以准备将来可能的商业化。
• The crystal structure of vanadium ditelluride, V1+xTe2
  作者：K.D. Bronsema、G.W. Bus、G.A. Wiegers

  DOI：10.1016/0022-4596(84)90120-8

  日期：1984.7

  Vanadium ditelluride, V1.04Te2, has a Cd(OH)2-type structure with unit cell dimensions ah = 3.638 Å and ch = 6.582 Å above the transition temperature Tt of 482 K. Below Tt the structure is monoclinic, space group C2m, with cell dimensions am = 18.984 Å(≈3ah√3), bm = 3.5947 Å (≈ah), cm = 9.069 Å (≈√(3a2h + c2h)), β = 134.62°. This low-temperature form is isostructural with NbTe2 and TaTe2 (which do

  二碲化钒V 1.04 Te 2具有Cd（OH）2型结构，在482 K的转变温度T t之上，晶胞尺寸a h = 3.638Å，c h = 6.582Å 。在T t以下，该结构是单斜晶的，空间群C2m的，与细胞的尺寸一米= 18.984埃（≈3一个ħ √3），b米= 3.5947埃（≈一个ħ），C ^米= 9.069埃（≈√（3一2 ħ + c ^ 2 ħ）），β= 134.62°。这种低温形式与NbTe 2和TaTe 2（不显示相变）是同构的。钒原子形成双曲折链，VV距离为3.316Å，扭曲了Te晶格。由于在两个等效方向上同时发生了二碲化钒钒的Cd（OH）2型结构变形，因此观察到了复杂的衍射图样。Nb和Ta二碲化物也发现了类似的模式。
• Comparative study of Kondo effect in Vanadium dichalcogenides VX2 (X=Se & Te)
  作者：Indrani Kar、Susanta Ghosh、Shuvankar Gupta、Sudip Chakraborty、S. Thirupathaiah

  DOI：10.1016/j.physb.2023.415532

  日期：2024.2

  We report on the electrical transport, magnetotransport, and magnetic properties studies on the transition metal dichalcogenides VSe2 and VTe2 and draw a comprehensive comparison between them. We observe Kondo effect in both systems induced by the exchange interaction between localized moments and conduction electrons at low temperature, resulting into resistance upturn at 6 K for VSe2 and 17 K for

  我们报道了过渡金属二硫化物VSe 2和VTe 2的电输运、磁输运和磁性能研究，并对它们进行了全面的比较。我们在两个系统中都观察到由低温下局域矩和传导电子之间的交换相互作用引起的近藤效应，导致VSe 2的电阻在6 K 和VTe 2的17 K 时。从场相关电阻测量中我们发现，对于 VSe 2，数据最适合使用经量子布里渊函数校正的修正哈曼方程，而对于 VTe 2，数据最适合使用经经典朗之万函数校正的修正哈曼方程。有趣的是，我们观察到这些系统在近藤温度范围内具有对比的磁阻（MR）特性。这意味着在近藤州的两个系统中都发现了负 MR。在正常状态下，MR对于VSe 2为正，而对于VTe 2可以忽略不计。此外，由于插入的V原子，两个体系在低温下都表现出弱铁磁性。