indium monoxide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属有机物
• 英文名称: indium monoxide
• 英文别名: indium(I)-oxide；indium oxide；indigane;hydrate
• 化学式: In₂O
• 分子量: 245.639
• InChiKey: XGIMTCRVAUTBIF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.19
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  31.5
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  indium monoxide 在 H₂ 作用下， 生成 indium
  参考文献：
  名称：

  Klemm, W.; Vogel, H. U. v., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1934, vol. 219, p. 48 - 59

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  indium(III) oxide 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 indium monoxide
  参考文献：
  名称：

  InAs(001)-(4×2)表面氧化物的界面原子键结结构

  摘要：

  通过扫描隧道显微镜研究了通过气相沉积 In2O 和 SiO 氧化物在 InAs001-4 2 上形成的氧化物单层和亚单层。在低覆盖率下，In2O 分子结合到行的边缘，并且很可能与表面形成新的 In-As 键，而不会破坏干净的表面结构。将 In2O/InAs001-4 2 表面退火至 380°C 会导致形成平坦有序的单层矩形岛。退火的 In2O 不再仅与行边缘的 As 原子键合，还会在槽中形成新的 O-In 键。InAs001-4 2 上的SiO 化学吸附与In2O 化学吸附完全不同。在室温下，即使在低覆盖率的情况下，SiO 吸附物也会与自身结合并形成纳米团簇。对于 SiO/InA001-4 2 ，沉积后退火不会将纳米团簇分散成平坦的岛。

  DOI：

  10.1149/1.3501053

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: P: MVol.B, 3.4.2.3, page 310 - 316
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Infrared matrix-isolation studies of the interactions and reactions of Group 3A metal atoms with water
  作者：R. H. Hauge、J. W. Kauffman、J. L. Margrave

  DOI：10.1021/ja00539a005

  日期：1980.9
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: In: MVol., 3.3.1, page 64 - 65
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Swanson, A. B.; Anderson, J. S., Materials Research Bulletin, 1968, vol. 3, p. 149 - 152
  作者：Swanson, A. B.、Anderson, J. S.

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: W: SVol.B5, 3.3.7.5.1, page 26 - 29
  作者：

  DOI：——

  日期：——