氮化铟(III) | 25617-98-5

• 物质功能分类: 无机化工 - 无机盐 - 氢化物、氮化物、叠氮化物
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属有机物
• 中文名称: 氮化铟(III)
• 中文别名: 氮化铟
• 英文名称: Indium nitride
• 英文别名: azanylidyneindigane
• CAS: 25617-98-5
• 化学式: InN
• 分子量: 128.825
• InChiKey: NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  ~1900°
• 密度：
  6,88 g/cm3
• 稳定性/保质期：
  在常温常压下稳定，应避免接触强氧化剂和酸。 它是一种半导体（禁带宽度为2.4eV），生成热（固态，25℃）为-17.6kJ/mol。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.37
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  23.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

安全信息

• WGK Germany：
  3

制备方法与用途

应用

氮化铟（InN）发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，它具有良好的稳态和瞬态电学传输特性。氮化铟拥有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率以及最小的带隙、最小的电子有效质量等优异性质。这些特点使得氮化铟相对于氮化铝（AlN）和氮化镓（GaN）等其他Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有独特优势，尤其在太赫兹器件、化学传感器、半导体发光二极管及全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大应用价值。

制备

步骤 S1：提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜。

步骤 S2：对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台。

步骤 S3：提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室内，并将其抽真空。

步骤 S4：在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽。

步骤 S5：在所述缓冲层上生长氮化铟，从而得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱，每个凹槽中相应地形成一个氮化铟柱。