dichlorosilylene | 13569-32-9

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 英文名称: dichlorosilylene
• CAS: 13569-32-9
• 化学式: Cl₂Si
• 分子量: 98.9915
• InChiKey: BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 保留指数：
  353.7

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.0
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dichlorosilylene 生成
  参考文献：
  名称：

  PATYK, ANDREAS;SANDER, WOLFRAM;GAUSS, JURGEN;CREMER, DIETER, CHEM. BER., 123,(1990) N, C. 89-90

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  二氯硅烷 在 Ar 作用下， 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 dichlorosilylene
  参考文献：
  名称：

  SiCl 2产生的新电子发射

  摘要：

  通过在直流放电流中Ar（3 P 2,0）与SiCl 4和SiH 2 Cl 2的反应，在5000-6200Å区域检测到了来自SiCl 2的新电子发射。发射系统已分配为3乙1 - 1名阿1。测得的上状态弯曲频率为164±2cm -1。

  DOI：

  10.1016/0009-2614(91)90240-a
• 作为试剂：
  描述：

  2-吖啶-9-基乙醇 在 lithium aluminium tetrahydride 、 dichlorosilylene 、 乙醚 、 氯仿 、 三氯化铁 作用下， 生成 9-(4-Brombutyl)acridin
  参考文献：
  名称：

  Fisher et al., Journal of the Chemical Society, 1958, p. 1411,1412

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Infrared multiple photon dissociation of dichlorosilane: The production of electronically excited SiCl2
  作者：R.C. Sausa、A.M. Ronn

  DOI：10.1016/0301-0104(85)80203-2

  日期：1985.6

  The infrared multiple photon excitation of SiH2Cl2, under collision-free and collisional conditions, via its v2(a1) SiH2 bending fundamental resulted in dissociation and in an ultraviolet luminescence. The photodissociative products were found to be H2 and SiCl2 while the luminescence was shown to arise from a spontaneous one-photon radiative decay from electronically excited SiCl2(1B1 → 1A1). The

  在无碰撞和碰撞条件下，SiH 2 Cl 2的红外多光子激发通过其v 2（a 1）SiH 2弯曲基波引起离解和紫外发光。发现光离解产物为H 2和SiCl 2，而发光显示为由电子激发的SiCl 2（1 B 1 → 1 A 1）自发的单光子辐射衰减引起。测得此跃迁的辐射寿命为4.5μs，SiCl的碰撞猝灭速率为由SiH 2 Cl 2得到的2（1 B 1 → 1 A 1）为2.6×10 6 s -1 Torr -1。结合目前的多光子离解理论，提出并讨论了导致产物形成的反应机理以及用于组装碎片电子状态的模型。
• Synthesis of Metastable Si^II<i>X</i>₂Solutions (<i>X</i>= F, Cl). A Novel Binary Halide for Synthesis
  作者：Fabian Uhlemann、Ralf Köppe、Andreas Schnepf

  DOI：10.1002/zaac.201400122

  日期：2014.7

  known from literature show that these binary subhalides are formed nearly quantitatively at 1376 °C and 1076 °C, respectively, as products of the reaction of elemental silicon with SiF4 or SiCl4 at 110 -2 mbar. Ap- plying the co-condensation technique SiF2 as well as SiCl2 can be trapped at -196 °C and prepared in synthetic scale. Herein, first analy- sis of metastable SiF2 and SiCl2 solutions are presented

  文献中已知的气态 SiF2 和 SiCl2 的热力学数据表明，这些二元低卤化物分别在 1376°C 和 1076°C 下几乎定量形成，作为元素硅与 SiF4 或 SiCl4 在 110 -2 毫巴下反应的产物。应用共缩合技术 SiF2 和 SiCl2 可以在 -196 °C 下被捕获并以合成规模制备。在此，首先对亚稳态 SiF2 和 SiCl2 溶液进行分析，表明
• Kinetics aspects of TiSi₂deposition without silicon consumption
  作者：D. Bensahel、J. L. Regolini、J. Mercier

  DOI：10.1063/1.102306

  日期：1989.10.9

  Selectively deposited layers of TiSi2 have been obtained without Si substrate consumption using the TiCl4/SiH4 system diluted in H2 at 800 °C. For a given set of parameters, we show that TiSi2 formation uses Si coming from the substrate or from the gas phase, the principal parameters being the TiCl4/SiH4 ratio, the carrier gas, and gas mass transfer as the limiting mechanism of the reactions.

  使用 TiCl4/SiH4 系统在 800 °C 下稀释在 H2 中，无需消耗 Si 衬底即可获得 TiSi2 的选择性沉积层。对于一组给定的参数，我们表明 TiSi2 的形成使用来自基材或气相的 Si，主要参数是 TiCl4/SiH4 比率、载气和气体传质作为反应的限制机制。
• Identification of the SiCl2 (ã 3B1−X̃ 1A1) emission system and a flow reactor source of SiCl2(ã 3B1)
  作者：Kangyan Du、Xiaoshan Chen、D.W. Setser

  DOI：10.1016/0009-2614(91)80082-9

  日期：1991.6

  impact with SiCl4, give an intense emission system from 500 to 650 nm. Based upon the spectroscopic constants of the upper and lower states and the long lifetime, ≈ 11 ± 2 ms, the emission is assigned as the SiCl2 (ã 3B1-X̃ 1A1) transition. The energy for SiCl2(ã) is 2.35 eV; the bending frequency of the upper state is 159 ± 2 cm−1. The quenching rate constants of SiCl2(ã) by NO, C2H4, NH3 and CH4 are 1

  Ar（3 P 0.2）原子与SiCl 4和SiHCl 3的反应，以及与SiCl 4的直接电子撞击，产生了500至650 nm的强发射系统。基于所述上部和下部的状态的分光常数和长寿命，≈11±2毫秒，发射被指定为的SiCl 2（ã 3乙1 -X 1阿1）过渡。SiCl 2（ã）的能量为2.35 eV；上部状态的弯曲频率为159±2cm -1。NO，C 2 H 4对SiCl 2（ã）的猝灭速率常数，NH 3和CH 4分别为1.2×10 -11，1.3 ×10 -11，4.1 ×10 -13和1.5×10 -15 cm 3分子-1 s -1。
• Mechanism of thermal decomposition of allyltrichlorosilane with formation of three labile intermediates: dichlorosilylene, allyl radical, and atomic chlorine
  作者：S. E. Boganov、V. M. Promyslov、I. V. Krylova、G. S. Zaitseva、M. P. Egorov

  DOI：10.1007/s11172-016-1438-4

  日期：2016.5

  homolytic decomposition to two radicals (C3H5 and SiCl3) at the weakest Si—C bond. Due to weakness of the Si—Cl bond in the SiCl3 radical, the energy of which is even somewhat lower than the dissociation energy of the Si—C bond in starting AllSiCl3, this radical undergoes further dissociation to SiCl2 and Cl, thus resulting in three intermediates of different classes of highly reactive species formed from AllSiCl3

  实验发现，烯丙基三氯硅烷在高于 1100 K 的温度下在真空热解 (~10–2 Torr) 下解离，形成三种不稳定的中间体：烯丙基、二氯亚甲硅烷和单原子氯。根据获得的实验和理论数据，表明分解反应分两步进行。第一步是在最弱的 Si-C 键处均裂分解为两个自由基（C3H5 和 SiCl3）的典型反应。由于SiCl3自由基中Si-Cl键的弱点，其能量甚至略低于起始AllSiCl3时Si-C键的离解能，该自由基进一步离解为SiCl2和Cl，从而产生三个由 AllSiCl3 形成的不同类别的高反应性物种的中间体。