copper(I) telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: copper(I) telluride
• 英文别名: copper telluride；Dicopper tellane；copper;tellane
• 化学式: Cu₂Te
• 分子量: 254.692
• InChiKey: KGHKZATYFJHRFL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  copper(I) telluride 在 氧气 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 copper(II) pyrotellurite
  参考文献：
  名称：

  Kukleva, T. V.; Fedorova, T. B.; Vishnyakov, A. V., Inorganic Materials, 1988, vol. 24, p. 1258 - 1260

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  disodium telluride 在 sodium copper(I) chloride 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 copper(I) telluride
  参考文献：
  名称：

  Brukl, A., Monatshefte fur Chemie

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Intercalation of copper into bismuth telluride
  作者：J. B. Maclachlan、W. H. Kruesi、D. J. Fray

  DOI：10.1007/bf01105131

  日期：——

  intercalated copper from bismuth telluride, returning the bismuth telluride to its original, undoped state. E.m.f. measurements using a solid, copper-ion conducting electrolyte resulted in copper activities of between 0.000 73 and 0.044 for intercalated bismuth telluride. An effective copper diffusion coefficient of 4×10−5 cm2s−1 was measured for a sintered polycrystalline bismuth telluride pellet at 483

  使用水相和固态电化学方法研究了铜在碲化铋中的嵌入和浸出。发现铜嵌入的浓度高达 3 mg/g 碲化铋。铜也可能与碲化铋反应形成碲化铜 (Cu2Te)。沸腾盐酸浸出或控制电位电化学浸出可有效地从碲化铋中去除嵌入的铜，使碲化铋恢复到其原始的未掺杂状态。使用固体铜离子导电电解质进行的电动势测量导致插层碲化铋的铜活性介于 0.000 73 和 0.044 之间。在 483 K 下测量了烧结多晶碲化铋颗粒的有效铜扩散系数为 4×10-5 cm2s-1。
• Valence band photoemission study of the copper chalcogenide compounds, Cu2S, Cu2Se and Cu2Te
  作者：S. Kashida、W. Shimosaka、M. Mori、D. Yoshimura

  DOI：10.1016/s0022-3697(03)00272-5

  日期：2003.12

  Abstract The electronic structures of the copper chalcogenide compounds, Cu2S, Cu2Se and Cu2Te have been investigated by taking photoemission data with synchrotron photon sources. The band calculations are done using the full-potential linear-muffin-tin-orbital method. Since the crystal structures are not clarified well, several simplified structure models are used. The calculated densities of states

  摘要 通过同步加速器光子源的光电发射数据，研究了铜硫属化物Cu2S、 e 和Cu2Te 的电子结构。带计算是使用全电位线性松饼锡轨道方法完成的。由于晶体结构没有很好地阐明，因此使用了几种简化的结构模型。将计算出的态密度与观察到的光谱进行比较。分析表明，-3.5 eV 处的尖峰是由 Cu 3d 态引起的，而在 Cu 3d 峰的高能侧和低能侧的尾部是由于硫属元素 p 态。
• Thermoelectric properties of Cu₂Se_1−xTe_x solid solutions
  作者：Kunpeng Zhao、Mengjia Guan、Pengfei Qiu、Anders B. Blichfeld、Espen Eikeland、Chenxi Zhu、Dudi Ren、Fangfang Xu、Bo B. Iversen、Xun Shi、Lidong Chen

  DOI：10.1039/c8ta01313f

  日期：——

  content in Cu2Se1−xTex solid solutions, resulting in a much reduced electrical resistivity and Seebeck coefficient in the whole temperature range as compared with those of binary Cu2Se. The total thermal conductivity is inversely increased due to the contribution from enhanced carrier thermal conductivity. As a result, the overall thermoelectric performance of Cu2Se1−xTex solid solutions lies between Cu2Se

  二元Cu 2 Se和Cu 2 Te由于其有趣且异常的物理特性（例如超低的导热率，高的载流子迁移率，大的有效载流子质量和出色的热电性能）而备受关注。在这项研究中，我们发现这两种化合物在整个研究的组成范围内都是完全可混溶的。当Te含量x为0.2时，保持Cu 2 Se的三角结构，但是当Te含量x为0.3至0.7时，形成新的三角结构。当增加Cu 2 Se 1− x Te x中的Te含量时，载流子浓度大大提高固溶体，与二元Cu 2 Se相比，在整个温度范围内电阻率和塞贝克系数大大降低。由于提高的载流子热导率的贡献，总的热导率反过来增加。结果，Cu 2 Se 1- x Te x固溶体的整体热电性能介于Cu 2 Se和Cu 2 Te之间。我们还发现Cu 2 Se 1− x Te x的品质因数高于大多数典型的热电材料。因此，如果可以降低Cu 2 Se 1- x Te x中本来就高的空穴载流子浓度，则可以进一步提高热电性能。
• Effect of sintering temperatures on mixed phases and thermoelectric properties of nanostructured copper telluride
  作者：R. Rajkumar、A.S. Alagar Nedunchezhian、D. Sidharth、P. Rajasekaran、M. Arivanandhan、R. Jayavel、G. Anbalagan

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.155276

  日期：2020.9

  sintered at temperatures higher than 773 K. The EDX data confirm the deficiency of Te content in the sample as a function of sintering temperatures. Due to high vapour pressure and volatile nature, part of Te may be released from copper telluride during high temperature sintering which resulted Te deficiency thereby phase change in the sample. The Seebeck coefficients of the samples increased with sintering

  摘要 采用高能球磨法制备了纳米碲化铜。通过在 474 至 973 K 的不同温度下烧结样品，研究了烧结温度对碲化铜纳米结构的相分离、结构、形态和热电性能的影响。 XRD 图案证实了 Cu2.8Te2 和 Cu7Te4 混合相的存在样品在低于 773 K 的温度下烧结，而在高于 773 K 的温度下烧结的样品中观察到纯相的 Cu2Te。EDX 数据证实样品中 Te 含量的不足是烧结温度的函数。由于高蒸气压和挥发性，在高温烧结过程中可能会从碲化铜中释放出部分 Te，导致 Te 缺乏，从而在样品中发生相变。
• Ultrahigh Thermoelectric Performance in Mosaic Crystals
  作者：Ying He、Ping Lu、Xun Shi、Fangfang Xu、Tiansong Zhang、Gerald Jeffrey Snyder、Ctirad Uher、Lidong Chen

  DOI：10.1002/adma.201501030

  日期：2015.6

  Successful research strategies to enhance the dimensionless figure of merit zT above 2 rely on either bulk nanomaterials or on single crystals. A new physical mechanism of nanoscale mosaicity is shown that goes beyond the approaches in single crystals or conventional nanomaterials. A zT value of 2.1 at 1000 K in bulk nanomaterials is achieved.

  成功地将zT的品质因数提高到2以上的研究策略依赖于块状纳米材料或单晶。显示了纳米级镶嵌性的新物理机制，该机制超越了单晶或常规纳米材料中的方法。甲zT值在1000 K的散装纳米材料的2.1值来实现的。