aluminium nitride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: aluminium nitride
• 英文别名: aluminum nitride；alumane;azane
• 化学式: AlN
• 分子量: 40.9882
• InChiKey: QVRYCILXIXLVCU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.02
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  35.0
• 氢给体数：
  1.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  aluminium nitride 在 盐酸 、 五氯化磷 作用下， 生成 三氯化铝
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Al: MVol.B1, 6.3.2.1, page 179 - 181

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  aluminium carbide 以 not given 为溶剂， 生成 aluminium nitride
  参考文献：
  名称：

  Ruff, O.; Jellinek, E., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1916, vol. 97, p. 313

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  乙醇 在 aluminium nitride 作用下， 生成 三乙胺
  参考文献：
  名称：

  Fichter; Spengel, Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie, 1913, vol. 82, p. 201

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Aluminum Nitride Prepared by Nitridation of Aluminum Oxide Precursors
  作者：Edwin Kroke、Lars Loeffler、Fred F. Lange、Ralf Riedel

  DOI：10.1111/j.1151-2916.2002.tb00595.x

  日期：——

  Aluminum nitride (AlN) powders were prepared from the oxide precursors aluminum nitrate, aluminum hydroxide, aluminum 2-ethyl-hexanoate, and aluminum isopropoxide (i.e., Al(NO3)3, Al(OH)3, Al(OH)(O2CCH(C2H5)(C4H9))2, and Al(OCH(CH3)2)3). Pyrolyses were performed in flowing dry NH3 and N2 at 1000°–1500°C. For comparison, the nitride precursors aluminum dimethylamide (Al(N(CH3)2)3) and aluminum trimethylamino

  氮化铝 (AlN) 粉末由氧化物前体硝酸铝、氢氧化铝、2-乙基己酸铝和异丙醇铝（即 Al(NO3)3、Al(OH)3、Al(OH)(O2CCH( C2H5)(C4H9))2 和 Al(OCH(CH3)2)3)。在 1000°–1500°C 下，在流动的干燥 NH3 和 N2 中进行热解。为了进行比较，将氮化物前体二甲基酰胺铝（Al（N（ ）2）3）和三甲基氨基铝铝（AlH3·N（ ）3）暴露在相同的氮化条件下。使用 XRD、TEM、EDX、SEM 和元素分析对产品进行了研究。结果表明，氮化主要受大气中水：氨比的控制。从所有氧化物前体获得单相 AlN 粉末。即使对于非氧化物前体，使用纯 N2 也无法实现完全氮化。
• Photoluminescence properties of Pr³⁺, Sm³⁺ and Tb³⁺ doped SrAlSi₄N₇ and energy level locations of rare-earth ions in SrAlSi₄N₇
  作者：Zhi-Jun Zhang、Otmar M. ten Kate、Anneke Delsing、Pieter Dorenbos、Jing-Tai Zhao、Hubertus T. Hintzen

  DOI：10.1039/c4tc00538d

  日期：——

  RE3+ (RE = Pr, Sm, and Tb)-doped SrAlSi4N7 samples were synthesized by a solid-state reaction method at high temperature, and their photoluminescence properties were investigated. It is noticeable that the 5d bands of Pr3+ and Tb3+ are at rather low energy in SrAlSi4N7 compared to oxides. Typical 4f2 → 4f2 emission lines (480–800 nm) of Pr3+ under 4f2 → 4f15d1 excitation were observed in Pr3+-doped SrAlSi4N7

  通过固相反应法在高温下合成了掺杂RE 3+（RE = Pr，Sm和Tb）的SrAlSi 4 N 7样品，并研究了它们的光致发光性能。值得注意的是，与氧化物相比，在SrAlSi 4 N 7中，Pr 3+和Tb 3+的5d带处于较低的能量。在掺有Pr 3+的SrAlSi 4 N 7中观察到了在4f 2 →4f 1 5d 1激发下典型的Pr 3+的4f 2 →4f 2发射线（480-800 nm）。Sm 3+掺杂的SrAlSi 4 N 7显示出源自4 G 5/2 → 6 H J（J = 5 / 2、7 / 2和9/2）跃迁的红色发射，并且在60nm处观察到Sm 3+的电荷转移带。3.98 eV的异常低的能量。掺Tb 3+的样品表现出5 D 3 → 7 F J（J = 6、5、4、3、2、1）（蓝色）和5 D 4 → 7 F J（J在直接Tb 3+ 4f 8 →4f 7 5d 1激发下，在375-650
• Luminescent thermal stability and electronic structure of narrow-band green-emitting Sr-Sialon:Eu2+ phosphors for LED/LCD backlights
  作者：Weitao Ji、Shuxin Wang、Zhen Song、Quanlin Liu

  DOI：10.1016/j.jallcom.2019.07.203

  日期：2019.10

  Abstract Stable and high-efficiency narrow-band green phosphor is a key component for wide color gamut liquid crystal display (LCD) backlights. In this paper, narrow-band green-emitting Sr3-3xSi13Al3O2N21:3xEu2+ (0.001 ≤ x ≤ 0.09) (Sr-Sialon:Eu2+) phosphor with a full-width at half maximum of 66 nm has been successfully synthesized by using the solid-state reaction method. All the samples are the pure

  摘要 稳定高效的窄带绿色荧光粉是宽色域液晶显示器（LCD）背光源的关键组成部分。在本文中，已成功合成了半峰全宽为 66 nm 的窄带绿光 Sr3-3xSi13Al3O2N21:3xEu2+ (0.001 ≤ x ≤ 0.09) (Sr-Sialon:Eu2+) 荧光粉。状态反应法。所有样品均为具有 Sr3Si13Al3O2N21 型结构的纯相。通过增加 Eu2+ 含量，它们的发射带最大值可以从 495 nm 调整到 523 nm。x = 0.03 的化合物具有最高的发光强度，峰值位置在 510 nm 附近。Eu2+ 浓度越低，发光热稳定性越好。x = 0.01 的样品在 425 K 下的积分强度保持在室温下强度的大约 80%。构建了主体参考结合能（HRBE）和真空参考结合能（VRBE）方案以进一步解释其发光热猝灭机制。使用优化的 Sr2.91Si13Al3O2N21:0.09Eu2+ 荧光粉的白光发光二极管
• Electrochemically Prepared Precursors for the Formation of Non‐Oxides
  作者：Christian Rüssel、Ralph Zahneisen

  DOI：10.1149/1.2221243

  日期：1992.9.1

  Various metals, such as Ca, Mg, Al, Ti, Cr, Y, Zr, and Ta were anodically dissolved in an organic electrolyte composed of propylamine, acetonitrile, and tetrabutylammonium bromide. The electrode reactions were completely irreversible. At the cathode, the organic amine was reduced to the corresponding anion and gaseous hydrogen, at the anode the metals were oxidized and metal-amino compounds were formed

  各种金属，如 Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Y、Zr 和 Ta 阳极溶解在由丙胺、乙腈和四丁基溴化铵组成的有机电解质中。电极反应是完全不可逆的。在阴极，有机胺被还原成相应的阴离子和气态氢，在阳极，金属被氧化并形成金属-氨基化合物
• GaN–GaN junctions with ultrathin AlN interlayers: Expanding heterojunction design
  作者：S. Keller、S. Heikman、L. Shen、I. P. Smorchkova、S. P. DenBaars、U. K. Mishra

  DOI：10.1063/1.1484551

  日期：2002.6.10

  The formation of a two-dimensional electron gas (2DEG) was observed at GaN–GaN junctions, when an AlN layer of a thickness greater than or equal to 0.5 nm was inserted, and the GaN cap layer was modulation-doped with silicon. No 2DEG was found for undoped samples. When the AlN interlayer thickness was increased from 0.5 to 1 nm, the electron mobility increased from 720 to 1250 cm2/Vs at 300 K and from

  当插入厚度大于或等于 0.5 nm 的 AlN 层时，在 GaN-GaN 结处观察到二维电子气 (2DEG) 的形成，并且 GaN 帽层用硅调制掺杂。未掺杂样品未发现 2DEG。当 AlN 夹层厚度从 0.5 nm 增加到 1 nm 时，电子迁移率在 300 K 时从 720 增加到 1250 cm2/Vs，在 77 K 时从 6400 增加到 12 000 cm2/Vs。电子迁移率也受 Si-对于 5×1012 cm-2 的掺杂测量，在 77 K 下具有最高电子迁移率 13 800 cm2/Vs 的尖峰掺杂浓度。2DEG 的形成归因于由伪晶应变 AlN 夹层中的极强极化场引起的导带极化诱导的不连续性。