一氧化硅 | 10097-28-6

• 物质功能分类: 无机化工 - 氧化物和过氧化物 - 非金属氧化物和过氧化物
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 中文名称: 一氧化硅
• 中文别名: 氧化硅(II)
• 英文名称: silicon monoxide
• 英文别名: silicon oxide；oxysilicon；siliconal；oxosilicon
• CAS: 10097-28-6
• 化学式: OSi
• 分子量: 44.0849
• InChiKey: LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  1870 °C
• 沸点：
  1880°C
• 密度：
  2.13 g/mL at 25 °C (lit.)
• 闪点：
  1880°C
• 稳定性/保质期：

  在常温常压下稳定，应避免光、明火及高温。它不溶于水，但能溶于稀氢氟酸与硝酸的混合物中。它是良好的热和电绝缘体。在空气中会氧化形成二氧化硅膜而钝化，在氧气中燃烧，并与水反应生成氢气。在温热的碱性溶液中则会产生氢气并溶解，生成硅酸盐。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.5
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  17.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 危险品标志：
  Xi
• 安全说明：
  S26,S36
• 危险类别码：
  R36/37/38
• WGK Germany：
  3
• 储存条件：
  应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁的库房内。

SDS

1.1 产品标识符
: 一氧化硅
产品名称
1.2 鉴别的其他方法
无数据资料
1.3 有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途
仅供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。

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模块 2. 危险性概述
2.1 GHS分类
皮肤刺激 (类别2)
眼刺激 (类别2A)
特异性靶器官系统毒性（一次接触） (类别3)
2.2 GHS 标记要素，包括预防性的陈述
象形图
警示词 警告
危险申明
H315 造成皮肤刺激。
H319 造成严重眼刺激。
H335 可能引起呼吸道刺激。
警告申明
预防
P261 避免吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾.
P264 操作后彻底清洁皮肤。
P271 只能在室外或通风良好之处使用。
P280 穿戴防护手套/ 眼保护罩/ 面部保护罩。
措施
P302 + P352 如与皮肤接触，用大量肥皂和水冲洗受感染部位.
P304 + P340 如吸入，将患者移至新鲜空气处并保持呼吸顺畅的姿势休息.
P305 + P351 + P338 如与眼睛接触，用水缓慢温和地冲洗几分钟。如戴隐形眼镜并可方便地取
出，取出隐形眼镜，然后继续冲洗.
P312 如感觉不适，呼救中毒控制中心或医生.
P321 具体治疗(见本标签上提供的急救指导)。
P332 + P313 如发生皮肤刺激：求医/ 就诊。
P337 + P313 如仍觉眼睛刺激：求医/就诊。 如仍觉眼睛刺激：求医/就诊.
P362 脱掉沾染的衣服，清洗后方可重新使用。
储存
P403 + P233 存放于通风良的地方。 保持容器密闭。
P405 存放处须加锁。
处理
P501 将内容物/ 容器处理到得到批准的废物处理厂。
2.3 其它危害物 - 无

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模块 3. 成分/组成信息
3.1 物 质
: OSi
分子式
: 44.08 g/mol
分子量
组分 浓度或浓度范围
Silicon monoxide
-
CAS 号 10097-28-6
EC-编号 233-232-8

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模块 4. 急救措施
4.1 必要的急救措施描述
一般的建议
请教医生。 出示此安全技术说明书给到现场的医生看。
吸入
如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。 如果停止了呼吸,给于人工呼吸。 请教医生。
皮肤接触
用肥皂和大量的水冲洗。 请教医生。
眼睛接触
用大量水彻底冲洗至少15分钟并请教医生。
食入
切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。 用水漱口。 请教医生。
4.2 主要症状和影响，急性和迟发效应
呼吸短促, 据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
4.3 及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示
无数据资料

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模块 5. 消防措施
5.1 灭火介质
灭火方法及灭火剂
用水雾,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。
5.2 源于此物质或混合物的特别的危害
二氧化硅
5.3 给消防员的建议
如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。
5.4 进一步信息
无数据资料

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模块 6. 泄露应急处理
6.1 人员的预防,防护设备和紧急处理程序
使用个人防护设备。 防止粉尘的生成。 防止吸入蒸汽、气雾或气体。 保证充分的通风。
将人员撤离到安全区域。 避免吸入粉尘。
6.2 环境保护措施
不要让产物进入下水道。
6.3 抑制和清除溢出物的方法和材料
收集、处理泄漏物，不要产生灰尘。 扫掉和铲掉。 存放进适当的闭口容器中待处理。
6.4 参考其他部分
丢弃处理请参阅第13节。

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模块 7. 操作处置与储存
7.1 安全操作的注意事项
避免接触皮肤和眼睛。 防止粉尘和气溶胶生成。
在有粉尘生成的地方,提供合适的排风设备。一般性的防火保护措施。
7.2 安全储存的条件,包括任何不兼容性
贮存在阴凉处。 容器保持紧闭，储存在干燥通风处。
7.3 特定用途
无数据资料

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模块 8. 接触控制和个体防护
8.1 容许浓度
最高容许浓度
没有已知的国家规定的暴露极限。
8.2 暴露控制
适当的技术控制
按照良好工业和安全规范操作。 休息前和工作结束时洗手。
个体防护设备
眼/面保护
带有防护边罩的安全眼镜符合 EN166要求请使用经官方标准如NIOSH (美国) 或 EN 166(欧盟)
检测与批准的设备防护眼部。
皮肤保护
戴手套取 手套在使用前必须受检查。
请使用合适的方法脱除手套(不要接触手套外部表面),避免任何皮肤部位接触此产品.
使用后请将被污染过的手套根据相关法律法规和有效的实验室规章程序谨慎处理. 请清洗并吹干双手
所选择的保护手套必须符合EU的89/686/EEC规定和从它衍生出来的EN 376标准。
沉浸保护
联合国运输名称: 丁腈橡胶
最小的层厚度 0.11 mm
溶剂渗透时间: > 480 min
测试过的物质Dermatril® ( Z677272, 规格 M)
飞溅保护
联合国运输名称: 丁腈橡胶
最小的层厚度 0.11 mm
溶剂渗透时间: > 30 min
测试过的物质Dermatril® ( Z677272, 规格 M)
0, 测试方法 EN374
如果以溶剂形式应用或与其它物质混合应用，或在不 同于EN
374规定的条件下应用，请与EC批准的手套的供应 商联系。
这个推荐只是建议性的,并且务必让熟悉我们客户计划使用的特定情况的工业卫生学专家评估确认才可.
这不应该解释为在提供对任何特定使用情况方法的批准.
身体保护
防渗透的衣服, 防护设备的类型必须根据特定工作场所中的危险物的浓度和含量来选择。
呼吸系统防护
如须暴露于有害环境中,请使用P95型(美国)或P1型(欧盟 英国
143)防微粒呼吸器。如需更高级别防护,请使用OV/AG/P99型(美国)或ABEK-P2型 (欧盟 英国 143)
防毒罐。
呼吸器使用经过测试并通过政府标准如NIOSH（US）或CEN（EU）的呼吸器和零件。

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模块 9. 理化特性
9.1 基本的理化特性的信息
a) 外观与性状
形状: 粉末
颜色: 灰色
b) 气味
无数据资料
c) 气味阈值
无数据资料
d) pH值
无数据资料
e) 熔点/凝固点
无数据资料
f) 起始沸点和沸程
无数据资料
g) 闪点
不适用
h) 蒸发速率
无数据资料
i) 易燃性(固体,气体)
无数据资料
j) 高的/低的燃烧性或爆炸性限度 无数据资料
k) 蒸汽压
无数据资料
l) 蒸汽密度
无数据资料
m) 相对密度
2.13 g/mL 在 25 °C
n) 水溶性
无数据资料
o) n-辛醇/水分配系数
无数据资料
p) 自燃温度
无数据资料
q) 分解温度
无数据资料
r) 粘度
无数据资料

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模块 10. 稳定性和反应活性
10.1 反应性
无数据资料
10.2 稳定性
无数据资料
10.3 危险反应的可能性
无数据资料
10.4 应避免的条件
无数据资料
10.5 不兼容的材料
强氧化剂
10.6 危险的分解产物
其它分解产物 - 无数据资料

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模块 11. 毒理学资料
11.1 毒理学影响的信息
急性毒性
无数据资料
皮肤刺激或腐蚀
无数据资料
眼睛刺激或腐蚀
无数据资料
呼吸道或皮肤过敏
无数据资料
生殖细胞突变性
无数据资料
致癌性
IARC:
此产品中没有大于或等于 0。1%含量的组分被 IARC鉴别为可能的或肯定的人类致癌物。
生殖毒性
无数据资料
特异性靶器官系统毒性（一次接触）
吸入 - 可能引起呼吸道刺激。
特异性靶器官系统毒性（反复接触）
无数据资料
吸入危险
无数据资料
潜在的健康影响
吸入 吸入可能有害。 引起呼吸道刺激。
摄入 如服入是有害的。
皮肤 如果通过皮肤吸收可能是有害的。 造成皮肤刺激。
眼睛 造成严重眼刺激。
接触后的征兆和症状
呼吸短促, 据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
附加说明
化学物质毒性作用登记: 无数据资料

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模块 12. 生态学资料
12.1 生态毒性
无数据资料
12.2 持久存留性和降解性
无数据资料
12.3 潜在的生物蓄积性
无数据资料
12.4 土壤中的迁移性
无数据资料
12.5 PBT 和 vPvB的结果评价
无数据资料
12.6 其它不利的影响
无数据资料

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模块 13. 废弃处置
13.1 废物处理方法
产品
将剩余的和未回收的溶液交给处理公司。 联系专业的拥有废弃物处理执照的机构来处理此物质。
与易燃溶剂相溶或者相混合，在备有燃烧后处理和洗刷作用的化学焚化炉中燃烧
受污染的容器和包装
作为未用过的产品弃置。

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模块 14. 运输信息
14.1 联合国危险货物编号
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.2 联合国（UN）规定的名称
欧洲陆运危规: 非危险货物
国际海运危规: 非危险货物
国际空运危规: 非危险货物
14.3 运输危险类别
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.4 包裹组
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.5 环境危险
欧洲陆运危规: 否 国际海运危规 海运污染物: 否 国际空运危规: 否
14.6 对使用者的特别提醒
无数据资料

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模块 15 - 法规信息
N/A

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模块16 - 其他信息
N/A

制备方法与用途

一氧化硅

概述 一氧化硅是一种白色立方系晶体或棕色粉末。它不溶于水，但在稀氢氟酸与硝酸的混合液中可溶解。当其与沸苛性碱溶液反应时，会生成硅酸盐和氢气。在高温下，一氧化硅能被卤素氧化，在空气中表面易氧化形成二氧化硅保护膜而变得无活性。此外，它在300～400℃时与卤素反应，并且只有在高于1500℃时才能稳定存在。低于1500℃时会分解成二氧化硅。

理化性质 一氧化硅为白色立方系晶体或棕色粉末。其熔点高于1702℃，沸点1880℃，相对密度2.13。硬度与硅相似，红热时不导电。它能溶于稀的氢氟酸和硝酸混合液，并在浓碱溶液中溶解生成硅酸盐。不溶于水。

制备方法 一氧化硅可以通过多种方法制得：

• 二氧化硅与单质硅粉在高真空1400℃以上反应后升华得到。
• 碳和过量的二氧化硅加热至2000℃左右后升华。
• 在高温下用氢气还原二氧化硅，再经真空升华而制得。

用途 一氧化硅广泛用于制备光学玻璃和半导体材料。微细的一氧化硅粉末因极富活性，可作为精细陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉体的原料。它还可用作保护膜涂层，以及制造半导体材料和光学玻璃。

化学性质 一氧化硅在空气中热处理时，黄土色粉末变成白色。熔点大于1702℃，沸点1880℃，相对密度2.13。不溶于水，但在稀氢氟酸与硝酸的混酸中可溶解。

生产方法 通过将二氧化硅粉和煤沥青粉混合，在减压条件下加热至1600℃，压力为1.013 kPa，还原反应生成SiO蒸气，再通入氩气使其凝结输送，制得0.1 μm以下的一氧化硅粉末。化学方程式如下： [ \text{SiO}_2 + C \rightarrow \text{SiO} + \text{CO} ]

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  一氧化硅 生成 白碳黑
  参考文献：
  名称：

  AZUMA, NOBUYUKI;NAKAMURA, KAZUO;MAEDA, MINORU;YAMADA, MAMORU

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  硅烷 在 O₂ 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 一氧化硅
  参考文献：
  名称：

  Infrared spectrum of matrix isolated ClSiO and ab initio calculations

  摘要：

  Cl atoms and SiO molecules are trapped in a solid Ar matrix at 16 K. The formation of the as yet unknown ClSiO molecule has been followed via its IR spectrum. The stretching frequencies of the isotopic isomer 35Cl28Si16O are observed at 1160.9 and 509.4 cm−1. Experiments with the 18O isotopic isomers were performed in order to confirm the assignment of the absorptions and to characterize the force field. With the help of quantum chemical calculations (DFT) the optimized ClSiO bond angle is obtained at 125.2°. The computed bond lengths are determined to be 153.6 pm for d(Si–O) and 207.8 pm for d(Si–Cl). The SiCl bond is weak in comparison with that of Cl2SiO (203.4 pm) which is in line with a decrease in the corresponding Si–Cl force constant. The calculation of its thermodynamic data, ΔfH0(298)=−167.2 kJ/mol; ΔfS0(298)=+279.1 J/(mol⋅K), is of high importance for high temperature gas phase reactions of industrial processes, e.g., the combustion of SiCl4 by O2.

  DOI：

  10.1063/1.478267

文献信息

• Structure of silicon monoxide dimer: a comparison between aluminum monofluoride dimer, silicon monoxide dimer, and phosphorus mononitride dimer. Matrix infrared investigation and ab initio calculation
  作者：Hansgeorg Schnoeckel、Thomas Mehner、Harald S. Plitt、Stephan Schunck

  DOI：10.1021/ja00195a008

  日期：1989.6

  The structure of dimeric SiO is reexamined by a study of the IR spectra of the matrix-isolated species. Spectra of isotopomers from experiments with sup 29}Si- and sup 18}O-enriched samples are discussed with the help of normal-coordinate analysis. The results are in line with data of the geometrical and electronic structure obtained by ab initio SCF calculations. The dimerization energy calculated

  通过研究基质分离物质的红外光谱，重新检查了二聚 SiO 的结构。在正坐标分析的帮助下讨论了 sup 29}Si 和 sup 18}O 富集样品实验中的同位素光谱。结果与 ab initio SCF 计算得到的几何和电子结构数据一致。量子化学方法计算的二聚化能与重新计算的实验数据吻合良好。借助对等电子物质 PN 和 AlF 的额外从头计算，可以获得它们二聚化趋势之间有趣的相关性。将 SiO 的结构数据与类似分子的类似数据（例如，BF）进行比较。
• Infrared spectra and density functional calculations of the SiCO4 molecule in solid argon
  作者：Jian Dong、Lei Miao、Mingfei Zhou

  DOI：10.1016/s0009-2614(02)00145-8

  日期：2002.3

  The SiCO4 molecule has been produced by reaction between silicon dioxide and carbon dioxide molecules in solid argon. Silicon dioxide molecules were prepared by reactions of laser-ablated silicon atoms with oxygen in excess argon. When carbon dioxide molecules were added in the reagent gas, new product absorptions at 1934.9, 1326.1, 1070.2 and were produced spontaneously on annealing. Based on isotopic

  SiCO 4分子是通过固体氩气中的二氧化硅和二氧化碳分子之间的反应产生的。通过激光烧蚀的硅原子与过量氩气中的氧反应制备二氧化硅分子。当将二氧化碳分子添加到反应气中时，新产品在1934.9、1326.1、1070.2处吸收，并在退火时自发产生。基于同位素取代和密度泛函理论计算，将这些吸收分配给具有两个末端O原子和两个桥接O原子的C 2v对称性的SiCO 4分子的振动基本原理。
• The energy balance and branching ratios associated with the chemiluminescent reaction Si(3P) + N2O(1Σ) → SiO*(a3Σ+, b3Π, A1Π) + N2(υ″ ⩾ 5) — possible formation of vibrationally excited N2
  作者：James L. Gole、Gary J. Green

  DOI：10.1016/0301-0104(85)87029-4

  日期：1985.11

  Silicon atoms react under single collision conditions with N2O to yield chemiluminescent emission corresponding to the SiO a3Σ+−X1Σ+ and b3Π−X1Σ+ intercombination systems and the A1Π−X1Σ+ band system. A most striking feature of the SiN2O reaction is the energy balance associated with the formation of SiO product molecules in the A1Π and b3Π states. A significant energy discrepancy ( = 10000 cm− =

  硅原子与N-单碰撞条件下反应2 ö以产生对应于一氧化硅化学发光发射3 Σ + -X 1 Σ +和b 3 Π-X 1个Σ +互组系统和A 1 Π-X 1 Σ +带系统。所述SiN的最显着的特征2 ö反应是在A的SiO产物分子的形成相关联的能量平衡1 Π和b 3个Π状态。甲显著能量差异（=万厘米-= 1.24 eV）被发现在可填充最高能量可访问的激发态量子能级的可利用能量与可观察到发射的最高量子能级之间。建议这种差异可能是由于在快速Si fastN 2 O反应性相遇中振动激发的N 2的形成而引起的。发射从一氧化硅3 Σ +（A 1 Π）和b 3 Π（A 1 Π，E 1 Σ 0 +）三重态歧结果主要来自强度借用涉及表示单线态。扰动计算表明在混合的B之间的幅值3 Π，A1米Π和E 1 Σ 0 +状态之间在0.5和2％的范围内。根据这些计算，发现分支比（激发三重态）/（激发单重态）远远超过500。
• Energy balance and branching ratios for the chemiluminescent SiNO2 reaction: Formation of SiO a3Σ+, ν′ ⩾ 0, and ultrafast a3Σ+ −b3Π EE energy transfer
  作者：R. Woodward、J.S. Hayden、J.L. Gole

  DOI：10.1016/0301-0104(85)87030-0

  日期：1985.11

  long-lived SiO a3Σ+ state (ν′= 0) may occur in combination with direct product formation even at very low pressures. Temperature-dependent studies are used to indicate that reaction has occurred with ground-state Si 3P atoms and that the SiO b3Π (EA = 4.0±1.1 kcal/mole) and a3Σ+ (EA = 1.8±1.2 kcal/mole) states are formed with a considerably lower activation energy than the A1Π state (EA = 7.4±1.2 kcal/mole)

  硅原子碰撞单一条件下反应以NO 2从一氧化硅得到强烈的化学发光发射3 Σ + -X 1 Σ +和b 3 Π-X 1个Σ +互组频带的系统和从A弱发射1 Π-X 1 Σ +束带系统虽然用于形成一氧化硅的横截面3 Σ +和b 3个Π状态似乎是比用于更放热的Si + N显着大于2 ö反应，从SiNO所观察到的互组排放2个反应涉及少得多b 3倍Π振动量子的水平，并因此相当少的光谱重叠。这有利于发射的由SiO第一观察的3倍Σ +振动量子的水平，ν'0压力相关的研究表明，在SiO阿1 Π和b 3 Π（P氧化剂<3×10 -4托）中形成的状态在工艺中的氧化剂一阶而非常长寿命的SiO的一些碰撞诱导人口3 Σ +甚至在非常低的压力下，也可能与直接形成产物结合而发生状态（ν'= 0）。温度依赖性研究用于表明反应已发生与基态的Si 3 P原子和在SiO b 3 Π（ê甲= 4.0±1.1千卡/摩尔）和3 Σ +（ê甲=
• Investigation of Al-doped silicon nitride-based semiconductor and its shrinkage mechanism
  作者：Zhiyong Mao、Yingchun Zhu、Yi Zeng、Fangfang Xu、Zhen Liu、Guohong Ma、Zuliang Du、Wentong Geng

  DOI：10.1039/c2ce25758k

  日期：——

  An Al-doped silicon nitride-based semiconductor is successfully synthesized by the chemical vapor deposition (CVD) technique. Optical, electrical and electronic properties are investigated in detail which reveal that Al-doped α-Si3N4 presents a typical semi-conductive character with a band-gap of 2.65 eV and an electrical conductivity of ∼6.11 × 10−2 S cm−1. Al-doping complex (substitutional accompanied with interstitial Al ions in the (102) plane) in α-Si3N4 lattice and its resulting abnormal crystal growth property are discussed. Experimental and theoretical calculation results indicate that this peculiar Al-doping complex in the (102) plane is responsible for the shrinkage of the band-gap for Al-doped α-Si3N4. The presented results demonstrate that this Al-doped α-Si3N4 may open up many applications opportunities in optics, electronics and photoelectronics fields.

  利用化学气相沉积（CVD）技术成功合成了一种掺铝氮化硅基半导体。对其光学、电学和电子特性的详细研究表明，掺铝的α-Si3N4 具有典型的半导电特性，带隙为 2.65 eV，电导率为 ∼6.11 × 10-2 S cm-1。本文讨论了α-Si3N4 晶格中的铝掺杂复合物（(102) 平面上伴随着间隙铝离子的置换）及其导致的异常晶体生长特性。实验和理论计算结果表明，(102) 面中这种特殊的铝掺杂复合物是造成铝掺杂 α-Si3N4 带隙收缩的原因。这些结果表明，这种掺铝的α-Si3N4 可能会在光学、电子学和光电子学领域带来许多应用机会。