tin (II) sulfide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属有机物
• 英文名称: tin (II) sulfide
• 英文别名: tin sulfide；tin monosulfide
• 化学式: SSn
• 分子量: 150.776
• InChiKey: AFKVFLITJRIJQU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.8
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tin (II) sulfide 以 melt 为溶剂， 生成 tin
  参考文献：
  名称：

  Anderson, J. S.; Morton, M. C., Proceedings of the Royal Society of London, Series A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 1945, vol. 184, p. 83 - 101

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  溴化锡 在 oleylamine sulfide 、 hexanethyldisilazane 、 oleylamine 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 tin (II) sulfide
  参考文献：
  名称：

  Formation of SnS nanoflowers for lithium ion batteries

  摘要：

  含有分层组织纳米片子单元的SnS纳米花是通过简单的溶液法合成的，它们作为锂离子电池阳极，在30个循环中维持高容量和库伦效率。

  DOI：

  10.1039/c2cc32033a

文献信息

• Polymorphic Tin Sulfide Thin Films of Zinc Blende and Orthorhombic Structures by Chemical Deposition
  作者：David Avellaneda、M. T. S. Nair、P. K. Nair

  DOI：10.1149/1.2917198

  日期：——

  Polycrystalline thin films (100-450 nm in thickness) of SnS formed from chemical baths of Sn(II) in acetic acid/HCl solution, triethanolamine, NH 3 (aq), and thioacetamide are polymorphic consisting of zinc blende (ZB) and orthorhombic (OR) structures. The ZB structure for the SnS film, reported in this work for the first time, has a lattice constant a = 0.579 nm and a direct (forbidden) bandgap of

  由 Sn(II) 在乙酸/HCl 溶液、三乙醇胺、NH 3 (aq) 和硫代乙酰胺中的化学浴形成的 SnS 多晶薄膜（厚度为 100-450 nm）是由闪锌矿 (ZB) 和斜方晶系组成的多晶型(OR) 结构。在这项工作中首次报道的 SnS 薄膜的 ZB 结构具有晶格常数 a = 0.579 nm 和 1.7 eV 的直接（禁止）带隙，这与 SnS(ZB) 的带隙不同，约为 1 eV . SnS(ZB) 的电导率为 6 X 10 -6 (Ω cm) -1 p 型，在室温下电导率为 0.5 eV，在 10 K 附近为 1.6 meV。当 SnS(ZB) 薄膜在空气中在 500°C 下加热 30 分钟，部分转化为 SnO 2 和 SnS(OR)；在空气中 550°C 下 2 小时 30 分钟后，薄膜转化为透明的 SnO 2 。这种薄膜的带隙为 3。7 eV 和电导率，∼ 1 (Ω cm) -1
• Photoconductive SnO2 Thin Films from Thermal Decomposition of Chemically Deposited SnS Thin Films
  作者：P. K. Nair、M. T. S. Nair、J. Campos

  DOI：10.1149/1.2221083

  日期：1993.2.1

  the visible region. 4 Various techniques developed for the deposition of these films include chemical vapor deposition (CVD), 6 spray pyrolytic process, 7,8 reactive evaporation, 9 and reactive sputtering. 1~ This paper reports a method for the preparation of photoconductive SnO2 films by a two-step process: (i) deposition of a thin film of SnS from a chemical bath 'I and (if) conversion of these films

  描述了一种将玻璃基板上化学沉积的 SnS 薄膜转化为 SnO2 的方法。该方法包括在空气中在 400℃下加热 1 小时。SnS 薄膜的厚度为 -0.7 微米，在反射日光下呈黑色，但在透射下呈深红色。它们是通过在 60° 下经过 7 小时 30 小时的化学沉积从均匀溶液中化学沉积制备的，它们向 SnO2 的转化是通过测量光学透射率和 X 射线衍射图来确定的。SnS 和 SnO2 薄膜都显示出光电导特性。后者的暗度和光电导率可以通过在 200~ 下真空退火 1 小时后在空气中热分解而增加~104（至~1~2 -~ cm -~）。增加的光电导率归因于从晶界解吸氧和真空退火过程中带来的非化学计量。之所以提供这种解释，是因为随后在 200 ℃下进行空气退火伴随着导电率的降低。未掺杂形式的氧化锡 (SnO2) 薄膜是具有宽带隙 (Eg)、3.5-4 eV、1-3 和大约 1.92 的折射率的半导体 氟、氯或锑掺杂的
• Preparation and Morphology Control of Rod-like Nanocrystalline Tin Sulfides via a Simple Ethanol Thermal Route
  作者：Huilan Su、Yi Xie、Yujie Xiong、Peng Gao、Yitai Qian

  DOI：10.1006/jssc.2001.9288

  日期：2001.11

  Rod-like nanocrystalline tin sulfides with different compositions and phases were obtained via simple ethanol thermal reactions between tin chlorides and thioacetamide at relatively low temperature (100°C for 10 h). It is found that solvents, reaction temperatures, and trace water in the system were important factors in obtaining one-dimensional nanocrystalline tin sulfides. The reaction mechanism

  通过在相对较低的温度（100°C持续10 h）之间氯化锡和硫代乙酰胺之间简单的乙醇热反应，即可获得具有不同组成和相的棒状纳米晶状硫化锡。发现溶剂，反应温度和系统中的痕量水是获得一维纳米晶体硫化锡的重要因素。还研究了反应机理。
• Quaternary rare-earth sulfide LaSnGa3S7: Synthesis, structure, thermal and optical properties
  作者：Jian Tang、Wenhao Xing、Kaijin Kang、Tixian Zeng、Wenlong Yin、Bin Kang

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.154380

  日期：2020.7

  formed by edge-sharing [SnS5] units, with the intervening voids filled by La cations. An optical band gap of 2.39 (2) eV, as deduced from the UV–vis–NIR diffuse reflectance spectrum, is consistent with the yellow colour of the crystals. Thermal analysis suggests that LaSnGa3S7 melts incongruently. The electronic structure of LaSnGa3S7 is obtained through the first-principle calculations.

  摘要 通过 La、SnS、Ga2S3 和 S 在 1173 K 反应制备了四元稀土硫化物 LaSnGa3S7。单晶 X 射线衍射分析表明它采用新的单斜结构类型（空间群 P21/n，a = 11.3555(9) A, b = 9.6177(5) A, c = 11.5137(8), β = 115.693(9)°, Z = 4) 具有由二维构成的三维 (3D) 阴离子骨架(2D) Ga-S 层由共享角的 [GaS4] 四面体和独特的 [Sn2S8] 二聚体形成，由共享边缘的 [SnS5] 单元形成，中间空隙由 La 阳离子填充。从 UV-vis-NIR 漫反射光谱推导出 2.39 (2) eV 的光学带隙与晶体的黄色一致。热分析表明 LaSnGa3S7 熔化不一致。
• The effect of inert additives on the explosive mechanochemical synthesis of some metal chalcogenides
  作者：Chr. Chakurov、V. Rusanov、J. Koichev

  DOI：10.1016/0022-4596(87)90261-1

  日期：1987.12

  of different inert additives on the mechanochemical synthesis of SnS was studied. A transition from explosive to nonexplosive mechanochemical reaction was observed. It was shown that this change takes place only when a critical volume xc is occupied by inert material. The critical volume for a transition from an explosive to nonexplosive mechanochemical synthesis were determined for the chalcogenides

  研究了不同惰性添加剂对SnS机械化学合成的影响。观察到了从爆炸性到非爆炸性机械化学反应的转变。结果表明，这种变化仅在临界体积x c被惰性材料占据时才会发生。对于锌，镉和锡的硫属元素化物，确定了从爆炸性机械化学合成过渡到非爆炸性机械化学合成的临界体积。讨论了获得的x c值。根据有关爆炸性机械聚集体的临界尺寸r c和渗流现象的新数据，提出了一种从爆炸性机械化学合成过渡到非爆炸性机械化学合成的机理。