dysprosium silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: dysprosium silicide
• 化学式: DySi₂
• 分子量: 218.671
• InChiKey: BEPGNXXHMPVMQY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.9
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化镝(DyH3) 、 硅烷 以 melt 为溶剂， 生成 dysprosium silicide
  参考文献：
  名称：

  1270K 下的三元 RE-Si-B 系统（RE=Dy、Ho、Er 和 Y）：固溶体 REB2-xSix（RE=Dy 和 Ho）的固态相平衡和磁性能

  摘要：

  摘要 利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜和电子探针微量分析等实验技术，在 1270 K 下测定了三元 RE-Si-B 图中的固态相平衡（RE = Dy、Ho、Er 和 Y）。通常，每个图都获得了三个三元相：具有四方对称性的线状化合物 RE 5 Si 2 B 8、Mn 5 Si 3 型的硼插入 Nowotny 相 RE 5 Si 3 B x 和固溶体 REB 2 - x Si x 的AlB 2 -型。在这项工作之前，还重新研究了构成每个图边界的二元系统 RE-Si 和 RE-B。除了先前报道或将在即将发表的报告中介绍的 RE 5 Si 3 （Mn 5 Si 3 型，RE = Dy、Ho 和 Y）和 Dy 3 Si 4（Ho 3 Si 4 型）的结构之外纸，RE 5 Si 4（Sm 5 Ge 4 型，RE = Dy 和 Ho）、DySi（CrB 型）和 HoSi 的 X 射线单晶结构在两种多晶型变体中，即

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2005.09.012

文献信息

• Contact reaction between Si and rare earth metals
  作者：R. D. Thompson、B. Y. Tsaur、K. N. Tu

  DOI：10.1063/1.92442

  日期：1981.4

  Reactions between Si and thin films of rare‐earth metals (Gd, Dy, Ho, Er, plus Y and La) in the temperature range of 275–900 °C have been studied by using x‐ray diffraction and ion backscattering spectrometry. The disilicides of these metals are apparently the first phase to form, forming rapidly within a narrow temperature range (325–400 °C), and are stable up to 900 °C. The growth does not follow

  已经使用 X 射线衍射和离子背散射光谱法研究了 Si 与稀土金属（Gd、Dy、Ho、Er、加上 Y 和 La）薄膜在 275-900°C 温度范围内的反应。这些金属的二硅化物显然是第一个形成的相，在狭窄的温度范围 (325–400 °C) 内迅速形成，并在高达 900 °C 时保持稳定。增长不遵循分层增长模式。
• Magnetic properties of rare earth disilicides RSi2
  作者：J Pierre、E Siaud、D Frachon

  DOI：10.1016/0022-5088(88)90014-8

  日期：1988.5
• Phase equilibria in the Dy–Ti–Si system at 1200 K
  作者：A.V Morozkin

  DOI：10.1016/s0925-8388(02)00404-8

  日期：2002.10

  Phase equilibria in the Dy-Ti-Si system were investigated by X-ray powder diffraction, local X-ray spectral analysis, metallographic analysis and the isothermal cross-section at 1200 K was obtained. The CeFeSi-type (space group P4/nmm, No. 129) DyTiSi compound has been confirmed. The new Sc2Re3Si4-type (space group P4(t)2(t)2, No. 92) compound Dy2Ti3Si4 [a=0.6977(l) nm, c=1.2814(2) nm] was found. It is obvious that the AlB2-type (space group P6/mmm, No. 191) compound DyTi0.3Si1.7 [a=0.3824(1) nm, c=0.4119(1) nm] belongs to an extended region of the AlB2-type DySi1.56-based solid solution. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
• Fitzmaurice, Jonathan C.; Hector, Andrew L.; Parkin, Ivan P., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1995, vol. 101, # 1-4, p. 47 - 56
  作者：Fitzmaurice, Jonathan C.、Hector, Andrew L.、Parkin, Ivan P.、Rowley , Adrian T.

  DOI：——

  日期：——
• Phase equilibria in the Dy–V–Si system at 1200 K
  作者：A.V Morozkin

  DOI：10.1016/s0925-8388(02)00502-9

  日期：2002.11

  Phase equilibria in the Dy-V-Si system were investigated by X-ray powder diffraction and metallographic analysis. The isothermal cross-section at 1200 K was obtained. It is obvious that the AlB2-type (space group P6/mmm, no. 191) DyV0.1Si1.9 compound [a=0.3817(1) nm, c=0.4114(1) nm] belongs to the extended region of an AlB2-type DySi1.56-based solid solution. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.