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dysprosium silicide

中文名称
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中文别名
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英文名称
dysprosium silicide
英文别名
——
dysprosium silicide化学式
CAS
——
化学式
DySi2
mdl
——
分子量
218.671
InChiKey
BEPGNXXHMPVMQY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -2.9
  • 重原子数:
    3.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    氢化镝(DyH3)硅烷 以 melt 为溶剂, 生成 dysprosium silicide
    参考文献:
    名称:
    1270K 下的三元 RE-Si-B 系统(RE=Dy、Ho、Er 和 Y):固溶体 REB2-xSix(RE=Dy 和 Ho)的固态相平衡和磁性能
    摘要:
    摘要 利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜和电子探针微量分析等实验技术,在 1270 K 下测定了三元 RE-Si-B 图中的固态相平衡(RE = Dy、Ho、Er 和 Y)。通常,每个图都获得了三个三元相:具有四方对称性的线状化合物 RE 5 Si 2 B 8、Mn 5 Si 3 型的硼插入 Nowotny 相 RE 5 Si 3 B x 和固溶体 REB 2 - x Si x 的AlB 2 -型。在这项工作之前,还重新研究了构成每个图边界的二元系统 RE-Si 和 RE-B。除了先前报道或将在即将发表的报告中介绍的 RE 5 Si 3 (Mn 5 Si 3 型,RE = Dy、Ho 和 Y)和 Dy 3 Si 4(Ho 3 Si 4 型)的结构之外纸,RE 5 Si 4(Sm 5 Ge 4 型,RE = Dy 和 Ho)、DySi(CrB 型)和 HoSi 的 X 射线单晶结构在两种多晶型变体中,即
    DOI:
    10.1016/j.jallcom.2005.09.012
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文献信息

  • Contact reaction between Si and rare earth metals
    作者:R. D. Thompson、B. Y. Tsaur、K. N. Tu
    DOI:10.1063/1.92442
    日期:1981.4
    Reactions between Si and thin films of rareearth metals (Gd, Dy, Ho, Er, plus Y and La) in the temperature range of 275–900 °C have been studied by using x‐ray diffraction and ion backscattering spectrometry. The disilicides of these metals are apparently the first phase to form, forming rapidly within a narrow temperature range (325–400 °C), and are stable up to 900 °C. The growth does not follow
    已经使用 X 射线衍射和离子背散射光谱法研究了 Si 与稀土金属(Gd、Dy、Ho、Er、加上 Y 和 La)薄膜在 275-900°C 温度范围内的反应。这些金属的二硅化物显然是第一个形成的相,在狭窄的温度范围 (325–400 °C) 内迅速形成,并在高达 900 °C 时保持稳定。增长不遵循分层增长模式。
  • The ternary RE–Si–B systems (RE=Dy, Ho, Er and Y) at 1270K: Solid state phase equilibria and magnetic properties of the solid solution REB2−xSix (RE=Dy and Ho)
    作者:Jérome Roger、Volodymyr Babizhetskyy、Thierry Guizouarn、Kurt Hiebl、Roland Guérin、Jean-François Halet
    DOI:10.1016/j.jallcom.2005.09.012
    日期:2006.6
    RE 5 Si 3 B x of Mn 5 Si 3 -type and the solid solution REB 2− x Si x of AlB 2 -type. Prior to this work, the binary systems RE–Si and RE–B, which form the boundary of each diagram, were also re-investigated. In addition to the structures of RE 5 Si 3 (Mn 5 Si 3 -type, RE = Dy, Ho and Y) and Dy 3 Si 4 (Ho 3 Si 4 -type) which were previously reported or will be presented in a forthcoming paper, the
    摘要 利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜和电子探针微量分析等实验技术,在 1270 K 下测定了三元 RE-Si-B 图中的固态相平衡(RE = Dy、Ho、Er 和 Y)。通常,每个图都获得了三个三元相:具有四方对称性的线状化合物 RE 5 Si 2 B 8、Mn 5 Si 3 型的硼插入 Nowotny 相 RE 5 Si 3 B x 和固溶体 REB 2 - x Si x 的AlB 2 -型。在这项工作之前,还重新研究了构成每个图边界的二元系统 RE-Si 和 RE-B。除了先前报道或将在即将发表的报告中介绍的 RE 5 Si 3 (Mn 5 Si 3 型,RE = Dy、Ho 和 Y)和 Dy 3 Si 4(Ho 3 Si 4 型)的结构之外纸,RE 5 Si 4(Sm 5 Ge 4 型,RE = Dy 和 Ho)、DySi(CrB 型)和 HoSi 的 X 射线单晶结构在两种多晶型变体中,即
  • Magnetic properties of rare earth disilicides RSi2
    作者:J Pierre、E Siaud、D Frachon
    DOI:10.1016/0022-5088(88)90014-8
    日期:1988.5
  • Phase equilibria in the Dy–Ti–Si system at 1200 K
    作者:A.V Morozkin
    DOI:10.1016/s0925-8388(02)00404-8
    日期:2002.10
    Phase equilibria in the Dy-Ti-Si system were investigated by X-ray powder diffraction, local X-ray spectral analysis, metallographic analysis and the isothermal cross-section at 1200 K was obtained. The CeFeSi-type (space group P4/nmm, No. 129) DyTiSi compound has been confirmed. The new Sc2Re3Si4-type (space group P4(t)2(t)2, No. 92) compound Dy2Ti3Si4 [a=0.6977(l) nm, c=1.2814(2) nm] was found. It is obvious that the AlB2-type (space group P6/mmm, No. 191) compound DyTi0.3Si1.7 [a=0.3824(1) nm, c=0.4119(1) nm] belongs to an extended region of the AlB2-type DySi1.56-based solid solution. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  • Fitzmaurice, Jonathan C.; Hector, Andrew L.; Parkin, Ivan P., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1995, vol. 101, # 1-4, p. 47 - 56
    作者:Fitzmaurice, Jonathan C.、Hector, Andrew L.、Parkin, Ivan P.、Rowley , Adrian T.
    DOI:——
    日期:——
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