zirconium silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: zirconium silicide
• 英文别名: zirconium disilicide；Zr-silicide
• 化学式: Si₂Zr
• 分子量: 147.395
• InChiKey: NOBQKWRHRGQHAL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.91
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  zirconium silicide 在 Cl₂ 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 氯化锆(IV)
  参考文献：
  名称：

  Hoenigschmid, O., Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1906, vol. 143, p. 224 - 226

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 zirconium silicide
  参考文献：
  名称：

  硅上堆叠高k电介质的热稳定性

  摘要：

  ZrO2/ZrSixOy 和 ZrO2/ZrSixOy/SiNx 薄膜在硅上的热稳定性通过同步辐射紫外光电子能谱法检测。通过原子层控制沉积法沉积的 ZrO2/ZrSixOy 层是化学计量的、均匀的、非晶态的，等效氧化物厚度约为 1 nm，介电常数约为 18，漏电流低。这些 ZrO2/ZrSixOy 样品在高达 880 °C 的真空中是热稳定的，在该温度下，薄膜分解形成 ZrSi2（以每个锆原子为基础的热力学最稳定的金属硅化物）以及 SiO(g) 和 ZrO(g) 的解吸导致氧和锆的光发射强度大大降低。当沉积在 0.5-0.7 nm SiNx 薄膜上时，ZrO2/ZrSixOy 的热稳定性提高到 950 °C。

  DOI：

  10.1063/1.1419030

文献信息

• New criteria for the applicability of combustion synthesis: The investigation of thermodynamic and kinetic processes for binary Chemical Reactions
  作者：Xiaoming Tan、Xianli Su、Yonggao Yan、Ctirad Uher、Qingjie Zhang、Xinfeng Tang

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.158465

  日期：2021.4

  Combustion synthesis is a novel technique that utilizes the exothermic heat of a chemical reaction to maintain the reaction and to rapidly prepare materials. But, hitherto, none of unified criterion for the validation of combustion synthesis has been proposed. Herein, we proposed the conditions need to be met. In terms of kinetics, at the adiabatic temperature (Tad), the diffusion distance of atoms

  燃烧合成是一种利用化学反应的放热来维持反应并快速制备材料的新技术。但是，迄今为止，尚未提出用于验证燃烧合成的统一标准。在此，我们提出了需要满足的条件。就动力学而言，在绝热温度（T ad）下，原子的扩散距离（升Ť广告）在0.1 s内应大于反应物的粒径（d）， 那是， 升Ť广告≥d。对于满足T ad / T m，L的系统≥1（其中T m，L是反应物的低熔点成分的熔点），液相的存在将原子的扩散距离从纳米显着增加到数十微米，从而成为标准升Ť广告≥d简化为T ad / T m，L≥在大多数情况下为1。在热力学方面，系统需要确保反应成分处于激活状态，即T ad / T m，H ≥0.7，其中T m，H是高熔点组分的熔点。本研究提出的SHS反应标准进一步提高了对SHS反应的理论理解，并为探索二元和多组分化合物的超快合成提供了指导。
• Microstructure and ellipsometry studies of vanadium, zirconium and cobalt silicides
  作者：Shean-Jyeh Mu、Juh Tzeng LuE、In-chin Wu

  DOI：10.1016/0022-3697(88)90110-2

  日期：1988.1

  Abstract The surface morphologies and structural phases of VSi 2 , ZrSi 2 and CoSi 2 , formed by rapid thermal annealing, were studied by transmission electron microscopy. Polycrystalline VSi 2 and ZrSi 2 and epitaxial CoSi 2 were found to be the stable phases after annealing. The complex refractive indices were determined to be between 2 and 5 in the visible region.

  摘要 采用透射电子显微镜研究了快速热退火形成的VSi 2 、ZrSi 2 和CoSi 2 的表面形貌和结构相。发现多晶VSi 2 和ZrSi 2 以及外延CoSi 2 是退火后的稳定相。在可见光区，复数折射率被确定为介于 2 和 5 之间。
• Interaction analysis of systems involving refractory compounds by means of DTA method
  作者：Sergei N. Lakiza

  DOI：10.1016/0040-6031(85)85145-5

  日期：1985.9

  Using DTA and other methods, the study on interaction of silicon nitride with nitrides of titanium, vanadium and zirconium carbide was carried out. The typical features of such interactions are the effect of Si3N4 dissociation stability and the formation of transient metals'-silicides.

  采用DTA等方法，对氮化硅与钛、钒、碳化锆的氮化物相互作用进行了研究。这种相互作用的典型特征是 Si3N4 离解稳定性的影响和瞬态金属硅化物的形成。
• Progress on phase equilibria of the Al Si Zr system at 700 and 900 °C
  作者：Ya Liu、Maoyou Tang、Changjun Wu、Jianhua Wang、Xuping Su

  DOI：10.1016/j.jallcom.2016.09.142

  日期：2017.2

  Zr system were investigated using equilibrated alloys. All alloys were studied by X-ray powder diffraction, scanning electron microscopy and energy dispersive spectroscopy. The ternary phase τ 1 was found at 700 and 900 °C, while the τ 2 phase was only identified at 900 °C. 12 three-phase regions were experimentally determined in isothermal sections of the Al Si Zr system at both 700 and 900 °C. The

  摘要 使用平衡合金研究了 Al Si Zr 系统的相平衡。通过 X 射线粉末衍射、扫描电子显微镜和能量色散光谱对所有合金进行了研究。三元相 τ 1 在 700 和 900 °C 下被发现，而 τ 2 相仅在 900 °C 下被发现。在 700 和 900 °C 的 Al Si Zr 系统的等温截面中，通过实验确定了 12 个三相区域。Si在Al Zr侧的中间相和溶液相（即Al 3 Zr、Al 2 Zr、Al 3 Zr 2 、AlZr 3 、α-Al和（Zr））中的溶解度是有限的，而Al在Al Zr侧的溶解度是有限的。 Si Zr 金属间化合物（Si 2 Zr 3 相除外）是相反的。此外，αSiZr 相中的 Al 在 900 °C 时从 700 °C 时的 10.3 at.% 降至 0.5 at.%。
• High-Temperature Chemistry and Oxidation of ZrB₂Ceramics Containing SiC, Si₃N₄, Ta₅Si₃, and TaSi₂
  作者：Inna G. Talmy、James A. Zaykoski、Mark M. Opeka

  DOI：10.1111/j.1551-2916.2008.02420.x

  日期：2008.7

  The effect of Si3N4, Ta5Si3, and TaSi2 additions on the oxidation behavior of ZrB2 was characterized at 1200°–1500°C and compared with both ZrB2 and ZrB2/SiC. Significantly improved oxidation resistance of all Si‐containing compositions relative to ZrB2 was a result of the formation of a protective layer of borosilicate glass during exposure to the oxidizing environment. Oxidation resistance of the Si3N4‐modified ceramics increased with increasing Si3N4 content and was further improved by the addition of Cr and Ta diborides. Chromium and tantalum oxides induced phase separation in the borosilicate glass, which lead to an increase in liquidus temperature and viscosity and to a decrease in oxygen diffusivity and of boria evaporation from the glass. All tantalum silicide‐containing compositions demonstrated phase separation in the borosilicate glass and higher oxidation resistance than pure ZrB2, with the effect increasing with temperature. The most oxidation‐resistant ceramics contained 15 vol% Ta5Si3, 30 vol% TaSi2, 35 vol% Si3N4, or 20 vol% Si3N4 with 10 mol% CrB2. These materials exceeded the oxidation resistance of the ZrB2/SiC ceramics below 1300°–1400°C. However, the ZrB2/SiC ceramics showed slightly superior oxidation resistance at 1500°C.

  Si3N4、Ta5Si3和TaSi2添加物对ZrB2氧化行为的影响已在1200°C至1500°C范围内进行了表征，并与纯ZrB2及ZrB2/SiC进行了比较。所有含硅的复合材料相较于纯ZrB2显示出显著增强的氧化抗性，这是由于在氧化环境中形成了具有保护作用的硼硅酸盐玻璃层。Si3N4改性陶瓷的氧化抗性随Si3N4含量的增加而提高，并可通过添加Cr和Ta的二硼化物（CrB2和TaB2）进一步增强。Cr和Ta氧化物诱发了硼硅酸盐玻璃中的相分离，导致玻璃液相温度和粘度的增加，同时降低了氧扩散率和玻璃中硼的蒸发速率。所有含钽硅化物的复合材料均在硼硅酸盐玻璃中表现出相分离，并且相较于纯ZrB2具有更高的氧化抗性，且该效应随温度升高而增强。最具有氧化抗性的陶瓷材料含有15体积百分比的Ta5Si3、30体积百分比的TaSi2、35体积百分比的Si3N4或20体积百分比的Si3N4并伴有10摩尔百分比的CrB2。这些材料在低于1300°C至1400°C的温度下超越了ZrB2/SiC陶瓷的氧化抗性。然而，在1500°C时，ZrB2/SiC陶瓷显示出略优于上述材料的氧化抗性。