cobalt (II) selenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: cobalt (II) selenide
• 英文别名: cobalt selenide；cobalt monoselenide；cobalt;selane
• 化学式: CoSe
• 分子量: 137.953
• InChiKey: WZXBTDGYSLUINW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  cobalt (II) selenide 在 S₂Cl₂ 作用下， 生成 cobalt(II) chloride
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Co: MVol.A2, 49, page 339 - 341

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 cobalt (II) selenide
  参考文献：
  名称：

  磷化硫属元素化物在制备钴硫属元素化物中的用途

  摘要：

  八羰基二钴与TeP n Bu 3，SeP n Bu 3或SP n Bu 3反应，分别得到固态碲化钴，硒化钴和硫化钴。在每种情况下，可以从膦硫属元素化物与羰基钴的反应中分离出形式为Co 6 E 8（P n Bu 3）6的簇状化合物，然后继续进行固态产物。从这个意义上说，Co 6 E 8团簇是分子到固体过程的中间产物。在Se的情况下，可以隔离另一个Co / Se簇：Co4 Se 2（CO）6（P n Bu 3）4。该复合物也因其来自Co 2（CO）8和SeP n Bu 3而适合于分子-固体途径，并且在用硒化膦处理后转化为Co 6 Se 8簇。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(93)80120-z

文献信息

• Electrodeposition of Cobalt Selenide Thin Films
  作者：Fangyang Liu、Bo Wang、Yanqing Lai、Jie Li、Zhian Zhang、Yexiang Liu

  DOI：10.1149/1.3468675

  日期：——

  Cobalt selenide thin films have been prepared onto tin oxide glass substrates by electrodeposition potentiostatically from an aqueous acid bath containing H 2 SeO 3 and Co(CH 3 COO) 2 at 50°C. The electrodeposition mechanism was investigated by cyclic voltammetry. The morphological, compositional, structural, and optical properties of the deposited films have been studied using scanning electron microscopy

  硒化钴薄膜已通过恒电位电沉积从含有 H 2 SeO 3 和 Co(CH 3 COO) 2 的含水酸浴中在 50°C 下制备到氧化锡玻璃基板上。通过循环伏安法研究了电沉积机理。已分别使用扫描电子显微镜、能量色散 X 射线光谱、X 射线衍射和光学吸收技术研究了沉积薄膜的形态、成分、结构和光学特性。确认硒化钴的形成是通过欠电位沉积机制进行的。在-0.5 V vs饱和甘汞电极的沉积电位下获得了具有致密均匀形态和六方晶体结构的富硒CoSe薄膜。
• Syntheses, Crystal Structures, and Optical and Magnetic Properties of Some CsLnCoQ ₃ Compounds (Ln = Tm and Yb, Q = S; Ln = Ho and Yb, Q = Se)
  作者：George H. Chan、Leif J. Sherry、Richard P. Van Duyne、James A. Ibers

  DOI：10.1002/zaac.200700179

  日期：2007.8

  The four new compounds CsTmCoS3, CsYbCoS3, CsHoCoSe3, and CsYbCoSe3 have been synthesized at 1123 K. These black-colored isostructural compounds crystallize in the KZrCuS3 structure type with four formula units in space group Cmcm of the orthorhombic system. The structure of these com- pounds is composed of 2 (LnCoQ3 ) layers separated by Cs atoms. Because there are no QQ bonds, the formal oxidation

  四种新化合物 CsTmCoS3、CsYbCoS3、CsHoCoSe3 和 CsYbCoSe3 在 1123 K 下合成。这些黑色同构化合物以 KZrCuS3 结构类型结晶，在正交晶系的空间群 Cmcm 中有四个式单元。这些化合物的结构由被 Cs 原子隔开的 2 个 (LnCoQ3) 层组成。由于没有 QQ 键，Cs/Ln/Co/Q 的正式氧化态分别为 1/3/2/2。CsHoCoSe3 显示
• Anomalous properties of cobalt diselenide
  作者：P. Panissod、M. Larhichi、M.F. Lapierre-Ravet

  DOI：10.1016/0038-1098(79)90536-2

  日期：1979.8

  From N.M.R. and X-rays experiments we show that the anomalous temperature dependence of the bulk magnetic susceptibility of cobalt diselenide which was first attributed to the occurence of antiferromagnetism is rather due to some structural instability. This is supported by an observed anomaly in the thermal variation of the lattice parameter and a (Tm-T)12 thermal variation of the 77Se N.M.R. linewidth

  从 NMR 和 X 射线实验我们表明，首先归因于反铁磁性的发生的二硒化钴体磁化率的异常温度依赖性是由于某些结构不稳定性。观察到的晶格参数热变化异常和 77Se NMR 线宽的 (Tm-T)12 热变化（Tm ∼ 50K 是发生不稳定性的温度）支持了这一点。这种行为已经在 CuS2 和层状 NbSe2 中观察到，其中已知会发生结构不稳定性。一些非化学计量效应是
• Tunable K vacancies in K1−Co2Se2 and their effects on structure and ferromagnetism
  作者：Zhongnan Guo、Xiaoxiao Yan、Lirong Zheng、Xue Han、Dan Wu、Ning Liu、Fan Sun、Da Wang、Wenxia Yuan

  DOI：10.1016/j.jmmm.2019.165473

  日期：2019.11

  ThCr2Si2-type structure and intact tetrahedral [CoSe] layers can be maintained with the varying occupancies of K. By inducing K vacancies in structure, tetragonality of the lattice for K1−xCo2Se2 increases with the shortened a and elongated c. The (CoSe4) tetrahedron is also compressed perpendicular to the c direction resulted from the K deficiency. X-ray absorption near-edge structure reveals that

  摘要 深入了解中间体金属A对ThCr2Si2型过渡金属化合物ATM2X2的结构和相关性能的作用，对于设计新型层状功能材料具有重要意义。然而，迄今为止，在已报道的系统中，诱导 A 空位通常有破坏原始结构的趋势，这阻碍了进一步的研究。在这里，我们报告了 K1−xCo2Se2 系统（0 ≤ x ≤ 0.3）中的可控 K 空位，其中 ThCr2Si2 型结构和完整的四面体 [CoSe] 层都可以通过 K 的不同占有率保持。通过在结构中引入 K 空位，K1−xCo2Se2 晶格的四方性随着 a 的缩短和 c 的拉长而增加。(CoSe4) 四面体也因 K 不足而垂直于 c 方向压缩。X射线吸收近边结构表明Co的价态基本上不受K缺陷的影响，Co K-边的吸收边保持不变。关于物理性质，由于从 K+ 到 [CoSe] 层的电荷转移减少，K 空位增加了金属 K1-xCo2Se2 的电阻率。更重要的是，尽管 Co-Co
• The low-temperature specific heat of FeS and M_0.875X (M = Fe, Co; X = S, Se) with a NiAs-like structure
  作者：Hisao Kobayashi、Tatsuhiko Nozue、Takeshi Matsumura、Takashi Suzuki、Takashi Kamimura

  DOI：10.1088/0953-8984/11/44/305

  日期：1999.11.8

  We have measured the specific heat of FeS, Fe0.875X, and Co0.875X (X = S,Se) compounds with a NiAs-like structure over the temperature range from 2 to 30 K. It was found that the ground state of FeS has an insulating character. The opening up of a gap in the density of states is probably caused by electron correlation. Two types of superstructure are known to occur due to ordering of vacancies at iron

  我们测量了具有类 NiAs 结构的 FeS、Fe0.875X 和 Co0.875X (X = S,Se) 化合物在 2 到 30 K 的温度范围内的比热。 发现 FeS 的基态具有绝缘特性。态密度间隙的打开可能是由电子相关性引起的。由于 Fe0.875X 中铁位点的空位排序，已知会出现两种类型的上层结构；一种是3c结构，另一种是4c结构。3c 结构获得的 - 值比 4c 结构的值大约 10%。因此，该结果表明 Fe0.875X 的电子结构应该对空位的有序结构敏感。由于非化学计量化合物的 - 值大于计算值，在非化学计量化合物中存在电子有效质量增强。此外，对低温比热的观察和计算的电子贡献的比较表明，泡利顺磁性 Co0.875X 中的质量增强大于亚铁磁性 Fe0.875X 中的质量增强。