chromium silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: chromium silicide
• 英文别名: chromium;silane
• 化学式: Cr₃Si
• 分子量: 184.073
• InChiKey: CUEZLEFBYSIWJS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.46
• 重原子数：
  4.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  铬 在 铜 、 硅烷 作用下， 以 melt 为溶剂， 生成 chromium silicide
  参考文献：
  名称：

  Lebeau, P.; Figueras, J., Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1903, vol. 136, p. 1329 - 1331

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Fabrication and Characterization of Thermoelectric CrSi<SUB>2</SUB> Compound by Mechanical Alloying and Spark Plasma Sintering
  作者：Chung-Hyo Lee

  DOI：10.1166/jnn.2015.10379

  日期：2015.7.1

  A mixture of elemental Cr–Si powders has been subjected to mechanical alloying (MA) at room temperature to prepare CrSi2 thermoelectric compound.The MA powders were sintered at 800–1000 °C Cunder 60 MPa using spark plasma sintering (SPS) technique. Due to the observed larger loss of Si relative Cr during ball milling, the starting composition was modified to Cr30Si70, Cr31.5Si68.5 and Cr33Si67 to get a single phase of CrSi2 compound. The single phase CrSi2 has been obtained by MA of Cr31.5Si68.5 mixture powders for 70 h and subsequently sintered at 1000 °C. X-ray diffraction data shows that the SPS compact sintered at 1000 °C consists of only nanocrystalline CrSi2 compound with a grain size of 250 nm. The value of Seebeck coefficient of CrSi2 compound increases with temperature and reaches maximum value of 245 μV/K at 300 °C.

  为制备 CrSi2 热电化合物，对元素 Cr-Si 粉末混合物在室温下进行了机械合金化（MA）处理。MA 粉末在 800-1000 °C Cunder 60 MPa 下采用火花等离子烧结（SPS）技术进行烧结。由于在球磨过程中观察到 Si 相对于 Cr 的损失较大，因此将起始成分修改为 Cr30Si70、Cr31.5Si68.5 和 Cr33Si67，以获得单相 CrSi2 化合物。通过对 Cr31.5Si68.5 混合物粉末进行 70 小时的 MA，然后在 1000 °C 下烧结，得到了单相 CrSi2。X 射线衍射数据显示，在 1000 ℃ 下烧结的 SPS 结构体仅由晶粒大小为 250 nm 的纳米晶 CrSi2 化合物组成。CrSi2 化合物的塞贝克系数随温度升高而增大，在 300 ℃ 时达到最大值 245 μV/K。
• Amorphization of M‐Si (M=Ni, Co, Mo, Mn, and Cr) powders by ball milling using revolution‐step‐like‐decreasing mode
  作者：K. Omuro、H. Miura

  DOI：10.1063/1.107313

  日期：1992.3.23

  Amorphous alloy powders of the silicide type M‐Si (M=Ni, Co, Mo, Mn, and Cr) are produced from crystalline elemental powders by high‐energy ball milling using revolution‐step‐like‐decreasing (RSD) mode. In the ball milling using the RSD mode, after promoting true chemical alloying in milled powder samples under high‐vial rotation of the ball mill in the earlier stage, the medium‐ or low‐vial rotations

  硅化物型 M-Si 非晶合金粉末（M=Ni、Co、Mo、Mn 和 Cr）由结晶元素粉末通过高能球磨使用旋转阶梯状递减（RSD）模式生产。在RSD模式的球磨中，在前期球磨机高速旋转小瓶的情况下，在研磨后的粉末样品中促进真正的化学合金化后，连续研磨阶段的中低小瓶旋转导致粉末的非晶化由于恢复过程（例如更稳定相的成核）而导致的产物较少。通过 X 射线衍射和/或差示扫描量热法检查 RSD 研磨粉末样品的非晶性。
• Local structure and magnetism of Fe, Co and Ni doped Cr3Si
  作者：P. Zaleski、K. Szymański、W. Olszewski、M. Biernacka、K. Perzyńska、D. SatuŁa、A. Go、J. Przewoźnik、D.A. Zając、M. Pylak、L. Dobrzyński

  DOI：10.1016/j.physb.2011.04.072

  日期：2011.9

  3 Si doped with Fe, Co and Ni were studied using the Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS) technique, X-rays and magnetic susceptibility measurements. The EXAFS measurements were performed particularly carefully on the K-edge of chromium and cobalt. EXAFS data strengthened by simulations of the spectra show unambiguously that the impurities are occupying mostly Cr-sites. The magnetic state

  摘要 采用扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术、X射线和磁化率测量研究了3d型杂质在掺杂Fe、Co和Ni的Cr 3 Si中的晶格位置占据。EXAFS 测量在铬和钴的 K 边缘上进行得特别仔细。通过光谱模拟强化的 EXAFS 数据清楚地表明，杂质主要占据 Cr 位点。已使用 Wien2k 代码对合金的磁性状态进行了理论上的研究。可以观察到，如果不在 k 空间中适当精细的点网格上进行计算，尽管每个公式单位的总磁矩很弱，但可以得到指示铁磁性的结果。
• Phase formation in Cr‐Si thin‐film interactions
  作者：E. G. Colgan、B. Y. Tsaur、J. W. Mayer

  DOI：10.1063/1.91767

  日期：1980.11.15

  both unreacted Cr and Si are present, the CrSi2 phase is formed. The phase grows until the Si is completely consumed, and then a metal‐rich phase, Cr5Si3, is formed at the Cr‐CrSi2 interface. Upon further heating of samples with a Cr:Si ratio of 3.0, Cr5Si3 reacts with Cr to form a more Cr‐rich phase, Cr3Si. The CrSi phase was observed only in samples with a Cr:Si ratio of 1. All the compounds present

  通过 MeV 4He+ 背向散射和掠射入射 X 射线衍射研究了 Cr-Si 薄膜样品中硅化物的形成。SiO2/Cr/Si 配置的样品是通过将 Cr 和 Si 连续电子枪沉积到 SiO2 基板上制备的，相对膜厚调整为 3.0 (Cr3Si)、1.67 (Cr5Si3) 和 1.0 (CrSi) 的 Cr:Si 比. 当未反应的 Cr 和 Si 都存在时，在相形成的早期阶段，形成了 CrSi2 相。该相一直生长到 Si 被完全消耗，然后在 Cr-CrSi2 界面形成富金属相 Cr5Si3。在进一步加热 Cr:Si 比为 3.0 的样品时，Cr5Si3 与 Cr 反应形成更富铬的相 Cr3Si。仅在 Cr:Si 比率为 1 的样品中观察到 CrSi 相。观察到相图中存在的所有化合物。
• Resistivity studies on low-<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>T</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mi>c</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>A</mml:mi><mml:mi> </mml:mi><mml:mn>15</mml:mn></mml:math>compounds
  作者：S. Ramakrishnan、Girish Chandra

  DOI：10.1103/physrevb.38.9245

  日期：——