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zirconium selenide

中文名称
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中文别名
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英文名称
zirconium selenide
英文别名
——
zirconium selenide化学式
CAS
——
化学式
Se2Zr
mdl
——
分子量
249.144
InChiKey
SJBKWOQXVXVDBJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
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  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -1.83
  • 重原子数:
    3.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    导带填充和 Cs 插层的光电发射研究
    摘要:
    我们已经使用光电子能谱来研究层状半导体的导带状态的填充以及它们被 Cs 插入。还与 `self-intercalated' 进行了比较。即使在纯样品中,也发现了由于过量的 Ti/Zr 导致的占据导带态,但这种占据率因 Cs 嵌入而大大增加。化学计量是根据占用带的 k 空间范围估计的。刚好低于导带最小值的弱结构暂时归因于局部缺陷状态。
    DOI:
    10.1088/0953-8984/8/9/013
  • 作为产物:
    描述:
    selenium 反应 48.0h, 生成 zirconium selenide
    参考文献:
    名称:
    新化合物Zr6.5Pt6Se19的晶体结构和电子性质。
    摘要:
    作为将Zr掺杂到层状过渡金属硫族化物PtSe 2中的一项努力,已经发现了一种新的三元非化学计量Zr 6.5 Pt 6 Se 19。它具有新的结构类型(oC 68),是第一个具有4族元素(Ti,Zr和Hf)的Pt基三元硫族化物。的晶体结构,采用正交空间群CMMM用的晶格参数一个= 15.637(6),b = 26.541(10)埃,c ^ = 3.6581(12)A,和V = 1518.2(9)埃3。这种不寻常的结构由几个建筑单元组成:以锆原子为中心的边缘共享硒三棱柱和八面体链,角共享正方形金字塔的链和以Pt原子为中心的正方形平面。这些积木的凝结形成了独特的结构,其中双层Zr 5.54 Pt 6 Se 19平板沿b方向堆叠,并且在双层平板中平行于c方向的大通道。能带结构计算表明,Zr原子的部分占有会在费米能级上产生一个伪间隙,这很可能是造成这一新相稳定性的主要原因。
    DOI:
    10.1021/acs.inorgchem.0c00522
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文献信息

  • Synthesis and spectroscopic characterization of alkali–metal intercalated ZrSe<sub>2</sub>
    作者:Konstantin Nikonov、Niels Ehlen、Boris Senkovskiy、Nihit Saigal、Alexander Fedorov、Alexei Nefedov、Christof Wöll、Giovanni Di Santo、Luca Petaccia、Alexander Grüneis
    DOI:10.1039/c7dt03756b
    日期:——
    We report on the synthesis and spectroscopic characterization of alkali metal intercalated ZrSe2 single crystals. ZrSe2 is produced by chemical vapour transport and then Li is intercalated. Intercalation is performed from the liquid phase (via butyllithium) and from the vapour phase. Raman spectroscopy of intercalated ZrSe2 reveals phonon energy shifts of the Raman active A1g and Eg phonon modes, the
    我们报告了碱金属插层ZrSe 2单晶的合成和光谱表征。ZrSe 2通过化学气相传输产生,然后嵌入Li。从液相(通过丁基锂)和从气相进行插层。插层ZrSe 2的拉曼光谱显示了拉曼活性A 1g和E g声子模的声子能移,两声子模的消失以及新的低波数拉曼模的出现。角分辨光发射光谱法用于对费米表面进行映射,显示出4.7×10 14 cm -2的电子浓度。我们还执行了将K和Cs气相插入ZrSe 2的操作,并观察到与Li情况类似的拉曼模式变化。
  • Photoemission studies of the conduction band filling in and Cs-intercalated and
    作者:H I Starnberg、H E Brauer、H P Hughes
    DOI:10.1088/0953-8984/8/9/013
    日期:1996.2.26
    to study the filling of conduction band states of the layered semiconductors and as they are intercalated by Cs. Comparison is also made with `self-intercalated' . Even in the pure samples, occupied conduction band states due to excess Ti/Zr are found, but this occupancy is greatly increased by Cs intercalation. The stoichiometries are estimated from the extent in k-space of the occupied bands. A weak
    我们已经使用光电子能谱来研究层状半导体的导带状态的填充以及它们被 Cs 插入。还与 `self-intercalated' 进行了比较。即使在纯样品中,也发现了由于过量的 Ti/Zr 导致的占据导带态,但这种占据率因 Cs 嵌入而大大增加。化学计量是根据占用带的 k 空间范围估计的。刚好低于导带最小值的弱结构暂时归因于局部缺陷状态。
  • Electrical Properties of Lithium Intercalated TiS<sub>2</sub>, ZrSe<sub>2</sub>, HfSe<sub>2</sub>, 1T-TaS<sub>2</sub> and VSe<sub>2</sub>
    作者:Yoshichika Ōnuki、Rumiko Inada、Sei-ichi Tanuma、Shōji Yamanaka、Hiroshi Kamimura
    DOI:10.1143/jpsj.51.880
    日期:1982.3
    measurement of time dependent electrical resistivity and Hall coefficient. The semiconducting nature of TiS 2 , ZrSe 2 and HfSe 2 is converted into the metallic one by the lithium intercalation. The charge transfer rates from lithium atom to TiS 2 and ZrSe 2 bands are determined as 1.0 and 0.7, respectively from the chemical analyses and the Hall coefficients. The electrical resistivities of Li x TiS
    TiS 2 、ZrSe 2 、HfSe 2 、1T-TaS 2 和VSe 2 与正丁基锂在己烷溶液中的反应是通过测量时间相关的电阻率和霍尔系数来完成的。TiS 2 、ZrSe 2 和HfSe 2 的半导体性质通过锂嵌入转化为金属性质。根据化学分析和霍尔系数,从锂原子到 TiS 2 和 ZrSe 2 带的电荷转移率分别确定为 1.0 和 0.7。Li x TiS 2 (0.16≤ x ≤0.47) 和Li x ZrSe 2 (0.23≤ x ≤0.95) 的电阻率几乎遵循金属导体的Gruneisen 关系式。Li x ZrSe 2 ( z =0.49) 的低温电阻率显示出低于 1.7 K 的超导性。
  • Crystal Structure and Electronic Properties of New Compound Zr<sub>6.5</sub>Pt<sub>6</sub>Se<sub>19</sub>
    作者:Hanlin Wu、Huifei Zhai、Sheng Li、Maurice Sorolla、Gregory T. McCandless、Daniel Peirano Petit、Julia Y. Chan、Bing Lv
    DOI:10.1021/acs.inorgchem.0c00522
    日期:2020.6.15
    A new ternary nonstoichiometric Zr6.5Pt6Se19 has been discovered as a part of effort to dope Zr into the layered transitional metal chalcogenide PtSe2. With a new structure type (oC68), it is the first Pt-based ternary chalcogenide with group 4 elements (Ti, Zr, and Hf). The crystal structure adopts the orthorhombic space group Cmmm with lattice parameters of a = 15.637(6) Å, b = 26.541(10) Å, c =
    作为将Zr掺杂到层状过渡金属硫族化物PtSe 2中的一项努力,已经发现了一种新的三元非化学计量Zr 6.5 Pt 6 Se 19。它具有新的结构类型(oC 68),是第一个具有4族元素(Ti,Zr和Hf)的Pt基三元硫族化物。的晶体结构,采用正交空间群CMMM用的晶格参数一个= 15.637(6),b = 26.541(10)埃,c ^ = 3.6581(12)A,和V = 1518.2(9)埃3。这种不寻常的结构由几个建筑单元组成:以锆原子为中心的边缘共享硒三棱柱和八面体链,角共享正方形金字塔的链和以Pt原子为中心的正方形平面。这些积木的凝结形成了独特的结构,其中双层Zr 5.54 Pt 6 Se 19平板沿b方向堆叠,并且在双层平板中平行于c方向的大通道。能带结构计算表明,Zr原子的部分占有会在费米能级上产生一个伪间隙,这很可能是造成这一新相稳定性的主要原因。
  • Layered Sodium Titanium Trichalcogenide Na<sub>2</sub>TiCh<sub>3</sub> Framework (Ch = S, Se): A Rich Crystal and Electrochemical Chemistry
    作者:Bernhard T. Leube、Elodie Salager、Erwan Chesneau、Gwenaëlle Rousse、Hervé Vezin、Artem M. Abakumov、Jean-Marie Tarascon
    DOI:10.1021/acs.chemmater.1c04374
    日期:2022.3.8
    The synthesis and characterization of novel alkaline-rich transition-metal chalcogenides is an intriguing task for solid-state chemists and battery researchers. This class of materials allures by its rich compositional variety, high theoretical capacities, and sometimes surprising electrochemistry. Using electrochemically inactive O3-type Li2TiS3 as a starting point, we embark on the synthesis and
    新型富碱过渡金属硫属化物的合成和表征对于固态化学家和电池研究人员来说是一项有趣的任务。这类材料因其丰富的成分多样性、高理论容量以及有时令人惊讶的电化学而具有吸引力。我们以电化学惰性的 O3 型 Li 2 TiS 3为起点,着手合成和电化学表征五种新型硫属化物:Na 2 TiS 3、Na 2 TiSe 3、Na 2 ZrS 3、Na 2 ZrSe 3,最后是Na 1.5 [Li 0.5 Ti]S3 . 所有化合物均以层状 O3 结构类型结晶,但表现出不同的电化学活性。特别是,Na 2 TiS 3被证明是一种有趣的正极材料:Li 与 Na 的交换释放了电化学活性,并允许每个分子式单元高达 1.8 Na 的持续电化学循环。我们阐明了 Na x TiS 3骨架在循环过程中的结构演变,并发现了 TiS 3八面体层从 O3 到 O1 堆叠的可逆结构转变。这些发现有助于了解基于 d 0的材料中阴离子氧化
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