holmium bismuthide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: holmium bismuthide
• 英文别名: Ho bismuthide；bismuthane;holmium
• 化学式: BiHo
• 分子量: 373.911
• InChiKey: JODQRTFETSSOBZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.18
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  holmium(III) oxide 、 氢化铋 、 holmium bismuthide 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  关于稀土金属铋氧化物 RE2BiO2 (RE = Nd, Tb, Dy, Ho)

  摘要：

  由元素铋、REBi 和 RE2O3 在密封的钽安瓿中于 1770 K 进行全固态反应合成了一系列新的 RE2BiO2 化合物（RE = Nd、Tb、Dy、Ho）。 -ThCr2Si2 型结构 (I4/mmm, tI10)，根据 X 射线单晶结构分析。作为主要结构特征，有 PbO 类似的板条 [REO]+ 和 44 个 Bi2- 阴离子网，沿 c 轴交替堆叠。

  DOI：

  10.1002/zaac.201100529
• 作为产物：
  描述：

  氢化钬 、 氢化铋 生成 holmium bismuthide
  参考文献：
  名称：

  关于稀土金属铋氧化物 RE2BiO2 (RE = Nd, Tb, Dy, Ho)

  摘要：

  由元素铋、REBi 和 RE2O3 在密封的钽安瓿中于 1770 K 进行全固态反应合成了一系列新的 RE2BiO2 化合物（RE = Nd、Tb、Dy、Ho）。 -ThCr2Si2 型结构 (I4/mmm, tI10)，根据 X 射线单晶结构分析。作为主要结构特征，有 PbO 类似的板条 [REO]+ 和 44 个 Bi2- 阴离子网，沿 c 轴交替堆叠。

  DOI：

  10.1002/zaac.201100529

文献信息

• Low temperature magnetic transitions of single crystal HoBi
  作者：A. Fente、H. Suderow、S. Vieira、N.M. Nemes、M. García-Hernández、S.L. Bud'ko、P.C. Canfield

  DOI：10.1016/j.ssc.2013.07.027

  日期：2013.10

  We present resistivity, specific heat and magnetization measurements in high quality single crystals of HoBi, with a residual resistivity ratio of 126. We find, from the temperature and field dependence of the magnetization, an antiferromagnetic transition at 5.7 K, which evolves, under magnetic fields, into a series of up to five metamagnetic phases.

  我们提供了高质量 HoBi 单晶的电阻率、比热和磁化测量值，剩余电阻率为 126。我们发现，从磁化的温度和场依赖性，在 5.7 K 处发生反铁磁转变，在磁力作用下演变场，进入一系列多达五个变磁相。
• Mozharivskii; Kuz'ma; Sichevich, Inorganic Materials, 1998, vol. 34, # 7, p. 707 - 710
  作者：Mozharivskii、Kuz'ma、Sichevich

  DOI：——

  日期：——
• Low temperature behaviour of HoBi
  作者：F. Hulliger、H.R. Ott、T. Siegrist

  DOI：10.1016/0022-5088(84)90203-0

  日期：1984.1