tungsten boride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: tungsten boride
• 英文别名: borane;tungsten
• 化学式: B₅W₂
• 分子量: 421.755
• InChiKey: HEEBYJALWKPCNF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -5.92
• 重原子数：
  7.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tungsten boride 、 三聚丙烯 生成 methyloxirane
  参考文献：
  名称：

  Boride catalyst for epoxidizing olefinic compounds

  摘要：

  本发明揭示了一种含硼物质的新型催化剂材料，用于催化有机过氧化物与烯烃在液相氧化反应中生成相应的环氧化物。该新型催化剂材料的特点是二元或三元硼化物化合物，其一般化学式为M.sub.x B.sub.y或M.sub.x B.sub.y R.sub.z，其中x为1-5的整数；y为1-2的整数；z为1-4的整数；B为硼；M为周期表中II-A、III-B、IV-B、V-B、VI-B、VII-B、VIII、III-A、IV-A和V-A族元素、稀土元素和放射性元素中的一种元素；R为与M不同的元素，选自与M在周期表中同一族元素。首选催化剂材料是那些在含有有机过氧化物、烯烃和产物的反应混合物中基本不溶的含硼物质。本发明还揭示了一种在较低温度下（例如25°C至200°C）在存在催化剂的情况下，在足以使混合物基本处于液相的压力下，液相环氧化烯烃化合物的方法。

  公开号：

  US04203910A1
• 作为产物：
  描述：

  硼烷 、 钨 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 tungsten boride
  参考文献：
  名称：

  钨与非晶硼固相反应生成硼化钨的过程

  摘要：

  通过钨与无定形硼粉的固相反应合成了各种硼化钨。将具有各种组成（B/W = 0.4 至 13.0）的混合粉末在氩气流中在 800 至 1550°C 下处理 0 至 120 分钟。形成了四种硼化物相，如 W2B、WB、W2B5 和 WB4，但没有出现具有最高硼化物组成的硼化物相 WB12。W2B 的形成大约在 1000°C 下开始，超过钨含量。另一方面，在过量的硼含量下，WB、W2B5 和 WB4 的形成分别在大约 800、950 和 1200°C 下开始。WB 和 W2B5 的最大形成量和结晶度是在它们自己的化学计量组成中硼含量接近 10 原子％时发现的。WB4 的唯一结晶相是用大量过量的硼含量制备的。然而，WB4 的形成行为表明WB4 在1400°C 以上是亚稳态的。WB4 相的稳定性可以通过过量硼的存在而增加。

  DOI：

  10.1007/bf01086475
• 作为试剂：
  描述：

  氢气 、 一氧化二氮 在 tungsten boride 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 水
  参考文献：
  名称：

  Vlasenko, N. V.; Il'chenko, N. I., Ukrainskij Khimicheskij Zhurnal, 1991, vol. 57/7, p. 60 - 62

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Formation process of tungsten borides by solid state reaction between tungsten and amorphous boron
  作者：H. Itoh、T. Matsudaira、S. Naka、H. Hamamoto、M. Obayashi

  DOI：10.1007/bf01086475

  日期：1987.8

  kinds of tungsten borides were synthesized by solid state reaction between tungsten and amorphous boron powders. The mixed powders with various compositions (B/W = 0.4 to 13.0) were treated at 800 to 1550° C for 0 to 120 min in a stream of argon. Four kinds of boride phases such as W2B, WB, W2B5 and WB4 were formed, although the boride phase having the composition of the highest boride, WB12, did not

  通过钨与无定形硼粉的固相反应合成了各种硼化钨。将具有各种组成（B/W = 0.4 至 13.0）的混合粉末在氩气流中在 800 至 1550°C 下处理 0 至 120 分钟。形成了四种硼化物相，如 W2B、WB、W2B5 和 WB4，但没有出现具有最高硼化物组成的硼化物相 WB12。W2B 的形成大约在 1000°C 下开始，超过钨含量。另一方面，在过量的硼含量下，WB、W2B5 和 WB4 的形成分别在大约 800、950 和 1200°C 下开始。WB 和 W2B5 的最大形成量和结晶度是在它们自己的化学计量组成中硼含量接近 10 原子％时发现的。WB4 的唯一结晶相是用大量过量的硼含量制备的。然而，WB4 的形成行为表明WB4 在1400°C 以上是亚稳态的。WB4 相的稳定性可以通过过量硼的存在而增加。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: B: B-Verb.1, 1.1.9.1.4.8, page 82 - 83
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• EP1473290
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Brewer, L.; Haraldsen, H., Journal of the Electrochemical Society, 1955, vol. 102, p. 399 - 406
  作者：Brewer, L.、Haraldsen, H.

  DOI：——

  日期：——
• Chemical Reactions, Anisotropic Grain Growth and Sintering Mechanisms of Self-Reinforced ZrB2-SiC Doped with WC
  作者：Ji Zou、Shi-Kuan Sun、Guo-Jun Zhang、Yan-Mei Kan、Pei-Ling Wang、Tatsuki Ohji

  DOI：10.1111/j.1551-2916.2010.04278.x

  日期：2011.5

  Transmission electron microscopy study of pressureless sintered ZrB2-20 vol% SiC composites with WC (5-10 vol%) additions was carried out in this work. Two independent chemical reactions in which the ZrO2 impurities were removed from ZrB2 grain surface were confirmed. Three new formed phases, (W, Zr)(ss)B, (Zr, W)(ss)C, and (W, Zr)(ss)Si-2, apart from the plate-like ZrB2 and SiC grains, were identified in the samples. Microstructure observations strongly suggest that the liquid phases in terms of (W, Zr)(ss)B and (W, Zr)(ss)Si-2, appear in this system during the sintering process below 2200 degrees C, and the former could well wet the ZrB2 grain boundaries. The mass transport process between ZrB2 and (W, Zr)(ss)B was also confirmed by scanning-transmission electron microscope analysis. The above results supports that the densification at 2200 degrees C is assisted by liquid phase and the elongation of ZrB2 platelets resulted from the Ostwald ripening during the dissolution-diffusion-precipitation process.