作者:P.G. Sennikov、I.B. Gornushkin、A.A. Ermakov、R.A. Kornev、V.E. Shkrunin、V.S. Polyakov
DOI:10.1016/j.jfluchem.2020.109692
日期:2021.1
of SiFxCl4-x (x = 1, 2, 3) from SiF4 and SiCl4 is thermodynamically forbidden under standard conditions. This restriction is removed in low-temperature plasmas studied in this work: a laser induced dielectric breakdown (LIDB) plasma and steady-state inductively-coupled plasma (ICP). The plasmas differ in many respects including energy content, temperature, and electron density that lead to different
四氟硅烷(SF 4)和四氯硅烷(SiCl 4)等离子体已被广泛用作蚀刻硅的F或Cl源,或用于沉积Si基材料的硅源。在氯氟硅烷SiF x Cl y分子中使用F和Cl的不同组合会增加实现这些过程的灵活性。由SiF 4和SiCl 4直接合成SiF x Cl 4-x(x = 1,2,3)在标准条件下是热力学上禁止的。在这项工作中研究的低温等离子体中消除了这种限制:激光诱导介电击穿(LIDB)等离子体和稳态电感耦合等离子体(ICP)。等离子体在许多方面有所不同,包括能量含量,温度和电子密度,这导致等离子体物质的不同电离/激发态,这可从等离子体发射光谱中观察到。红外光谱和质谱证实了三种氯氟硅烷SiF 3 Cl,SiF 2 Cl 2和SiFCl 3的形成,在LIDB等离子体产品中约占60%,并且在SiF 3 Cl,SiFCl 3和SiF 2之间以50/50的比例分配Cl 2。通过吉布斯自由能的最小化进行