摘要 通过 X 射线衍射研究了不同成分 NdSix 的化合物。发现正交 α-
GdSi2 型结构的均匀性范围从 x ⋍ 1.75 扩展到 1.87。通过中子衍射,我们发现Si含量相对较高的化合物中的Si空位仅限于两个结晶Si位点之一。相比之下,Si 空位统计分布在 Si 含量相对较低的化合物中的两个 Si 位点上。在狭窄的均匀性范围内,磁性排序的类型也发生了巨大的变化。对于高 Si 浓度,具有波矢量 [ 1 2 , 0, 0] 和 [0, 1 2 , 0] 的反
铁磁排序引起作为温度函数的若干相变,包括其中两个以上相互作用的不相称区域可以观察到波矢量。