gallium oxide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属有机物
• 英文名称: gallium oxide
• 英文别名: gallane;hydrate
• 化学式: Ga₂O
• 分子量: 155.445
• InChiKey: FGTFKIWYZAJNAT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.19
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  31.5
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  gallium oxide 在 硫酸 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 硫化氢
  参考文献：
  名称：

  Brukl, A.; Ortner, G., Zeitschrift fur anorganische Chemie, 1932, vol. 203, p. 23 - 25

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  氢化镓 在 O₂ 作用下， 生成 gallium oxide
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ga: MVol., 29, page 66 - 67

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Matrix isolation of HGaX2 (X = Cl or Br): IR spectroscopy and ab initio calculations
  作者：Jens Müller、Henning Sternkicker

  DOI：10.1039/a905183j

  日期：——

  High-vacuum thermolyses of the intramolecularly co-ordinated gallanes Me2N(CH2)3GaX2 with X = Cl 1 or Br 2 were investigated with matrix isolation techniques. Among the products, which have been identified with IR spectroscopy, ab initio calculations, and known literature data, are monomeric HGaCl2 and HGaBr2. The experimental vibrational frequencies of these hydrides are compared with calculated harmonic

  用基质分离技术研究了分子内配位的加仑烷烃Me 2 N（CH 2）3 GaX 2与X = Cl 1或Br 2的高真空热解。单体HGaCl 2和HGaBr 2已通过红外光谱法，从头算计算和已知文献数据鉴定出。将这些氢化物的实验振动频率与理论上的MP2（fc）/ 6-311 + G（2d，p）和B3LYP / 6-311 + G（2d，p）的谐波频率进行比较。除了单体HGaX 2之外，热解实验的氩气基质还包含CH 4，HCN，H 2。C CH 2，H 2 C NMe，[H 2 CCHCH 2 ] 3，H 2 C CHCH 3，HX和GaX（X = Cl或Br）。在GaBr的情况下，借助于SCRF-B3LYP计算，讨论并解释了已知气相值与氩气矩阵中测得的IR频率之间的差异。
• Vapor phase growth of GaN crystals with different morphologies and orientations on graphite and sapphire substrates
  作者：Akira Miura、Shiro Shimada

  DOI：10.1016/j.materresbull.2006.02.017

  日期：2006.9

  GaN crystals were grown on graphite and sapphire substrates at 990-1050 deg. C by reaction of Gasub 2}O with flowing NHsub 3}. Gasub 2}O gas was produced at a constant rate (1.3 wt% minsup -1}) by reaction of Gasub 2}Osub 3} with carbon at 1000-1060 deg. C. The effect of NHsub 3} concentration (3-100 vol%) and the nature of the substrate on the morphology and orientation of the GaN crystals

  GaN 晶体在石墨和蓝宝石衬底上以 990-1050 度生长。C通过Gasub 2}O与流动的NHsub 3}反应。Gasub 2}O 气体以恒定速率 (1.3 wt% minsup -1}) 通过 Gasub 2}Osub 3} 与碳在 1000-1060 度下反应产生。C. NHsub 3} 浓度（3-100 vol%）和基体性质对GaN晶体形貌和取向的影响通过扫描电镜、透射电镜、X射线衍射确定并选择面电子衍射。发现片状和板状晶体以不同的取向生长于具有不同NHsub 3}浓度和基底的基底。
• Vaporization of Sr- and Mg-Doped Lanthanum Gallate and Implications for Solid Oxide Fuel Cells
  作者：Wioletta Kuncewicz-Kupczyk、Dietmar Kobertz、Miroslaw Miller、Lorenz Singheiser、Klaus Hilpert

  DOI：10.1149/1.1370967

  日期：——

  calculation of thermodynamic activities of the components at 1800 K. The results are compared with thermodynamic data of LaGaO3~s! without additives. Implications of the present data for the potential use of the material in solid oxide fuel cell technology are discussed as well.

  La0.85Sr0.15Ga0.85Mg0.15O2.85 和 La0.90Sr0.10Ga0.80Mg0.20O2.85 钙钛矿相的汽化通过使用 Knudsen 渗出质谱法在 1618-1886 K 的温度范围内进行研究。在所研究的样品上测定了气态物质 O2、Mg、Sr、SrO、Ga、GaO、Ga2O 和 LaO 的分压。平衡分压用于计算组分在 1800 K 下的热力学活动。结果与 LaGaO3~s! 的热力学数据进行了比较。无添加剂。还讨论了当前数据对该材料在固体氧化物燃料电池技术中的潜在用途的影响。
• <i>In-situ</i> characterization of Ga₂O passivation of In_0.53Ga_0.47As prior to high-k dielectric atomic layer deposition
  作者：M. Milojevic、R. Contreras-Guerrero、E. O’Connor、B. Brennan、P. K. Hurley、J. Kim、C. L. Hinkle、R. M. Wallace

  DOI：10.1063/1.3615666

  日期：2011.7.25

  Ga2O interfacial passivation layers (IPLs) on In0.53Ga0.47As are investigated using in-situ monochromatic x-ray photoelectron spectroscopy. The oxide is entirely composed of Ga2O when deposited with an effusion cell temperature of 1500 °C and substrate temperature of 425 °C. The growth on In0.53Ga0.47As reveals slight chemical modification of the surface. The Ga2O behavior and ability to protect the

  使用原位单色 X 射线光电子能谱研究 In0.53Ga0.47As 上的 Ga2O 界面钝化层 (IPL)。当在 1500 °C 的扩散池温度和 425 °C 的衬底温度下沉积时，氧化物完全由 组成。In0.53Ga0.47As 上的生长揭示了表面的轻微化学改性。在每个前体脉冲之后通过原子层沉积在 Al2O3 沉积之后观察 行为和保护 III-V 族表面的能力。三甲基-Al (TMA) 和水导致的 Al2O3 生长表明 IPL 在 TMA 暴露后经历“清理”效应，导致形成 As-As 键合，从而导致高界面态密度。
• Improving field emission properties of GaN nanowires by oxide coating
  作者：Cen-Cun Tang、Xue-Wen Xu、Long Hu、Yang-Xian Li

  DOI：10.1063/1.3154564

  日期：2009.6.15

  the field emission properties of the following four types of nanowires: GaN nanowire, Ga2O3 nanowire, GaN nanowire with Ga2O3 coating, and Ga2O3 nanowire with GaN coating. The turn-on field values for the GaN, Ga2O3, GaN/Ga2O3, and Ga2O3/GaN nanowires are 4.3, 6.2, 4.7, and 2.6 V/μm, respectively. It has been found that the oxide coatings effectively improve the field emission capability of GaN nanowires

  我们比较了以下四种类型的纳米线的场发射特性：GaN 纳米线、Ga2O3 纳米线、具有 涂层的 GaN 纳米线和具有 GaN 涂层的 纳米线。GaN、 、GaN/ 和 /GaN 纳米线的导通场值分别为 4.3、6.2、4.7 和 2.6 V/μm。已经发现氧化物涂层有效地提高了GaN纳米线的场发射能力，而氮化物涂层抑制了 纳米线的电子发射。相应的 Fowler-Nordheim 分析表明，场发射的改善归因于包覆氧化物颗粒上的电子积累和纳米级异质结构中的界面电子重新分布，导致费米能级的移动和功函数的变化。