Cu₃Ge | 12158-95-1

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: Cu₃Ge
• 英文别名: copper germanide；Copper--germane (3/1)；copper;germane
• CAS: 12158-95-1
• 化学式: Cu₃Ge
• 分子量: 263.228
• InChiKey: XMRXWUFHFHSRCJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.46
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  copper-germanium 生成 Cu₃Ge
  参考文献：
  名称：

  摘要：

  DOI：

  10.1002/(sici)1521-3749(200006)626:6<1473::aid-zaac1473>3.3.co;2-4

文献信息

• The influence of various factors on the kinetics of the reaction between copper(I) chloride and germanium
  作者：B. Gillot、M. Radid

  DOI：10.1016/0040-6031(91)80117-2

  日期：1991.8

  Abstract The kinetics of the reaction between CuCl and Ge powders has been studied under vacuum by means of thermogravimetry in the range 226–274 °C. The reactivity of the Ge/CuCl system is affected significantly by the mixing operation, the thickness of the GeO 2 film on the Ge particles and the proportion of Ge and CuCl in the mixture. It is established that the kinetics is governed by a nucleation-growth

  摘要 通过热重法在 226–274 °C 范围内在真空下研究了 CuCl 和 Ge 粉末之间的反应动力学。Ge/CuCl体系的反应性受混合操作、Ge颗粒上GeO 2 膜的厚度以及混合物中Ge和CuCl的比例的显着影响。确定动力学受成核生长机制控制，表观活化能为 75 ± 3 kJ mol -1 Cu 3 Ge、Cu 5 Ge 和 Cu 被确定为反应产物，并提出了与 Cu 的连续反应机制作为最后阶段。
• Morphological instability of bilayers of copper germanide films and amorphous germanium
  作者：J. P. Doyle、B. G. Svensson、S. Johansson

  DOI：10.1063/1.114790

  日期：1995.11.6

  The morphological instability of copper germanide (Cu3Ge) films in contact with amorphous germanium is reported. Through secondary ion mass spectrometry, x‐ray diffraction, transmission electron microscopy, and electrical measurements, the breakdown of the continuous layer has been monitored. On the contrary, with Cu3Ge in contact with single crystal germanium, no instability is observed at the same

  报道了与非晶锗接触的锗化铜 (Cu3Ge) 薄膜的形态不稳定性。通过二次离子质谱、X 射线衍射、透射电子显微镜和电测量，连续层的击穿已经被监测到。相反，当 与单晶锗接触时，在相同温度下没有观察到不稳定性。无定形锗的结晶似乎是造成不稳定性的机制。
• Low resistivity copper germanide on (100) Si for contacts and interconnections
  作者：M. A. Borek、S. Oktyabrsky、M. O. Aboelfotoh、J. Narayan

  DOI：10.1063/1.117245

  日期：1996.12.2

  film/substrate interface. We have observed by secondary ion mass spectrometry, that a substantial amount of Si has diffused into the Cu–Ge in varying amounts that exhibit strong dependence on the anneal temperature. Despite the large amount of Si that has diffused into the films, the Cu3Ge maintains its low resistivity (ρ=10–15 μΩ cm) up to an anneal temperature of 600 °C, at which point the film completely loses

  我们通过依次电子束沉积非晶 Ge 层和多晶 Cu 层，在 (100) Si 上沉积了 Cu3Ge 薄膜。然后将薄膜在流动的 N2 中在 150-600°C 的温度范围内退火 30 分钟，以诱导 Cu-Ge 薄膜的完全再结晶。 薄膜在很宽的退火温度范围内与 (100) Si 形成平滑的、原子级锐利的界面，这表明在薄膜/衬底界面上没有任何化学反应，即化合物形成。我们已经通过二次离子质谱观察到，大量的 Si 以不同的量扩散到 Cu-Ge 中，这表现出对退火温度的强烈依赖性。尽管大量的 Si 已经扩散到薄膜中，
• Room‐temperature synthesis of copper germanide phase by ion beam mixing
  作者：S. Dhar、T. Som、Y. N. Mohapatra、V. N. Kulkarni

  DOI：10.1063/1.115021

  日期：1995.9.18

  This letter reports room‐temperature synthesis by ion beam mixing of the e1‐Cu3Ge phase which is a promising candidate for interconnect and contact material in very large scale integrated circuit technology. The resistivity of the mixed sample was found to be nearly the same as the one obtained from thermally prepared films. We briefly discuss the likely mechanisms of phase formation and conclude that

  这封信报告了通过离子束混合 e1-Cu3Ge 相的室温合成，这是非常大规模集成电路技术中互连和接触材料的有希望的候选者。发现混合样品的电阻率与从热制备的薄膜中获得的电阻率几乎相同。我们简要讨论了相形成的可能机制，并得出结论，在相形成过程中，反应动力学支配着热力学。相形成的顺序由有效的形成热规则解释。
• Unusually low resistivity of copper germanide thin films formed at low temperatures
  作者：L. Krusin‐Elbaum、M. O. Aboelfotoh

  DOI：10.1063/1.104304

  日期：1991.3.25

  first observation of the remarkably low electrical resistivity of copper germanide thin films formed at temperatures below 200 °C. At these low temperatures, the e‐Cu3Ge phase with a monoclinic crystal structure is formed, with room‐temperature resistivity which can be as low as 5.5 μΩ cm. The films are electrically stable up to at least 600 °C, and, unlike pure copper, are also stable against oxygen and

  我们首次观察到在低于 200 °C 的温度下形成的锗化铜薄膜的电阻率非常低。在这些低温下，形成具有单斜晶结构的 e-Cu3Ge 相，其室温电阻率可低至 5.5 μΩ cm。这些薄膜在至少 600 °C 的温度下具有电稳定性，并且与纯铜不同，它对氧气和空气暴露也很稳定。