硒化锗是一种正交晶系离子性晶体,具有稳定的半导体性能。它可以通过GeCl₂与H₂Se反应制备。纯净的硒化锗可由Ge粉末与Se粉末按适当比例熔合得到。
根据晶型结构分类,硒化锗可以分为五种单层晶体形式:α-GeSe、β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe。这些单层硒化锗均表现出稳定的半导体特性。值得注意的是,β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型属于间接带隙半导体材料;而α-GeSe则为直接带隙半导体。其中,β-GeSe的单层结构特别适用于光催化分解水。
参考文献[1] http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 张胜利, 刘尚果, 黄世萍, 等. 单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J]. 科学通报 (Science China Materials), 2015(12).
生产方法硒化锗可以通过GeCl₂与H₂Se反应制备。纯净的硒化锗则可通过将适量比例的Ge粉末和Se粉末熔合得到。