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硒化锗 | 12065-10-0

中文名称
硒化锗
中文别名
——
英文名称
Germanium(II) selenide
英文别名
selanylidenegermanium
硒化锗化学式
CAS
12065-10-0
化学式
GeSe
mdl
——
分子量
151.6
InChiKey
RXQPCQXEUZLFTE-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    670 °C(lit.)
  • 密度:
    5.6 g/mL at 25 °C(lit.)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.76
  • 重原子数:
    2
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

安全信息

  • 危险品标志:
    T
  • 安全说明:
    S26,S28,S36/37/39,S45
  • 危险类别码:
    R23/24/25
  • WGK Germany:
    3
  • 危险品运输编号:
    UN 3283 6.1/PG 3

制备方法与用途

概述

硒化锗是一种正交晶系离子性晶体,具有稳定的半导体性能。它可以通过GeCl₂与H₂Se反应制备。纯净的硒化锗可由Ge粉末与Se粉末按适当比例熔合得到。

硒化锗

分类

根据晶型结构分类,硒化锗可以分为五种单层晶体形式:α-GeSe、β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe。这些单层硒化锗均表现出稳定的半导体特性。值得注意的是,β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型属于间接带隙半导体材料;而α-GeSe则为直接带隙半导体。其中,β-GeSe的单层结构特别适用于光催化分解水。

参考文献

[1] http://www.chazidian.com/baike/477878/

[2] 张胜利, 刘尚果, 黄世萍, 等. 单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J]. 科学通报 (Science China Materials), 2015(12).

生产方法

硒化锗可以通过GeCl₂与H₂Se反应制备。纯净的硒化锗则可通过将适量比例的Ge粉末和Se粉末熔合得到。