Chromium-Germanium | 12052-93-6

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: Chromium-Germanium
• 英文别名: Chromium--germane (1/1)；chromium;germane
• CAS: 12052-93-6
• 化学式: CrGe
• 分子量: 124.586
• InChiKey: BBNJILRQEWPRIW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Chromium-Germanium 、 germanium-iron 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Studies of the incommensurate structures of B20 alloys

  摘要：

  The B20 structure is capable of supporting a long-range antiferromagnetic static spin density wave, and for transition metal silicides and germanides it has previously been found that the Neel temperatures, high field magnetizations and magnetic propagation vectors q all suggest a dependence on an electron concentration parameter. This relationship has yet to be confirmed. The present measurements from mixed alloys in the series CrSi/FeSi, CrSi/MnSi, CrSi/CoSi. MnSi/CoSi and CrGe/FeGe have extended the electron concentration range previously covered and the results support the suggested dependence. The q values are practically independent of temperature and the CrGe/FeGe display high Neel temperatures comparable with that of FeGe. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/s0304-8853(97)00277-1
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 铬 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 Chromium-Germanium
  参考文献：
  名称：

  低温气相沉积法生长的非晶 Ge1−xCrx 薄膜的磁电性能

  摘要：

  摘要 采用热蒸发器在(1 0 0)Si上沉积非晶Ge 1- x Cr x 薄膜。当Cr浓度低于30.7at%时获得非晶相。在 300 K 时电阻率为 1.89×10 -3 –0.96×10 2 Ω cm，并且随着 Cr 浓度的增加而降低。Ge 1- x Cr x 薄膜是p型的。空穴浓度在 300 K 时为 5×10 16 –7×10 21 cm -3 ，并随着 Cr 浓度的增加而增加。在 2 T 的外加场中，5 K 下的磁化强度为 7.60–1.57 emu/cm 3。磁化强度随着 Cr 浓度和温度的增加而降低。磁化特性表明Ge 1- x Cr x 薄膜是顺磁性的。

  DOI：

  10.1016/j.jmmm.2006.02.043

文献信息

• Pressure-Tunable Crystal Structure and Magnetic Transition Temperature of the Nowotny Chimney-Ladder CrGe_γ Phase
  作者：Takuya Sasaki、Koki Noda、Nico Alexander Gaida、Ken Niwa、Masashi Hasegawa

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.1c01887

  日期：2021.10.4

  becomes higher. It is noteworthy that CrGe1.763 and CrGe1.774 synthesized at P = 10 and 14 GPa have magnetic transition temperatures of T = 295 and 333 K above room temperature, respectively. Surprisingly, the magnetic transition temperature has changed by ΔTC = 270 K, although the γ values of the raw material and the sample synthesized at P = 14 GPa differ by only Δγ = 0.05, corresponding to an atomic concentration

  在高压下合成了具有不同成分的 Nowotny 烟囱梯 (NCL) 锗化铬 (CrGe γ )。NCL CrGe γ 的晶体结构参数已通过基于超空间群的 Le Bail 细化计算。CrGe γ的细化 γ随着合成压力的增加而增加，表明 Ge 含量增加。NCL CrGe γ相在T = 2 K 时是铁磁性的，而不管它们的成分如何，当 γ 变高时，磁转变温度 ( T C ) 也会增加。值得注意的是，CrGe 1.763和CrGe 1.774在合成P= 10 和 14 GPa 的磁转变温度分别为高于室温的T = 295 和 333 K。令人惊讶的是，尽管在P = 14 GPa 下合成的原材料和样品的 γ 值仅相差 Δγ = 0.05，对应于 0.62 原子% 的原子浓度，但磁转变温度已改变了 Δ T C = 270 K。合成压力是调节 NCL 相组成的重要参数。因此，高压合成可以通过利用成分和结构调制来显着控制
• Crystal and Electronic Structures of MoSi₂-Type CrGe₂ Synthesized under High Pressure
  作者：Takuya Sasaki、Kota Kanie、Tatsuya Yokoi、Ken Niwa、Nico Alexander Gaida、Katsuyuki Matsunaga、Masashi Hasegawa

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.0c03240

  日期：2021.2.1

  a deep pseudogap caused by the splitting of 3d orbitals with Cr, as evidenced by ab initio calculation. In this article, we have succeeded in synthesizing a binary compound between transition-metal and metalloid elements for the first time at high pressures above 10 GPa using the LHDAC. This pathway opens the possibility to explore more compounds in this system and may provide new insights into the

  通过使用金刚石砧盒（LHDAC）进行激光加热，合成了锗化铬，即Nowotny烟囱-阶梯相CrGe 1.77和MoSi 2型CrGe 2。MoSi 2型CrGe 2是Cr-Ge系统中最富Ge的化合物，在四方结构中以I 4 / mmm（139号）的空间群结晶，晶格参数为a = 3.24919（6） ），c = 8.0523（3）Å，与MoSi 2等结构。MoSi 2型CrGe 2具有由Cr分解3d轨道引起的深伪间隙，如从头算起。在本文中，我们成功地使用LHDAC首次在高于10 GPa的高压下合成了过渡金属和准金属元素之间的二元化合物。该途径为在该系统中探索更多化合物提供了可能，并可能为这两个元素之间的基本相互作用提供新见解。
• Ferromagnetism in Cr-doped Ge
  作者：Sungyoul Choi、Soon Cheol Hong、Sunglae Cho、Yunki Kim、John B. Ketterson、Chi-Un Jung、K. Rhie、Bong-Jun Kim、Y. C. Kim

  DOI：10.1063/1.1516613

  日期：2002.11.4

  We have fabricated Cr-doped bulk Ge single crystal using the vertical gradient solidification method. The material shows ferromagnetic ordering at 126 K, as determined from temperature-dependent magnetization and resistance measurements. A sample with x=0.01 was p type with nh=3×1017 cm−3 at 350 K. The measured magnetic moment per Cr was 0.83μB at 5 K.

  我们已经使用垂直梯度凝固方法制造了 Cr 掺杂的块状 Ge 单晶。该材料在 126 K 处显示铁磁有序，这是根据温度相关的磁化强度和电阻测量值确定的。x=0.01 的样品是 p 型，在 350 K 时 nh=3×1017 cm-3。在 5 K 时测得的每 Cr 磁矩为 0.83μB。
• Vaporization thermodynamics and heat capacities of Cr3Ge and Cr5Ge3
  作者：Sergei N. Zarembo、Clifford E. Myers、Robert J. Kematick、Peter Y. Zavalij、M.Stanley Whittingham、Eric J. Cotts

  DOI：10.1016/s0925-8388(01)01551-1

  日期：2001.11

  were determined from the activity data. Heat capacities of Cr 0.75 Ge 0.25 and Cr 0.63 Ge 0.37 were measured by DSC in the temperature range of 300–700 K. Standard enthalpies of formation of Cr 0.75 Ge 0.25 and Cr 0.63 Ge 0.37 at 298 K were calculated by the third-law method with the use of literature absolute entropy and estimated high-temperature heat capacity data. The results obtained are: Cr 0.75

  摘要 采用高温克努森渗出质谱(KEMS) 和差示扫描量热法(DSC) 研究了两种锗化铬Cr 3 Ge 和Cr 5 Ge 3 的热力学稳定性。在 Cr 3 Ge 单相和 (Cr) 固溶体+Cr 3 Ge 和 Cr 3 Ge+Cr 5 Ge 3 的两相混合物上，在大约 1400-1600 的温度范围内测量了 Cr 和 Ge 的热力学活动K 通过与固体 Cr 和液体 Ge 金属直接比较。由活性数据确定在高温下形成锗化铬的标准自由能。Cr 0.75 Ge 0.25 和 Cr 0.63 Ge 0.37 的热容量通过 DSC 在 300-700 K 的温度范围内测量。 Cr 0.75 Ge 0.25 和 Cr 0.63 Ge 0 的标准形成焓。37 在 298 K 是通过第三定律方法计算的，使用文献绝对熵和估计的高温热容数据。得到的结果为：Cr 0.75 Ge 0.25 ，-19.3±2.5 kJ；Cr
• Esca and magnetic studies of the Cr-Ge system
  作者：M. Kolenda、J. Stoch、A. SzytuŁa

  DOI：10.1016/0304-8853(80)90532-6

  日期：1980.4