monosilicon phosphide | 12137-64-3

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属氧阴离子化合物
• 英文名称: monosilicon phosphide
• 英文别名: silicon monophosphide；silicon phosphide；phosphanylidynesilicon
• CAS: 12137-64-3
• 化学式: PSi
• 分子量: 59.0593
• InChiKey: FLRSUSDJUOANNM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.48
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  硅烷 、 phosphan 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂， 生成 monosilicon phosphide
  参考文献：
  名称：

  SiP分子：第一次观察和光谱表征

  摘要：

  SiP 分子已在分子自由射流装置中通过在掺有磷化氢 (PH3) 气体的 He 存在下对硅棒进行激光汽化而产生。通过监测激光诱导荧光，已在 21200-22350 cm-1 范围内观察到激发光谱。已从激发带的上层状态记录了分散的荧光光谱。基态电子态为 X 2Πi，自旋轨道分裂 A=-186.774(11) cm-1，谐波数 ωe=615.7(6) cm-1，平衡核间距 re=2.0775(17) A。两个激发电子态 A 2Σ+ 和 B 2Σ+ 分别在 T0=427.4(5) 和 21317.1(1) cm-1 处观察到。对于 A 2Σ+ 态和 455(1) cm-1 和 2.1278(8)，谐波波数 ωe 和平衡核间距 re 分别为 680(2) cm-1 和 1.9658(13) A A，分别，对于 B 2Σ+ 状态。对于 X 2Πi、A 2Σ+ 和 B 2Σ+ 电子态，已经产生了 RKR

  DOI：

  10.1063/1.1462582